非易失性存储器器件以及操作该非易失存储器器件的相应方法技术

本公开的实施例涉及非易失性存储器器件以及操作该非易失存储器器件的相应方法。在一个实施例中，非易失性存储器器件包括具有多个存储器单元的存储阵列、操作地耦合到存储阵列的控制单元、由控制单元控制并被配置为对存储器单元应用偏置配置以执行存储器操作的偏置级，以及耦合到存储器阵列并由控制单元可控的读取级，读取级被配置为基于验证电平来验证存储器操作是否成功，其中控制单元被配置为根据存储器单元的老化自适应地修改验证电平的值。存储器单元的老化自适应地修改验证电平的值。存储器单元的老化自适应地修改验证电平的值。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器器件以及操作该非易失存储器器件的相应方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月22日提交的意大利申请No.102021000024374的权益，干申请的全部内容通过引用并入于此。


[0003]本解决方案涉及一种具有改进的单元循环的非易失性存储器器件，以及用于操作非易失存储器器件的相应方法。

技术介绍

[0004]以下描述将参考要通过Fowler
‑
Nordheim(FN)隧穿效应擦除的非易失性存储器器件，例如闪存、页闪存或e
‑
STM(嵌入式选择沟槽存储器)类型的存储器器件，而不意味着任何通用性损失。
[0005]如已知的，如图1示意性所示，非易失性存储器器件(例如闪存型)的浮栅型存储器单元1通常包括：体区2，例如具有p型掺杂，设置在半导体材料(例如硅)的衬底3中；源区4和漏区5，例如具有n型掺杂，设置在体区2的表面部分内；浮栅区6，布置在体区2上方，并通过隧道氧化物区7与相同体区2分离；以及控制栅极区8，其布置在浮置栅极区6上方并且通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器器件，包括：存储器阵列，具有多个存储器单元；控制单元，操作地耦合到所述存储器阵列；偏置级，能够由所述控制单元控制，并且所述偏置级被配置为向所述存储器单元施加偏置配置以执行存储器操作；以及读取级，耦合到所述存储器阵列并且能够由所述控制单元控制，所述读取级被配置为基于验证电平来验证所述存储器操作是否已经成功，其中所述控制单元被配置为基于所述存储器单元的老化来自适应修改所述验证电平的值。2.根据权利要求1所述的器件，其中所述控制单元被配置为使用自适应修改的验证电平来控制所述存储器操作是否已经成功。3.根据权利要求1所述的器件，其中所述控制单元被配置为基于指示所述存储器单元的所述老化的老化信息来自适应修改所述验证电平的值。4.根据权利要求3所述的器件，其中所述控制单元被配置为从所述存储器器件的配置存储器中检索指示所述存储器器件的所述老化的老化信息。5.根据权利要求4所述的器件，其中所述控制单元被配置为使用查找表来确定所述验证电平的所述自适应修改值，并且其中所述验证电平的值与用于所述老化信息的相应值相关联地存储。6.根据权利要求5所述的器件，其中所述老化信息与由所述偏置级提供的所述偏置配置相关联，所述偏置配置已经允许成功地执行一个或多个先前存储器操作。7.根据权利要求4所述的器件，其中所述控制单元被配置为使函数来确定所述验证电平的自适应修改值，以基于所述老化信息计算所述验证电平。8.根据权利要求7所述的器件，其中所述老化信息与由所述偏置级提供的所述偏置配置相关联，所述偏置配置已经允许成功地执行一个或多个先前存储器操作。9.根据权利要求1所述的器件，其中所述存储器单元为浮栅型，每个存储器单元都包括体区和控制栅区，其中所述存储器操作包括所述存储器单元的擦除操作，并且所述偏置配置包括能够应用于所述存储器单元的所述控制栅区和所述体区之间的电压。10.根据权利要求1所述的器件，其中所述控制单元被配置为：通过应用第一偏置配置，来控制所述偏置级在存储器单元组上执行所述存储器操作的第一成功运行；储存与所述第一偏置配置相关联的信息；以及通过应用根据与所述第一偏置配置相关联的所存储的信...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：