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本发明公开了一种硫化镉制备方法，包括如下步骤：a、将硫蒸发室、反应室、镉蒸发室提前通入惰性气体；b、将硫和镉分别加入硫蒸发室、镉蒸发室，先将反应室温度升温至1100-1200℃，再同时对硫蒸发室、镉蒸发室升温至750-850℃、250-30...该专利属于衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司授权不得商用。
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