本实用新型涉及一种用于在1-1000MHz范围内的频率下以大于500W的功率对等离子体处理、特别是等离子体加工处理或气体激光器进行功率供给的方法，在使用至少一个具有氮化镓(GaN)的半导体开关元件(13-16)、特别是晶体管的情况下产生...

在用于气体放电室（7）中点燃馈送有交流电的等离子体的点燃电路（20）中具有两条线路段（21、22），用于连接到交流电源（2）；以及至少一条线路段（23），用于连接到气体放电室（7）的外壳地，非线性元件（12）与能量存储器（11）的至少一...

在用于熄灭气体放电室（5）中的电弧的方法中，电力被供应至气体放电室（5），在所述气体放电室（5）中利用第一方向上的电流和相反的第二方向上的电流产生气体放电，当识别出电弧时，中断供应到所述气体放电室（5）的电力，并且将在所述气体放电室（5...

本实用新型涉及一种用于等离子体供给装置(10，40，60)的模块(11，12，61-76)，所述等离子体供给装置用于在1-1000MHz范围的频率下以大于500W的功率为等离子体加工装置或者气体激光器供给等离子体，所述模块具有模块衬底(...

HF功率耦合器，用于耦合至少两个分别具有大于3kW的功率和在3与30MHz之间的相同频率以及可调节的彼此相位关系的高频功率信号，所述HF功率耦合器具有至少一个第一和第二电导体(110，111)，它们彼此间隔开并且电容式地和电感式地彼此耦...

用于向等离子体负载供应功率的等离子体供应装置，所述等离子体供应装置具有正交耦合器，所述正交耦合器具有至少一个电容和至少一个电感并且适合用于将相对于彼此相移90°的相同频率的两个HF功率信号耦合到一起，分别在所述正交耦合器的第一有用信号连...

一种用于在脉冲功率输出操作中对等离子装置、感应加热装置或激光激发装置进行操作的方法，在功率输出时间段ΔT1内产生第一功率POUT1.1，并且将第一功率POUT1.1在功率发生器的功率输出端释放以用于将功率供应给等离子过程、感应加热过程或...

本发明涉及一种用于等离子体应用和/或感应加热应用的功率供给系统(100，200)，其具有：a.至少两个不同类型的可控制的功率发生器(10，30)，其分别分配有一个标识(13，33)，b.用于控制所述功率发生器(10，30)中的至少一个的...

本发明涉及一种具有多个功率供给单元(16-18)的等离子功率供给装置(10)，这些功率供给单元(16-18)分别包括：a)交变信号产生器(30，31)；b)调制器(40，41)，所述调制器以至少一个调制信号(52，57，60，63，66...

本发明涉及一种具有DC供电装置和与所述DC供电装置连接的开关电桥(12)的HF功率放大器装置(11)，所述开关电桥(12)包含两个至少间接地串联的开关元件(S1，S2)并且所述开关电桥的中点(M)形成开关电桥输出端，其中，第一开关元件(...

本实用新型涉及一种等离子体处理系统（１），它具有一个向一等离子体腔（９）输送ＨＦ功率的ＨＦ功率发生器（１１），及一个包括一个电极（８）、一个ＤＣ电压源（２）及一个设置在电极与ＤＣ电压源（２）之间的电连接中的滤波装置（７）的、静电的试样保...

本发明涉及一种用于控制和／或调节一个高频等离子体源装置（１、２１）的输出功率的方法，包括：ａ．分别通过一个高频发生器（６、７、２４－２６）产生至少一个第一和一个第二高频功率信号；ｂ．根据高频功率信号的相位和／或电平，将至少两个高频功率信...