一种硫化镉制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硫化镉制备方法，包括如下步骤：a、将硫蒸发室、反应室、镉蒸发室提前通入惰性气体；b、将硫和镉分别加入硫蒸发室、镉蒸发室，先将反应室温度升温至1100-1200℃，再同时对硫蒸发室、镉蒸发室升温至750-850℃、250-300℃，三者均达到上述温度时，将硫蒸发室的惰性气体的吹入方向朝向反应室，并将其流量速度调整600-700ml/min；将镉蒸发室的惰性气体的吹入方向朝向反应室，并将其流量速度调整为250-350ml/min，保持上述流量及温度反应6-8h；c、反应6-8h后，停止加热，持续惰性气体的加入，反应室降温至常温后，取出合成产物硫化镉。通过本发明专利技术在反应过程中，从放料-反应-取料均处于惰性气体中，气相合成过程中不会引入其他杂质，从而保障了硫化镉多晶具有很高的纯度。

Cadmium sulfide preparation method

The invention discloses a preparation method of cadmium sulfide, which comprises the following steps: A, the sulfur evaporation chamber, a reaction chamber, cadmium evaporation chamber into the inert gas in advance; B, sulfur and cadmium were added to sulfur evaporation chamber, cadmium evaporation chamber, the reaction chamber temperature to 1100-1200 Deg. C, then at the same time sulfur cadmium evaporation chamber, the evaporation chamber is heated to 750-850 DEG C, 250-300 C, three have reached the temperature when the blowing direction of inert gas sulfur evaporation chamber toward the reaction chamber, and the flow speed adjustment 600-700ml/min; blowing direction of cadmium inert gas evaporation chamber toward the reaction chamber, and the flow rate adjust 250-350ml/min, maintain the flow and temperature of reaction of 6-8h; C, 6-8h reaction, stop heating, adding continuous inert gas, the reaction chamber cooling to room temperature after removal of cadmium sulfide synthesis. In the process of the reaction, the discharged material, reaction and material are all in inert gas, and other impurities are not introduced in the process of gas phase synthesis, thus ensuring the high purity of cadmium sulfide polycrystal.

【技术实现步骤摘要】
一种硫化镉制备方法
本专利技术属于硫化镉制备
，具体涉及一种硫化镉制备方法。
技术介绍
硫化镉(CdS)是直接带隙宽禁带的半导体材料，其禁带宽度Eg为2.42ev，分子量为144.46，无放射性，微溶于水和乙醇，溶于酸且极易溶于氨水。CdS纳米薄膜具有良好的光电转化特性，能很好地匹配太阳能光谱可见光区且对可见光有非常好的透射率，通常使用CdS纳米薄膜充当窗口层与P型半导体材料一起构成异质结太阳能电池。另外，由于在实验研究中发现CdS异质结太阳能电池具有高转化率、低成本和工艺简单等优点，因此，硫化镉将是未来廉价、高效率太阳能电池发展的主要研究方向，起到促进太阳能利用推广的作用，给地球带来洁净、环保、高效的能源，解决现在以及以后的能源危机。目前，硫化镉一般从水溶液中沉淀制取或利用组分单质直接熔融合成。在制备过程中容易引入杂质，从而无法保证硫化镉(CdS)的纯度。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述
技术介绍
中所提到的问题，提供了一种硫化镉制备方法。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种硫化镉制备方法，该方法包括如下步骤：a、将依次设置的硫蒸发室、反应室、镉蒸发室提前通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫化镉制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a、将依次设置的硫蒸发室、反应室、镉蒸发室提前通入0.5‑1小时惰性气体，惰性气体的流量为500‑600ml/min；b、将纯度≥6N的硫和镉按照2:3的摩尔比分别加入硫蒸发室、镉蒸发室，先将反应室的温度升温至1100‑1200℃，再同时对硫蒸发室、镉蒸发室分别升温至750‑850℃、250‑300℃，通过温度检测到三者均达到上述温度时，将硫蒸发室的惰性气体的吹入方向朝向反应室，并将其流量速度调整为600‑700ml/min；将镉蒸发室的惰性气体的吹入方向朝向反应室，并将其流量速度调整为250‑350ml/min，保持硫蒸发室、镉蒸发室的流量...

【技术特征摘要】
1.一种硫化镉制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a、将依次设置的硫蒸发室、反应室、镉蒸发室提前通入0.5-1小时惰性气体，惰性气体的流量为500-600ml/min；b、将纯度≥6N的硫和镉按照2:3的摩尔比分别加入硫蒸发室、镉蒸发室，先将反应室的温度升温至1100-1200℃，再同时对硫蒸发室、镉蒸发室分别升温至750-850℃、250-300℃，通过温度检测到三者均达到上述温度时，将硫蒸发室的惰性气体的吹入方向朝向反应室，并将其流量速度调整为600-700ml/min；将镉蒸发室的惰性气体的吹入方向朝向反应室，并将其流量速度调整为250-350ml/min，保持硫蒸发室、镉蒸发室的流量方向及速度，恒定硫蒸发室、反应室、镉蒸发室温度，反应6-8h；c、反应6-8h后，对硫蒸发室、镉蒸发室停止加热，持续惰性气体的加入，反应室以150-200...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贺成，
申请(专利权)人：衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43