【技术实现步骤摘要】
半导体三端器件SOA曲线的测试装置及测试方法
[0001]本专利技术涉及半导体器件测试领域，特别是涉及一种半导体三端器件SOA曲线的测试装置及测试方法。
技术介绍
[0002]传统器件安全工作区(简称“SOA”)参考曲线是由各个器件生产厂商提供的，是通过器件的导通电阻(Rdson)、瞬态热阻等参数计算而得到的理论曲线，与实际曲线有一定偏差，这会导致客户端在实际使用中出现烧片风险，特别是当器件使用于SOA曲线临界区域时，烧片风险将大大增加。
[0003]如图1所示，现有SOA曲线的测试装置包括：控制单元、功率源及监控单元，待测器件DUT的栅极连接控制单元，待测器件DUT的漏极连接功率源，待测器件DUT的源极通过第六电阻接地，监控单元的输入端分别接入漏极电压和第六电阻的压降；其中，控制单元包括：单片机U1、开关B1、第一运放U2、第二运放U3及第六电阻R6，单片机U1的串行输入口连接一端接地的开关B1，串行输出口通过第二电阻R2连接第一运放U2的反向输入端，第一运放U2的输出端连接可变电阻RV1的一个固定端，另一固定端接...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体三端器件SOA曲线的测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：可调功率电源、可调信号电源及控制与人机交互模块，其中，所述可调功率电源连接待测器件的功率端和接地端，并受控于所述控制与人机交互模块，为所述待测器件提供电压值可调的功率电压；所述可调信号电源连接所述待测器件的信号端，并受控于所述控制与人机交互模块，为所述待测器件提供幅值可调、脉宽时间可调的驱动信号；所述控制与人机交互模块连接所述待测器件的功率端和接地端，用于检测不同时间点下所述待测器件的功率端电压和流经所述待测器件的电流，并基于检测的电压和电流绘制SOA曲线。2.根据权利要求1所述的半导体三端器件SOA曲线的测试装置，其特征在于，所述测试装置利用所述待测器件的输出特性，通过使所述可调功率电源输出的功率电压固定，调节所述可调信号电源输出驱动信号的幅值步进流经所述待测器件的电流，实现固定功率端电压下所述待测器件的最大耐受电流测试。3.根据权利要求1所述的半导体三端器件SOA曲线的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括：能量控制模块，连接于所述可调功率电源和所述待测器件之间，并受控于所述控制与人机交互模块，用于根据当前功率电压的大小调整并联电容的数量并对并联电容进行充电，在充电电压达到当前功率电压时结束充电，及通过并联电容放电向所述待测器件的功率端提供能量。4.根据权利要求3所述的半导体三端器件SOA曲线的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括：采样模块，连接于所述能量控制模块和所述控制与人机交互模块之间，用于采样充电电压；此时，所述控制与人机交互模块还用于比较采样电压和当前功率电压，并在所述采样电压达到所述当前功率电压时，控制所述能量控制模块中的并联电容结束充电。5.根据权利要求3所述的半导体三端器件SOA曲线的测试装置，其特征在于，所述能量控制模块包括：第一级控制开关及N条电容支路，所述第一级控制开关的第一端连接所述可调功率电源的输出端，所述第一级控制开关的第二端连接所述待测器件的功率端，N条电容支路并联于所述第一级控制开关的第二端和地之间；所述电容支路包括：电容控制开关及电容，二者串联；其中，所述第一级控制开关及所述电容控制开关均受控于所述控制与人机交互模块，N为大于等于1的正整数。6.根据权利要求5所述的半导体三端器件SOA曲线的测试装置，其特征在于，所述能量控制模块还包括：第二级控制开关，所述第二级控制开关连接于所述第一级控制开关的第二端和所述待测器件的功率端之间，其中，所述第二级控制开关受控于所述控制与人机交互模块。7.根据权利要求1
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6任一项所述的半导体三端器件SOA曲线的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括：隔离模块，连接于所述控制与人机交互模块和所述可调功率电源之间、所述控制与人机交互模块和所述可调信号电源之间；在所述测试装置还包括能量控制模块时，所述隔离模块还连接于所述控制与人机交互模块和所述能量控制模块之间。8.一种利用如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐丹丹，唐开锋，丁继，马荣耀，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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