一种用于形成互连结构的方法技术

一种适合于微电子器件芯片的倒装芯片固定至封装体的互连结构，其包括两层，三层或四层球限成分，其包括粘接／反应阻挡层，并具有和含锡无铅焊料的成分反应的焊料可润湿层，因此可焊接层可在焊接过程中被完全消耗，但阻挡层在焊接过程中被安置和无铅焊料接触之后仍剩余。一个或多个无铅焊料球选择性地位于焊料润湿层上，无铅焊料球包括作为主要成分的锡和一种或多种组成合金的成分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子集成电路(IC)芯片对封装体的互连，特别涉及分区阵列倒装芯片互连技术，通常称为C4(受控倒塌芯片连接)。本专利技术进一步关于互连方案，由于使用无铅焊料合金且环境友好的制造工艺所以是环境可接受的。进一步，本专利技术涉及关于互连方案，其通过消除与微电子电路接触的焊料中α粒子源，从而消除芯片上(on-chip)电路中的软错误源。
技术介绍
在半导体芯片封装中，互连分级(hierarchy)是必要的。在芯片和衬底(或芯片载体)之间的互连级(level)上，三种不同的互连技术被广泛采用带自动粘接(TAB)，线接合(wire bonding)，和分区倒装芯片互连。焊料凸块分区阵列互连方案通常被称为倒装芯片焊料连接或C4，集成电路器件(IC)面朝下焊接至芯片载体上。与线接合不同，分区阵列焊料凸块构型允许芯片整个表面被C4凸块覆盖，以便最大可能地输入/输出(I/O)计数(counts)以满足对电气功能和IC技术可靠性不断增加的要求，比局限互连于芯片外围的线连接或TAB更可行。更特别地，C4技术使用沉积于成图案的焊料可润湿层状结构上的焊料凸块，即公知的球限冶金术(ball-li本文档来自技高网...

【技术保护点】
在一种适合于微电子器件芯片的倒装芯片固定至芯片载体的互连结构中，三层球限冶金术包括：　用于在晶片或衬底上沉积的粘接层；从由Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔａ，ＴａＮ，Ｚｒ，ＺｒＮ，Ｖ和Ｎｉ组成的组中选择的材料构成的焊料反应阻挡层；以及焊料可润湿层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：凯斯E福格尔，巴拉兰高萨尔，康圣权，斯蒂芬基尔帕特里克，鲍尔A劳罗，亨利A奈伊三世，席大远，多纳S祖潘斯基尼尔森，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]