高频等离子体源装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于控制和／或调节一个高频等离子体源装置（１、２１）的输出功率的方法，包括：ａ．分别通过一个高频发生器（６、７、２４－２６）产生至少一个第一和一个第二高频功率信号；ｂ．根据高频功率信号的相位和／或电平，将至少两个高频功率信号耦合为一个已耦合高频功率；ｃ．使已耦合高频功率分成一个输送到等离子体负载（２）的等离子体功率和一个输送到补偿负载（１０、３２）的补偿功率；ｄ．这样控制和／或调节高频功率信号的电平和／或相位，即，对于在预给定的下功率极限与预给定的额定功率之间范围内的等离子体功率，已耦合高频功率的一个非主要部分构成补偿功率，而对于在预给定的下功率极限以下的等离子体功率，已耦合高频功率的一个主要部分构成补偿功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于控制和/或调节一个高频等离子体源装置的输出功率的方法，包括以下方法步骤a.分别通过一个高频发生器产生至少一个第一和一个第二高频功率信号；b.根据高频功率信号的相位和/或电平(振幅)，将至少两个高频功率信号耦合为一个已耦合高频功率；c.使已耦合高频功率分成一个输送到等离子体负载的等离子体功率和一个输送到补偿负载的补偿功率；本专利技术还涉及一种高频等离子体源装置。
技术介绍
对于等离子体源装置和/或设置在其中的高频发生器，由制造者给出了额定功率，其中各个高频发生器的额定功率之和构成等离子体源装置的额定功率。已知高频发生器及由此高频等离子体源装置在其额定功率的一个非主要部分的情况下难于运行。它们倾向于发生不可控的振荡并且难以调节到一个精确的输出功率。通常由高频发生器的制造者也给出一个下功率极限，在该下功率极限以下时高频发生器不再能可靠地或者不能以所需的精度运行。这个下功率极限例如为额定功率的10％，但是也可以位于更低的数值，例如1％。在此高频发生器的下功率极限之和给出等离子体源装置的下功率极限。已知为了使等离子体源装置在下功率极限以下运行，将功率的第一部分输送到一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制和／或调节一个高频等离子体源装置（１、２１）的输出功率的方法，包括以下方法步骤：ａ．分别通过一个高频发生器（６、７、２４－２６）产生至少一个第一和一个第二高频功率信号；ｂ．根据这些高频功率信号的相位和／或电平，将至少两个高频功率信号耦合为一个已耦合高频功率；ｃ．使已耦合高频功率分成一个输送到等离子体负载（２）的等离子体功率和一个输送到补偿负载（１０、３２）的补偿功率；其特征在于，ｄ．这样控制和／或调节高频功率信号的电平和／或相位，即，对于在预给定的下功率极限与预给定的额定功率之间范围内的等离子体功率，已耦合高频功率的一个非主要部分是补偿功率，而对于在给定的下功率极限以下的等离子体功...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯基希迈尔，米夏埃多格吕克，克里斯托夫格哈特，埃克哈德曼，克里斯托夫霍夫施泰特尔，格尔德欣茨，
申请(专利权)人：许廷格电子两合公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]