中性粒子束处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种中性粒子束处理设备。更具体地，本发明专利技术涉及一种中性粒子束处理设备，包括：等离子体放电空间，在其内部，通过等离子体放电将处理气体转换为等离子体离子；重金属板，通过碰撞将等离子体离子转换为中性粒子；等离子体限制器，防止等离子体离子和电子通过，并允许由等离子体离子与金属板的碰撞产生的中性粒子通过；以及处理外壳，其内部设置了要处理的基板，其中将等离子体放电空间夹在重金属板和等离子体限制器之间。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种表面处理设备。更具体地，本专利技术涉及一种利用中性粒子束对基板的表面进行处理的中性粒子束处理设备。
技术介绍
等离子体是一组通过放电产生的带电质子和电子，并且正在被广泛应用于半导体制造工艺中的基板表面的处理，例如等离子体刻蚀和PECVD(等离子体增强化学气相沉积)。但是，等离子体处理方法的缺点在于等离子体是一种带电粒子。例如，使用带电粒子用于刻蚀经常会改变刻蚀断面、损坏形成在基板上的电路、或导致可能损坏基板表面的电压梯度。为了克服由等离子体处理方法引起的这种问题，提出了使用中性粒子的系统。主要存在两种技术来从等离子体产生中性粒子。一种是电荷交换，通过等离子体与气体粒子的碰撞来产生中性粒子。另一种是通过等离子体与重金属板的碰撞来产生中性粒子。作为前一种技术的示例，引用日本专利No.2,606,551和NO.2,842,344作为参考。然而，通过等离子体和气体粒子之间的电荷交换产生的中性粒子的缺点在于中性粒子的变换效率较低且难以控制中性粒子的方向性和碰撞频率。因此，认为通过等离子体体与重金属板的碰撞来产生中性粒子的技术更为需要。美国专利No.4,662,977公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中性粒子束处理设备，包括：等离子体放电空间，在其内部，通过等离子体放电将处理气体转换为等离子体离子；重金属板，通过碰撞将等离子体离子转换为中性粒子；等离子体限制器，防止等离子体离子和电子通过，并允许由等离子体离子与金属板的碰撞产生的中性粒子通过；以及处理外壳，其内部设置了要处理的基板，其中将等离子体放电空间夹在重金属板和等离子体限制器之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奉柱，俞席在，李学柱，
申请(专利权)人：韩国基础科学支援研究院，希姆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]