本申请提供一种测试方法、测试装置及电子设备，对器件施加多个反偏电压，测试每个反偏电压对应的反偏电流，相邻反偏电流之间的差值处于第一阈值内时，将相邻反偏电流中较大的反偏电流作为最大反偏电流，而后根据最大反偏电流以及器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数。本申请的方案，能够获取少子扩散系数。子扩散系数。子扩散系数。
【技术实现步骤摘要】
测试方法、测试装置及电子设备
[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种测试方法、测试装置及电子设备。
技术介绍
[0002]P型半导体与N型半导体结合在一起，在二者的界面处形成空间电荷区，也称为PN结（PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性。
[0003]PN结在反偏电压作用下存在PN结反偏电流，增加器件功耗。PN结反偏电流的大小与少子扩散有关。因此对少子扩散系数的测定显得尤为重要。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种测试方法、测试装置及电子设备，能够获得少子扩散系数。
[0005]第一方面，本申请提供一种测试方法，所述方法包括：对器件施加多个反偏电压，测试每个反偏电压对应的反偏电流，相邻反偏电流之间的差值处于第一阈值内时，将所述相邻反偏电流中较大的反偏电流作为最大反偏电流；根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数。
[0006]在一些实施例中，所述器件为MOS晶体管，所述MOS晶体管包括衬底和漏区；所述根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，具体包括：设计与所述MOS晶体管的衬底相同的第一衬底，以及与所述MOS晶体管的漏区相同的第一漏区，在所述第一衬底远离所述第一漏区的一侧设计第二衬底，所述第二衬底的掺杂浓度低于所述第一衬底的掺杂浓度；在所述第一衬底和所述第二衬底之间施加第一反偏电压，测试所述第一衬底和所述第二衬底之间的第一反偏电流，缩短所述第一衬底的长度，相邻所述第一反偏电流之间的差值处于第二阈值内时，获取所述第一衬底的目标长度；计算所述第一衬底的目标长度和所述衬底的耗尽层宽度之间的差值，获得所述衬底的少子扩散层厚度，根据所述衬底的少子扩散层厚度以及所述最大反偏电流、所述衬底的体相少子浓度计算所述衬底的少子扩散系数。
[0007]在一些实施例中，所述器件为MOS晶体管，所述MOS晶体管包括衬底和漏区；所述根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，具体包括：设计与所述MOS晶体管的衬底相同的第一衬底，以及与所述MOS晶体管的漏区相同的第一漏区，在所述第一漏区远离所述第一衬底的一侧设计第二漏区，所述第二漏区的掺杂浓度低于所述第一漏区的掺杂浓度；在所述第一漏区和所述第二漏区之间施加第二反偏电压，测试所述第一漏区和所述第二漏区之间的第二反偏电流，缩短所述第一漏区的长度，相邻所述第二反偏电流之间
的差值处于第三阈值内时，获取所述第一漏区的目标长度；计算所述第一漏区的目标长度和所述漏区的耗尽层宽度之间的差值，获得所述漏区的少子扩散层厚度，根据所述漏区的少子扩散层厚度以及所述最大反偏电流、漏区的体相少子浓度计算所述漏区的少子扩散系数。
[0008]在一些实施例中，所述器件为NMOS晶体管，所述NMOS晶体管包括P型衬底和N型漏区；所述对器件施加多个反偏电压，具体包括：在所述P型衬底和所述N型漏区之间施加多个依次递减的负电压。
[0009]在一些实施例中，所述器件为PMOS晶体管，所述PMOS晶体管包括N型衬底和P型漏区；所述对器件施加多个反偏电压，具体包括：在所述P型漏区和所述N型衬底之间施加多个依次递减的负电压。
[0010]在一些实施例中，所述根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，具体包括：获取所述衬底的掺杂浓度，根据所述衬底的掺杂浓度以及本征载流子浓度计算所述衬底的体相少子浓度。
[0011]在一些实施例中，所述根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，具体包括：获取所述漏区的掺杂浓度，根据所述漏区的掺杂浓度以及本征载流子浓度计算所述漏区的体相少子浓度。
[0012]在一些实施例中，所述根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，具体包括：根据所述最大反偏电流和所述器件的空间电荷区的面积计算最大反偏电流密度；根据所述最大反偏电流密度以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数。
[0013]第二方面，本申请提供一种测试装置，所述装置包括：测试单元，用于对器件施加多个反偏电压，测试每个反偏电压对应的反偏电流，相邻反偏电流之间的差值处于第一阈值内时，将所述相邻反偏电流中较大的反偏电流作为最大反偏电流；计算单元，用于根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数。
[0014]第三方面，本申请提供一种电子设备，包括：存储器和处理器；存储器用于存储指令；处理器用于调用存储器中的指令执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的测试方法。
[0015]第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机指令，当电子设备的至少一个处理器执行该计算机指令时，电子设备执行第一方面及第一方面任一种可能的设计中的测试方法。
[0016]本申请提供的测试方法、测试装置及电子设备，对器件施加多个反偏电压，测试每个反偏电压对应的反偏电流，相邻反偏电流之间的差值处于第一阈值内时，将相邻反偏电
流中较大的反偏电流作为最大反偏电流，而后根据最大反偏电流以及器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，从而能够获得器件的少子扩散系数。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本申请实施例提供的一种测试方法的流程示意图；图2为本申请实施例提供的一种器件在外加反偏电压时的示意图；图3为本申请实施例提供的一种器件的界面示意图；图4为本申请实施例提供的一种器件的结构示意图；图5为本申请实施例提供的另一种器件的结构示意图；图6为本申请实施例提供的又一种器件的结构示意图；图7为本申请实施例提供的再一种器件的结构示意图；图8为本申请实施例提供的一种测试装置的结构示意图；图9为本申请实施例提供的电子设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
[0019]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的专利技术后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本
中的公知常识或惯用技术手段。
[0021]图1为本申请实施例示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测试方法，其特征在于，所述方法包括：对器件施加多个反偏电压，测试每个反偏电压对应的反偏电流，相邻反偏电流之间的差值处于第一阈值内时，将所述相邻反偏电流中较大的反偏电流作为最大反偏电流；根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件为MOS晶体管，所述MOS晶体管包括衬底和漏区；所述根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，具体包括：设计与所述MOS晶体管的衬底相同的第一衬底，以及与所述MOS晶体管的漏区相同的第一漏区，在所述第一衬底远离所述第一漏区的一侧设计第二衬底，所述第二衬底的掺杂浓度低于所述第一衬底的掺杂浓度；在所述第一衬底和所述第二衬底之间施加第一反偏电压，测试所述第一衬底和所述第二衬底之间的第一反偏电流，缩短所述第一衬底的长度，相邻所述第一反偏电流之间的差值处于第二阈值内时，获取所述第一衬底的目标长度；计算所述第一衬底的目标长度和所述衬底的耗尽层宽度之间的差值，获得所述衬底的少子扩散层厚度，根据所述衬底的少子扩散层厚度以及所述最大反偏电流、所述衬底的体相少子浓度计算所述衬底的少子扩散系数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件为MOS晶体管，所述MOS晶体管包括衬底和漏区；所述根据所述最大反偏电流以及所述器件的体相少子浓度和少子扩散层厚度计算少子扩散系数，具体包括：设计与所述MOS晶体管的衬底相同的第一衬底，以及与所述MOS晶体管的漏区相同的第一漏区，在所述第一漏区远离所述第一衬底的一侧设计第二漏区，所述第二漏区的掺杂浓度低于所述第一漏区的掺杂浓度；在所述第一漏区和所述第二漏区之间施加第二反偏电压，测试所述第一漏区和所述第二漏区之间的第二反偏电流，缩短所述第一漏区的长度，相邻所述第二反偏电流之间的差值处于第三阈值内时，获取所述第一漏区的目标长度；计算所述第一漏区的目标长度和所述漏区的耗尽层宽度之间的差值，获得所述漏区的少子扩散层厚度，根据所述漏区的少子扩散层厚度以及所述最大反偏电流、漏区的体相少子浓度计算...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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