曝光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种曝光装置，即使是具有由有机材料构成的印刷布线基板所特有的不均匀而且较大变形的基板，也能够实现最佳定位。全体变倍单元（２）在ｘｙ方向上以相同倍率即倍率Ｓｗ放大缩小光掩膜（７）的图案，单变倍单元（１）与全体变倍单元（２）独立地在任意一个方向ω上以预定倍率Ｓｏ使光掩膜图案伸缩，调准示波器（４）检测掩膜标记（７０）与基板标记（８０）的位置偏差αｉ、βｉ。位置偏差信号αｉ、βｉ被发送给运算控制装置（３），计算调准所需要的参数即单变倍倍率Ｓｏ、单变倍方向ω，再计算全体变倍倍率Ｓｗ、基板的旋转量θ、基板平移量Ｏｘ、Ｏｙ，并据此控制单变倍单元（１）、全体变倍单元（２）、曝光载物台（６），进行调准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种印刷布线基板用的曝光装置。
技术介绍
在涂覆了光致抗蚀剂等感光材料的基板表面上曝光预定的图案，使抗 蚀剂感光，然后通过蚀刻工艺在基板上形成图案，这种光刻法在半导体晶 片、液晶基板等领域中广为人知，但是，伴随近年来的电子设备的高性能、 多功能、小型化，布线图案变得细线化，在印刷布线基板的图案形成中也 釆用这种光刻法。印刷布线基板的基材(基板)采用有机材料，所以与作为半导体晶片 的基材的硅和作为液晶基板的基材的玻璃不同，基材的伸縮量变大，并且 根据印刷布线基板的图案配置，根据有无铜箔等，其伸缩具有较大的方向 性。并且，伴随上述图案布线的细微化，对于光掩膜图案和基板图案的调 准精度也要求更加严格的精度。为了吸收这种印刷布线基板特有的基板的伸缩及变形来实现高精度的对准，本申请人在日本特开2003—222795、日本特开2003—223003中提出以下技术以所有方向都相同的伸縮量对光掩膜的图案进行光学的倍率校正，同时在与此独立的任意方向上以预定的伸縮量进行倍率校正并在基 板上曝光。另一方面，在半导体晶片的投影曝光装置中，例如在日本特开昭61 — 44429和日本特公平6—本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在印刷布线基板上曝光预定图案的投影曝光装置，其特征在于，具有：　描绘了预定图案的光掩膜；　投影曝光单元，其将所述光掩膜的图案投影曝光到所述印刷布线基板上；　描绘在所述光掩膜上的定位用的掩膜标记；　设置在所述印刷布 线基板上的定位用的基板标记；　光学系统，其位于所述光掩膜和印刷布线基板之间，在以光轴中心为原点的ｘｙ坐标系中，在任意一个方向上以任意倍率来校正所述图案；　检测所述掩膜标记与基板标记的偏差的检测单元；　根据该检测出的偏差，决 定所述任意一个方向即单变倍方向ω和所述任意倍率即单变倍倍率Ｓｏ的决定单元；和　...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中巧，坂井智行，比企达也，
申请(专利权)人：株式会社阿迪泰克工程，
类型：发明
国别省市：JP[日本]