层叠型半导体装置及层叠型半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的层叠型半导体装置为包含有被层叠的多个半导体装置、连接至所述半导体装置且含有设置于端面的电极的多个中继基板、以及将设置于所述中继基板端面的电极予以连接的连接基板。设置于中继基板端面的电极为利用例如具有导电性的接着剂或各向异性导电薄膜而连接于连接基板。藉此，由于以连接基板连接设置于多个中继基板端面的电极，且连接仅在端面进行，没有必要设置连接基板的弯曲部，故有效于层叠型半导体装置的小型化。此外，由于能够对应各种尺寸的封装件，故能够以短交货期提供层叠型半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种层叠型半导体装置，包含：多个半导体装置；多个中继基板，含有设置在端面的电极，且安装有所述半导体装置；以及连接基板，将设置在所述中继基板端面的电极予以连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：新间康弘，小野寺正德，目黑弘一，田谷耕治，田中淳二，河西纯一，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，斯班逊日本有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]