射频功率源系统及使用该射频功率源系统的等离子体反应腔室技术方案

一种应用于等离子体反应腔室上的射频功率源，采用频率合成或射频信号振荡器方式产生Ｎ个射频信号，并通过宽带功率放大器将该Ｎ个射频信号功率加以放大，随后分离该经过放大的信号。于是射频系统的输出是具有多种频率的射频功率。可选地，这些频率是可以切换的，这样使用者就可以选择射频功率源系统所输出的频率。本发明专利技术进一步公开了一种使用该射频功率源的等离子体反应腔室。

【技术实现步骤摘要】
射频功率源系统及使用该射频功率源系统 的等离子体反应腔室方法
本专利技术涉及应用于等离子体反应腔室中的射频功率源，特别涉及可以 产生多种频率的射频功率源系统及使用该射频功率源系统的等离子体反 应腔室。
技术介绍
现有技术中已经有使用两种射频频率(双频)的等离子体反应腔室。一般来说，双频等离子体反应腔室接收的射频偏置功率(RF bias power)的 频率低于约15MHz,射频源功率(RF source power)的频率较高， 一般在 40-200MHz。射频偏置功率是指用以控制离子能量和能量分布的射频功 率，而射频源功率是指用以控制等离子体中的离子解离(plasma ion dissociation)或等离子体密度(plasmadensity)的射频功率。在某些特定应用 中，人们运用偏置频率为2MHz或13MHz、源频率为27MHz、 60MHz、 1 OOMHz或更高的频率在等离子体反应腔室中进行蚀刻工艺处理。最近有人提出了一种让等离子体反应腔室工作在一个偏置频率和两 个源频率下的方式。例如，有人提出让等离子体蚀刻反应腔室工作在2MHz 偏置频率和27MHz和60MHz两个源频本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频功率源系统，包括：　　　　输出具有Ｎ个频率的Ｎ个射频信号的射频源，其中Ｎ是大于１的整数；　　　　合成该Ｎ个射频信号的射频功率合成器，以输出一个合成的射频信号；　　　　放大该合成的射频信号的宽带放大器，以提供一个经过放大的射频信号；　　　　接收该经过放大的射频信号的射频功率分离器，以提供具有Ｎ个频率的Ｎ个经过放大的射频功率信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金元，尹志尧，钱学煜，倪图强，饭塚浩，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]