一种加热装置及应用该加热装置的等离子体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种加热装置，用于对载板进行加热，该加热装置与载板相对设置，并且，加热装置上与载板相对的表面为曲面，该曲面与载板之间的距离沿上述曲面的中心点到边缘的方向逐渐减小。采用本发明专利技术提供的加热装置对载板进行加热时能够减小载板中心区域和边缘区域之间的温度差，从而可有效提高载板温度的均匀性，进而为提高工艺质量的稳定性提供有力保障。本发明专利技术还提供了一种等离子体加工设备，其采用上述加热装置对工艺腔室中的载板进行加热，因此，本发明专利技术提供的等离子体加工设备同样能够减小载板的温度差，从而提高载板温度的均匀性，进而为提高工艺质量的稳定性提供有力保障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子加工
，具体涉及一种加热装置及应用该加热装置的等尚子体加工设备。
技术介绍
在微电子产品的制造过程中，等离子增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,以下简称PECVD)设备是一种应用非常广泛的加工设备。该设备主要被用于太阳能电池等微电子产品的膜层制备工艺中。具体如下 请参阅图1，为一种目前常用的PECVD等离子体加工设备的工艺腔室的结构框图。如图I所示，在工艺腔室11中设置有用以承载硅片的载板12，在载板12的下方设置有平板式加热器13。其中，该平板式加热器13由均匀排布的铠装加热管构成，其与载板12平行设置。在加热工程中，加热器13主要通过辐射加热的方式对载板12进行加热，由于载板12的各个位置与该加热器13之间的辐射距离相等，从而使载板12不同位置所获得的热量大致相等。但是，由于载板12的边缘区域靠近工艺腔室11的侧壁，受到该腔室侧壁的影响，载板12边缘区域的热量损失速率大于载板12中心区域的热量损失速率，因而使载板12的边缘区域的温度低于中心区域温度，并且使载板12的实际温度分布自其中心区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热装置，用于对载板进行辐射加热，所述加热装置与所述载板相对设置，其特征在于，所述加热装置上与所述载板相对的表面为曲面，所述曲面与所述载板之间的距离沿所述曲面的中心点到边缘的方向逐渐减小。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：南建辉，李永军，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：