本发明专利技术提供一种射频滤波器及半导体加工设备，射频滤波器用于对与静电卡盘相连接的射频功率源向与静电卡盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波，包括电感元件和电容元件，电感元件为磁芯电感。本发明专利技术提供的射频滤波器，其可以在对低频的射频信号滤波同时可以对高频的射频信号滤波，从而可以同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，进而可以提高射频滤波器的适用性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备制造
，具体涉及一种射频滤波器及半导体加工设 备。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，通常采用静电吸盘（Electrostatic化uck，W下简 称ESC)产生静电引力来吸附位于其上的半导体晶片，W实现在作为基片的该半导体晶片表 面上进行沉积、刻蚀等工艺过程。[000引具体地，在ESC内设置有下电极，且该下电极与直流电源DC电连接，直流电源DC用于向下电极提供一定的直流偏压，W使ESC产生静电引力吸附基片；并且，由于在基片的 表面上进行沉积、刻蚀等工艺过程是在等离子体的环境中进行的，因此借助射频功率源RF 通过匹配器10与下电极电连接W激发形成等离子体。然而，由于直流电源DC和射频功率 源RF均与下电极电连接，为了防止射频功率源RF输出的射频信号回流至直流电源DC中对 其造成损坏，如图1所示，通常在直流电源DC的输出端串接射频滤波器11，W对射频功率源 RF回流至直流电源DC的射频信号进行滤波。 目前，射频滤波器11通常采用空气芯电感和电容组成。并且，在实际应用中，射 频功率源RF往往不仅输出高频功率信号，而且还输出低频功率信号，W借助高频功率信号 (例如，40MHz、60MHz)来产生等离子体，借助低频功率信号(例如，20MHz)来控制等离子体入 射至基片表面的能量，因此，该射频滤波器11需要同时对两路或者多路频率相差很大的射 频信号进行滤波，但由于空气芯电感本身的特性，增大空气芯电感的电感值可W对低频的 射频信号滤波，但会使得射频滤波器的自谐振频率降低，自谐振频率降低使得该射频滤波 器不能对高频的射频信号滤波；减小空气芯电感的电感值可W使得射频滤波器的自谐振频 率增大，自谐振频率增大使得该射频滤波器可W对高频的射频信号滤波，但由于减小空气 芯电感的电感值不能对低频的射频信号滤波。 由上可知，采用空气芯电感的射频滤波器不能同时对两路或者多路频率相差很大 的射频信号进行滤波。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种射频滤波器及半导体加 工设备，可W在对低频的射频信号滤波同时可W对高频的射频信号滤波，从而可W同时对 两路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，进而可W提高射频滤波器的适用性。本专利技术提供一种射频滤波器，用于对与静电卡盘相连接的射频功率源向与静电卡 盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波，包括电感元件和电容元件，所述电感元件 为磁芯电感。[000引其中，所述磁芯电感包括磁芯环状电感和磁芯柱状电感。其中，所述电感元件的数量为两个或者多个时，每个所述磁芯电感为磁芯环状电 感。 其中，所述电感元件的数量为一个时，所述磁芯电感为磁芯环状电感或磁芯柱状 电感。 其中，当所述射频功率源输出单一低频的射频信号时，或者，当所述射频功率源输 出两路或者多路频率相差不大的低频信号时，所述电感元件为低频磁芯电感。 其中，当所述射频功率源输出单一高频的射频信号时，或者，当所述射频功率源输 出两路或者多路频率相差不大的高频信号时，所述电感元件为高频磁芯电感。 其中，当所述射频功率源输出两路或者多路频率相差较大的射频信号时，所述电 感元件为高频磁芯电感。 其中，所述直流电源输出一路正偏压、一路负偏压和一路基准电压，所述射频滤波 器的数量为H个，且对应设置在所述直流电源的每路的输出端。 其中，每个所述射频滤波器中的所述电感元件为磁芯环状电感。 本专利技术还提供一种半导体加工设备，包括静电卡盘、射频功率源、直流电源和射频 滤波器，所述静电卡盘分别与所述射频功率源、所述直流电源电连接，所述射频滤波器用于 对所述射频功率源向所述直流电源回流的射频信号进行滤波，所述射频滤波器采用本专利技术 提供的上述射频滤波器。 本专利技术具有下述有益效果： 本专利技术提供的射频滤波器，其电感元件为磁芯电感，用于对与静电卡盘相连接的 射频功率源向与静电卡盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波。由于磁芯电感本身 的特性，使得其与现有技术中的空气芯电感在相同的电感值的情况下，具有磁芯电感的射 频滤波器的自谐振频率增大，因而可W在对低频的射频信号滤波同时可W对高频的射频信 号滤波，从而可W同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，进而可W提高该射 频滤波器的适用性。 本专利技术提供的半导体加工设备，其采用本专利技术提供的射频滤波器，可W同时对两 路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，从而可W提高半导体加工设备的稳定性。【附图说明】 图1为具有射频滤波器的ESC的连接示意图； 图2为本专利技术实施例提供的射频滤波器的一种滤波电路的电路图； 图3为图2所示的滤波电路中的电感元件的结构示意图； 图4为具有本专利技术实施例提供的射频滤波器的ESC的连接示意图拟及图5为采用本实施例提供的射频滤波器对射频信号衰减的曲线图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提 供的射频滤波器及半导体加工设备进行详细描述。 图2为本专利技术实施例提供的射频滤波器的一种滤波电路的电路图。图3为图2所 示的滤波电路中的电感元件的结构示意图。图4为具有本专利技术实施例提供的射频滤波器的 ESC的连接示意图。请一并参阅图2、图3和图4,本专利技术实施例提供的射频滤波器30,用于 将对与静电卡盘ESC相连接的射频功率源RF向与静电卡盘ESC相连接的直流电源DC回流 的射频信号进行滤波，包括电感元件L1和L2,还包括电容元件C1、C2和C3,每个电容元件 采用ATC电容；滤波电路的一端P连接与静电卡盘ESC相连接的射频功率源RF，另一端Q 与静电卡盘ESC相连接的直流电源DC;电感元件L1和L2为磁芯电感20,磁芯电感20包括 磁芯21和电感线圈22,磁芯电感20不仅包括磁芯环状电感和磁芯柱状电感，而且还包括 其他结构的磁芯电感20,其中，磁芯环状电感如图3所示，磁芯环状电感的磁芯21为闭合 的环状结构，电感线圈22环绕该环状磁芯21且沿该环状磁芯21的周向缠绕；另外，磁芯柱 状电感的磁芯21为柱形结构，电感线圈22环绕设置在该磁芯21当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种射频滤波器，用于对与静电卡盘相连接的射频功率源向与静电卡盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波，包括电感元件和电容元件，其特征在于，所述电感元件为磁芯电感。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张超，陈鹏，师帅涛，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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