嵌入式被动组件的制造方法及其结构技术

本发明专利技术嵌入式被动组件结构主要是由基板、形成在基板之上的电极线路组、分别形成在电极线路组之上的保护层组、以及形成在保护层组之间基板上的被动组件材料。本发明专利技术制造方法主要直接在电极线路组之上形成保护层组，而省略掉在保护层组下方的面积较大的铜层垫。如此，本发明专利技术被动组件结构能获得更多的布线空间、以及较简单的制程步骤，并且因为缺少铜层垫所带来的高低落差，使得在形成保护层组、被动组件材料时，能够获得较为均匀的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种被动组件的制造方法及其结构，尤其涉及一种嵌入式被动 组件的制造方法及其结构。
技术介绍
所谓"埋入式被动组件"(Embedded Passives),系利用多层板的内层板制 程，实行蚀刻或印刷方式，将电容器或电阻器直接制做在内层板上，再经压合 成多层板后，将可取代掉板面上组装时所焊接的零散(Discrete)被动组件， 以节省板面让给主动组件及其布线者。埋入式、植入式或藏入式技术，最早是0hmega-ply公司利用内层板面原有 铜箔的毛面(Matt Side)上，另外处理上薄膜的磷镍合金层，当成电阻性成份 (Resistive Element)而压合成为Thin core,然后再利用两次光阻与三次蚀 刻的技术，于特定位置上形成所需的薄膜"电阻器"。由于是埋入在内层中，故 商名称其为Buried Resistor (BR)。在这之后，于1992年美国的PCB制造厂商一Zycon，曾在高阶的多层板中， 在原有Vcc/GND内层之外，另加入极薄(2-4mil)的介质层的内层板，利用其 广大面积的平行金属铜板面，制作成为整体性的电容器，此商名称为Buried Capaci本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式被动组件的制造方法，该制造方法包含：　　　　在一基板上形成线条状的一电极线路组，该电极线路组包含电源极与接地极；　　　　在该电极线路组的前端上分别形成矩形的一保护层组，该保护层组覆盖到该电极线路组的前端部分、以及该基板上，该保护层组的宽度相对于该被动组件的电气值；以及　　　　在该电极线路组之间的该基板之上形成一被动组件材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石汉青，范字远，谢子明，
申请(专利权)人：健鼎无锡电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]