膜基板处理装置和膜基板处理方法制造方法及图纸

提供一种将膜基板稳妥地放置到静电吸附式操作台上的膜基板处理装置。在该膜基板处理装置中，其将膜基板放置到静电吸附式操作台上的第１吸附部上设有吸附垫和将膜基板的端部区域朝操作台挤压的挤压部件。由此，可稳稳地将膜基板吸附于操作台上，在减压气氛下稳妥地对膜基板进行处理。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及处理膜基板时进行膜基板的交接技术。
技术介绍
在实装
，伴随着电子设备的小型化和高性能化，要求实装密度提高。为此，要求有一种在实装基板上的元件连接变得微细、可靠性更高的实装技术。为确保可靠性，一种方法是，用等离子体进行表面改性。例如，通过等离子处理，可除去附着在表面的有机物污染、提高丝焊的焊接强度、改善润湿性、提高基板与密封树脂之间的粘附性。即，用氧等离子体将基板表面活化，引起活性氧与有机物反应、产生羧基(-COOH)、羰基(-C＝O)等、从而提高接合强度这样的表面活化作用。此外，通过由氩离子或氧离子产生的溅射作用，产生表面净化作用。特别是由膜等构成的挠性电路基板，如基板表面残留氯，则由于基板周围的湿气和电路中的电流的影响，电路有可能受到腐蚀，因此，通过等离子处理，除去附着在表面的氯。此外，提高基板与树脂之间的粘附性，防止水分从外部侵入。以往，进行这样的等离子处理的方法是，人工进行下述各步骤用人的手将膜几片几片地放置在操作室中，盖上盖子后，先抽成接近真空，再抽成真空，打开气体阀门，施加高频电流，停止施加高频电流，恢复至大气压，打开操作室。用真空计确认真空压，并用秒表测定高频电流施加时间。然而，这样的处理必然是间歇式处理，处理量有限。此外，由于用人手取出、放入膜，因此，膜有可能被污染。而且，由于净化和下道工序之间有空隙，难以管理好膜。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的是，提供一种将膜放置在静电式操作台上进行处理并实现处理自动化的技术。第1个专利技术是一种膜基板处理装置，它具有 用静电力将膜基板的与被处理面相反侧的背面进行保持(holding)的操作台，内部配置有上述操作台的操作室，在上述操作室被减压的状态下对上述用操作台加以保持的膜基板的被处理面进行规定处理的处理部，从被处理面侧保持膜基板、进行搬运、边从上述被处理面侧进行挤压边将膜基板放置至上述操作台上的搬运机构。第2个专利技术是，在上述第1专利技术所述的装置中，所述搬运机构具有通过吸引吸附来保持膜基板的搬入用保持部。第3个专利技术是，在上述第1或第2专利技术所述的装置中，所述搬入用保持部具有将膜基板的至少端部区域朝上述操作台挤压的挤压部件。第4个专利技术是，在上述第1或第2专利技术所述的装置中，所述搬入用保持部具有使膜基板的整个边缘部朝上述操作台挤压的挤压面。第5个专利技术是一种膜基板的处理方法，它具有通过搬入用保持部从被处理面将膜基板保持、进行搬运的搬运工序，上述搬入用保持部边从被处理面侧挤压膜基板边将膜基板放置到操作台上的放置工序，上述操作台通过静电力对与上述被处理面相反侧的膜基板的背面进行保持的操作台保持工序，将上述操作台周围减压的减压工序，对上述膜基板的被处理面进行规定处理的处理工序。第6个专利技术是，在上述第5专利技术所述的方法中，在放置工序中，所述搬入用保持部将膜基板的的至少端部朝操作台挤压。第7个专利技术是，在上述第5专利技术所述的方法中，在放置工序中，所述搬入用保持部将膜基板的整个边缘部朝操作台挤压。第8个专利技术是，在上述第5至第7中的任一项专利技术所述的方法中，所述操作台保持工序包括施加电压于操作台，在上述电压变化后，解除搬入用保持部对膜基板的保持。第9个专利技术是，在上述第5至第7中任一项专利技术所述的方法中，所述操作台保持工序包括施加电压于操作台，对流向操作台的电流和施加电压后的电流下降进行检测，在检测出上述电流下降后解除搬入用保持部对膜基板的保持。第10个专利技术是一种膜基板处理装置，它具有将膜基板从通过静电力将膜基板保持的操作台搬出的搬出用保持部，其特征在于，所述搬出用保持部具有将膜基板端部保持、从操作台举起的端部举起部和将膜基板的其它部位保持、使膜基板整体与操作台分离的整体分离部。第11个专利技术是，在第10专利技术所述的装置中，所述端部举起部为与膜基板接触并进行吸附的圆弧面的一侧部位，而所述整体分离部为圆弧面的其它部位。第12个专利技术是一种膜基板的搬出方法，它将膜基板从保持膜基板的操作台搬出，它具有端部举起部将操作台上的膜基板的端部保持、整体分离部将其它部位保持的保持工序，端部举起部离开操作台、将膜基板端部从操作台举起的端部举起工序，整体分离部离开操作台、使膜基板整体与操作台分离的整体分离工序。第13个专利技术是，在第12专利技术所述的方法中，操作台通过静电力将膜基板保持，在端部举起工序之前，还具有将施加在操作台上的电压解除的电压解除工序和检测操作台电压变化的电压检测工序。第14个专利技术是，在第13专利技术所述的方法中，在电压解除工序之前，还具有施加反电压于操作台的反电压施加工序。第15个专利技术是一种膜基板处理装置，它具有搬运膜基板的搬运机构、用静电力保持膜基板的与被处理面相反侧的背面的操作台、内部配置有上述操作台的操作室、在上述操作室处于减压状态下对由操作台保持的膜基板的被处理面进行规定处理的处理部，其特征在于，所述搬运机构具有从被处理面侧保持膜基板、进行搬运、在从上述被处理面侧挤压的同时将膜基板放置到操作台上的搬入用保持部和从用静电力保持膜基板的操作台将膜基板搬出的搬出用保持部。第16个专利技术是，在第15专利技术所述的装置中，所述搬出用保持部通过吸引吸附将膜基板保持、将膜基板的端部区域朝操作台挤压。第17个专利技术是，在第15专利技术所述的装置中，所述搬出用保持部先将膜基板的端部保持，然后将膜基板整体从操作台举起。根据上面所述的本专利技术的膜基板处理装置和方法，在减压气氛下对膜基板进行处理时，可将膜基板稳稳地保持在操作台上。此外，根据本专利技术的膜基板处理装置和膜基板搬出方法，不用强力就可从用静电力保持膜基板的操作台将该膜基板接取。附图说明图1A是操作室结构的示意图。图1B是说明用等离子体处理基板的原理的图。图2是膜基板处理装置的平面图。图3是操作室的纵向剖面图。图4是膜基板处理装置的操作流程图。图5是膜基板处理装置的操作流程图。图6是第1吸附部的正面图。图7是吸附膜基板的第1吸附部的底面图。图8是说明第1吸附部将膜基板传送给操作台的情况的图。图9是说明第1吸附部将膜基板传送给操作台的情况的图。图10是第1吸附部将膜基板传送给操作台时的时序图。图11是第2吸附部的正面图。图12是吸附膜基板的第2吸附部的底面图。图13是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的状态的图。图14是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的状态的图。图15是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。图16是第2吸附部从操作台接取膜基板时的时序图。图17是第1吸附部的另一例的正面图。图18是第1吸附部的另一例的底面图。图19是第2吸附部的另一例的正面图。图20是第2吸附部的又一例的正面图。第21是第2吸附部的又一例的底面图。图22是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。图23是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。图24是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。图25是说明用电流计代替图6所示的电压计的情况的图。图26是膜基板从第1吸附部传送至操作台时的时序图。具体实施例方式下面根据附图对本专利技术的实施例作详细说明。图1A是膜基板处理装置的操作室，图1B是说明等离子处理的原理的图。本实施例的膜基板2是0.05-0.5mm厚的挠性绝缘膜，其上面有用金属膜形成的布线图。该绝缘膜是合成树脂，例如PET、聚酰亚胺、PPS等。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜基板处理装置，它具有：用静电力将膜基板的与被处理面相反侧的背面进行保持的操作台，内部配置有上述操作台的操作室，在上述操作室被减压的状态下对上述用操作台加以保持的膜基板的被处理面进行规定处理的处理部，从被处理面侧保持膜基 板、进行搬运、边从上述被处理面侧进行挤压边将膜基板放置至上述操作台上的搬运机构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：笹冈达雄，铃木直树，米泽隆弘，堀江聪，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]