【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对半导体元件、搭载半导体芯片的基板、布线基板、 平板型显示装置基板等电子装置的基板或被处理物实施等离子处理的方 法及其处理装置、利用该等离子处理制造电子装置的制造方法。
技术介绍
以往，在利用等离子对硅半导体等被处理物表面进行氧化、氮化、氧 氮化，或在被处理物表面上形成氧化膜、氮化膜、氧氮化膜、聚硅膜、有机EL膜等，或蚀刻被处理表面之际的等离子处理中，利用单一的稀有气 体产生等离子。作为稀有气体，为了减小对被处理物的等离子损伤，从而 采用与电子的碰撞截面积大、等离子的电子温度低的氪(Kr)气和氙(Xe) 气(例如，参照专利文献1)。专利文献1中揭示了采用Kr作为等离子激励气体以形成氧化膜及氮 化膜的装置。该装置采用的构成是在作为处理室的真空容器上部从外侧依 次设有同轴导波管、径向线路隙缝天线、微波导入窗，在真空容器内部设 有簇射板，在其下部配置用来放置被处理物的带加热机构的工作台。作为 等离子处理方法，是将真空容器内排气成真空，从簇射板导入Ar气，接 下来从Ar气切换成Kr气，使压力为133Pa。接下来，将实施了稀氟酸清 洗的硅基板(被处理物)...
【技术保护点】
一种等离子处理方法，利用稀有气体产生等离子并利用该等离子进行被处理物的处理，所述等离子处理方法的特征在于， 作为所述稀有气体采用２种以上的不同的稀有气体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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