散热金属表面镀膜结构及其制作方法技术

本发明专利技术是揭示一种散热金属表面镀膜结构及其制作方法，该散热金属表面镀膜结构是用于电子装置上传导其所产生的热，其中包含至少一散热金属及一薄膜。该薄膜是一架状结构的碳元素所构成；此架状结构的碳元素具高导热系数的特性以提高散热金属的散热效果。该薄膜制作方法则可以化学气相沉积、物理气相沉积、或其他材料制备方法来完成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种，特别是关于一种架状结构的碳元素的薄膜制作方法。
技术介绍
随着科技创新，各式电子装置陆陆续续的相继被开发出来，各式电子装置如电脑系统、移动电话、MP3、数字相机、收音机、无线上网、影片播放、录音笔、股票机、翻译机、个人数字助理(Personal Digital Assist，PDA)、扫描机、游戏机、遥控器、血压计、全球卫星定位系统、数字录影、随身碟及视讯会议等。随着电脑系统与消费性电子产品市场的成长，对于功能上不断的要求于是造就芯片功能上的设计蓬勃发展，使得密集度与效能越来越高因而衍生出芯片散热方面的问题。鉴于此，各式各样的散热器件便应运而生，以期望能达到提升散热效率的目的。从现有技术中来看，应用于散热器件通常以铜质或铝合金为当前散热技术的主流，且现有技术上便有应用于针对各式电子装置芯片所制造的散热器件，如北桥芯片、南桥芯片、存储器等。现有技术中针对北桥芯片所发展的散热器件示意图，如图1所示。图中北桥芯片散热器件包含有一方形底板11及复数个散热鳍片12，该方形底板11具有一上平面111与相对的一下平面112，且该复数个散热鳍片12于各鳍片底边构成一连接底边121。该连接底边121用于连接至方形底板11的上平面111，且各鳍片预设为并排方式排列并与该方形底板11的上平面111形成垂直连结。使该复数个散热鳍片12垂直于该方形底板11形成北桥芯片散热器件，同时，该方形底板11的下平面111用以贴合于芯片的上。其中，该方形底板11与该复数个散热鳍片12是以铜材质或铝材质制成。此散热反应程序为方形底板11的下平面112贴合于北桥芯片上，将热传导至上平面111所连接的复数个散热鳍片12上，再借助外在空气对流带走该复数个散热鳍片12上的热。另外，现有技术中针对存储器所发展的散热器件如图2所示。图中存储器散热器件包含有一成对的长条状的金属平板21及一ㄇ型固定夹22，该ㄇ型固定夹22具有一长条形的顶面221，在相对应的两长边222各自向下延伸出一ㄇ型侧边223，且该成对长条状金属平板21上各自具有两开口211供ㄇ型固定夹的侧边223夹持用。其中，该成对金属平板21形成一容置存储器的空间212，且该成对金属平板21及ㄇ型固定夹22是以铜材质或铝材质制成。此散热反应程序为将存储器容置于成对金属平板21形成的容置空间212，且金属平板21贴合于存储器芯片上将热传导至整个金属平板21上，再借助外在空气对流带走金属平板21上的热。但是，上述散热器件的构造均逃不出散热鳍片的构形，散热器件除了满足散热的需求外，更进一步的要求是适应空间大小的限制进行微小化的设计，同时也为兼顾散热效率不断的发展出如热导管一类的散热器件，可是在微小化的问题上尚有待突破。此外，为大众所周知的钻石，因为具有世界上材料中硬度最大、散热最快、透光范围广和耐腐蚀等特性，长久以来因为钻石优越的特性，所以一直是工程上重要的应用材料之一。其导热系数在常温下相较于现有技术中所使用的铜是其导热系数的五倍，而且高温时钻石的红外线辐射能力亦加强，此优越的能力开辟了除对流散热之外以辐射散热的方式，再加上其热膨胀系数小，因此，钻石的散热效能在高温时更能显现出来。就如钻石此一散热佳的特性更广泛地为一般民众所用于判断钻石的真伪。但是，目前全世界天然钻石开采的产量累积至今也不过数百吨，所以昂贵的价格让人望之却步。然而，在现有技术中，已发展出许多不同人造钻石的技术与制作方法，其中利用碳氢化合物直接分解的方法最为常见，如微波等离子体化学气相沉积法(Microwave Plasma enhance Chemical VaporDeposition，MPCVD)、热灯丝化学气相沉积法(Hot Filament CVD，HFCVD)，即可镀制钻石膜，其人造钻石的特性亦保有如天然单晶钻石的特性。至此，提出一种散热结构及制作方法以同时满足散热的需求及微小化的设计，实为亟需处理的研发课题之一。
技术实现思路
根据本专利技术一方面提供一种散热金属表面镀膜结构，适用于一电子装置上，包含至少一散热金属，具有至少一散热金属表面；以及一薄膜，是由一架状结构的碳元素组成且形成于该散热金属表面上。根据本专利技术另一方面提供一种散热金属表面镀膜结构制作方法，包含提供至少一散热金属；以及利用一制作方式产生一架状结构的碳元素的一薄膜于该散热金属表面。本专利技术提供的一种，适用于电子装置如电脑系统、消费性电子产品等之上传导其所产生的热量。此散热金属表面镀膜结构包含至少一散热金属及一架状结构的碳元素所形成于散热金属表面的薄膜，且该散热金属可为铜质或或铝合金或热传导系数高的金属。同时，该形成薄膜的架状结构的碳元素可为钻石。并且，该薄膜制作方法则可以化学气相沉积、物理气相沉积、或其他材料制备方法来完成。为更清楚了解本专利技术的目的、特点和优点，下面将结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细说明。附图说明图1是现有技术中针对北桥芯片所发展的散热器件示意图；图2是现有技术中针对存储器所发展的散热器件示意图；图3是显示本专利技术的较佳实施例的以微波等离子体辅助化学气相沈积形成表面镀膜结构的示意图；图4是显示本专利技术的另一实施例的以离子束溅镀形成表面镀膜结构的制作方法示意图；以及图5依据本专利技术一实施例所形成的散热金属表面镀膜结构示意图。具体实施例方式在本专利技术的散热金属表面镀膜结构制作方法中，可以利用化学气相沉积或物理气相沈积形成该架状结构的碳元素薄膜于一金属表面。首先，请参照图3，其是显示本专利技术的较佳实施例的以微波等离子体辅助化学气相沈积形成表面镀膜结构的示意图，其是依据本专利技术的一实施例的表面镀膜结构制作方法。在此实施例中，其反应程序为将欲反应的混合气体由气体输入口31使之进入至气体反应室36。同时，微波产生系统32产生微波使混合气体产生活性的反应性离子进行反应，并逐渐吸附于支撑架34上的金属材料35的表面形成钻石膜。该金属材料35可以是一平面状的散热金属，该平面状的散热金属可为铜或铝或其他热传导系数高的金属或其结合材质。而剩余气体则经由废气排出33排放出，以此反应程序进而获得表面具钻石镀膜结构的平面状散热金属。同时，本专利技术的另一实施例的表面镀膜结构制作方法，请参阅图4离子束溅镀示意图。在此实施例中，其制备程序是先以钻石材料压制一靶材42，其置放角度与第一离子枪41的离子束出射方向夹角约四十五度左右，使由第一离子枪41击射而飞溅的钻石微粒飞行至第二离子枪43前方，再经由第二离子枪43给予钻石微粒足够的动能以溅镀至金属材料44表面上形成均匀的钻石膜。该金属材料44可以是一平面状的散热金属，该平面状的散热金属可为铜或铝或其他热传导系数高的金属或其结合材质，而剩余的钻石微粒则经由废气排出45排放出。因此，通过上述的制备程序获得表面具钻石镀膜结构的散热金属。经由上述制作方法所形成的散热金属表面镀膜结构，是如图5所示。图中，依据本专利技术一实施例包含有一散热金属51及一薄膜52。该散热金属51为一平面状具有一上表面511以及相对应的下表面512，同时，该薄膜52是镀制于该散热金属51的上表面511，且该薄膜52是由一架状结构的碳元素所组成的材料。其中，该架状结构的碳元素可为钻石，且该散热金属51可为铜或铝或其他热传导系数高的金属。同时，该散热金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热金属表面镀膜结构，适用于一电子装置上，包含：至少一散热金属，具有至少一散热金属表面；以及一薄膜，是由一架状结构的碳元素组成且形成于该散热金属表面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄明汉，郑裕强，陈兆逸，郭欣陇，李秉蔚，萧惟中，李秉峰，
申请(专利权)人：神基科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]