【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体基板等固体试样的表面掺杂(添加)杂质的等离子体掺 杂方法及实施该方法的装置。
技术介绍
在固体试样的表面掺杂杂质的技术，例如有U.S专利4912065号揭示的将 杂质离子化以低能量掺杂到固体中的。以下，参照图14说明以往的作为杂质掺杂的方法的。 图14是以往的等离子体掺杂法所采用的等离子体掺杂装置的基本结构。图 14中，在真空容器100内设置了用于放置硅基板等试样109的试样电极106。 在真空容器100的外部设置用于供给含有所要元素的掺杂原料气体，例如B2H6 的供气装置102及将真空容器100内的内部减压的泵103，可以将真空容器100 内部保持在规定的压力。由微波波导管119经作为介质窗的石英板107将微波 辐射到真空容器100内。通过该微波和由电磁铁114形成的直流磁场的相互作 用，在真空容器100内的虚线120所示的区域形成电子回旋加速器共振等离子 体。通过电容器121将高频电源IIO与试样电极106相连接，控制试样电极106 的电位。在这种结构的等离子体掺杂装置中，从供气装置102输入的掺杂原料气体， 例如B2H6，通过微波波导...
【技术保护点】
等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为２个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少１个控制参数发生变化。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：奥村智洋，中山一郎，水野文二，佐佐木雄一朗，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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