存储器及其操作方法以及存储器系统技术方案

本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法，所述操作方法包括：基于编程温度与基准温度之间存在的温差，以及所述存储器中选择的存储单元的目标编程态所属的分组，对所述选择的存储单元对应的基准验证电压进行温度补偿，得到补偿后的验证电压；其中，不同分组对应的验证电压的温度补偿的量不同；对所述选择的存储单元耦合的字线施加所述补偿后的验证电压，以对所述选择的存储单元进行编程验证操作。以对所述选择的存储单元进行编程验证操作。以对所述选择的存储单元进行编程验证操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其操作方法以及存储器系统


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种存储器及其操作方法以及存储器系统。

技术介绍

[0002]三维NAND存储结构由于其较高的存储密度，成熟的制备工艺，已经成为商业化应用的主流存储器之一。随着应用领域的扩大，三维NAND存储器在不同温度下的可靠性成为产品的重要验证参数。
[0003]在对存储器的各存储单元进行编程后，各存储单元的阈值电压改变，从而实现信息存储。在存储器的使用过程中，可能会面临低温编程、高温读取；高温编程、低温读取等情况。然而，电子在存储层中的隧穿性能对温度较为敏感，这将导致存储单元在不同温度下的阈值电压存在偏移。编程温度与读取温度的不同，会导致编程不同阶段确定的阈值电压、读取阶段判定的存储状态出现偏差，进而导致存储器的读取窗口减小，最终导致数据读取错误，降低存储器的稳定性。

技术实现思路

[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器，包括：
[0005]存储阵列，包括多个存储单元，以及耦合所述存储单元的字线；
[0006]外围电路，与所述存储阵列耦接；编程温度与基准温度之间存在温差；所述存储器中选择的存储单元的目标编程态存在分组；其中，所述外围电路被配置为：基于所述分组以及所述温差，对所述选择的存储单元对应的基准验证电压进行温度补偿，得到补偿后的验证电压；其中，不同分组对应的验证电压的温度补偿的量不同；所述基准验证电压为在所述基准温度下，使所述选择的存储单元满足所述目标编程态的验证电压；对所述选择的存储单元耦合的字线施加所述补偿后的验证电压，以对所述选择的存储单元进行编程验证操作。
[0007]根据本公开实施例的第二方面，提供一种存储器系统，包括：
[0008]上述实施例中的存储器，以及存储器控制器，被配置为与所述存储器耦接并控制所述存储器。
[0009]根据本公开实施例的第三方面，提供一种存储器的操作方法，包括：
[0010]基于编程温度与基准温度之间存在的温差，以及所述存储器中选择的存储单元的目标编程态所属的分组，对所述选择的存储单元对应的基准验证电压进行温度补偿，得到补偿后的验证电压；其中，不同分组对应的验证电压的温度补偿的量不同；
[0011]对所述选择的存储单元耦合的字线施加所述补偿后的验证电压，以对所述选择的存储单元进行编程验证操作。
[0012]本公开实施例，选择的存储单元的目标编程态存在分组，基于分组以及编程温度与基准温度的之间的温差，对不同分组对应的基准验证电压进行温度补偿，不同分组对应
的补偿量不同，得到不同的验证电压，对选择的存储单元耦合的字线施加补偿后的验证电压，以对所述选择的存储单元进行编程验证操作，以此改善选择的存储单元在不同温度下由于阈值电压偏移产生的编程操作、读取操作的标准不同而导致的读取失败比特率计数增加的情况，如此，一方面可以提高读取成功率；另一方面，可以减少重读的次数，提高读取操作的效率，最终提高存储器的稳定性。
附图说明
[0013]图1是根据本公开实施例示出的一种具有存储器的示例性系统的块图；
[0014]图2a是根据本公开实施例示出的一种具有存储器的示例性存储器卡的示意图；
[0015]图2b是根据本公开实施例示出的一种具有存储器的示例性固态驱动器(SSD)的示意图；
[0016]图3是根据本公开实施例示出的一种包括外围电路的示例性存储器的示意图；
[0017]图4是根据本公开实施例示出的一种示例性NAND存储串的示意图；
[0018]图5是根据本公开实施例示出的一种包括存储阵列和外围电路的示例性存储器的示意图；
[0019]图6是根据本公开实施例示出的一种存储单元示例性编程方法的示意图；
[0020]图7是根据本公开实施例示出的一种存储单元在不同温度下编程后的阈值电压分布示意图；
[0021]图8是根据本公开实施例示出的一种存储单元在不同温度下编程后的阈值电压以及读取电压的分布示意图；
[0022]图9是根据本公开实施例示出的一种存储单元的两个目标编程态在不同温度下阈值电压的分布示意图；
[0023]图10是根据本公开实施例示出的一种存储单元编程过程中编程电压和验证电压的示意图；
[0024]图11a是根据本公开实施例示出的一种存储单元在低温和高温编程时的阈值电压的分布示意图；
[0025]图11b是根据本公开实施例示出的一种存储单元在高温编程、低温读取时的阈值电压的分布示意图；
[0026]图12是根据本公开实施例示出的一种存储器的操作方法的流程示意图。
具体实施例
[0027]以下结合说明书附图及具体实施例对本公开的技术方案做进一步的详细阐述。
[0028]在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。
[0029]在本公开实施例中，术语“A与B接触”包含A与B直接接触的情形，或者A、B两者之间还间插有其它部件而A间接地与B接触的情形。
[0030]在本公开实施例中，术语“层”是指包括具有厚度的区域的材料部分。层可以在下方或上方结构的整体之上延伸，或者可以具有小于下方或上方结构范围的范围。此外，层可以是厚度小于连续结构厚度的均质或非均质连续结构的区域。例如，层可位于连续结构的
顶表面和底表面之间，或者层可在连续结构顶表面和底表面处的任何水平面对之间。层可以水平、垂直和/或沿倾斜表面延伸。并且，层可以包括多个子层。
[0031]可以理解的是，本公开中的“在
……
上”、“在
……
之上”和“在
……
上方”的含义应当以最宽方式被解读，以使得“在
……
上”不仅表示其“在”某物“上”且其间没有居间特征或层(即直接在某物上)的含义，而且还包括“在”某物“上”且其间有居间特征或层的含义。
[0032]需要说明的是，虽然本说明书按照实施例加以描述，但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其它实施例。
[0033]图1示出了本公开实施例的一些方面的具有存储器的示例性系统100的块图。系统100可以是移动电话、台式计算机、膝上型计算机、平板计算机、车辆计算机、游戏控制台、打印机、定位设备、可穿戴电子设备、智能传感器、虚拟现实(VR)设备、增强现实(AR)设备或者其中具有储存器的任何其他合适的电子设备。如图1中所示，系统100可以包括主机108和存储器系统102，存储器系统102具有一个或多个存储器104和存储器控制器106。主机108可以是电子设备的处理器(例如，中央处理单元(CPU))或者片上系统(SoC)(例如，应用处理器(AP))。主机108可以被配置为将数据发送到存储器104或从存储器1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个存储单元，以及耦合所述存储单元的字线；外围电路，与所述存储阵列耦接；编程温度与基准温度之间存在温差；所述存储器中选择的存储单元的目标编程态存在分组；其中，所述外围电路被配置为：基于所述分组以及所述温差，对所述选择的存储单元对应的基准验证电压进行温度补偿，得到补偿后的验证电压；其中，不同分组对应的验证电压的温度补偿的量不同；对所述选择的存储单元耦合的字线施加所述补偿后的验证电压，以对所述选择的存储单元进行编程验证操作。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：获取所述存储器的所述编程温度，根据所述编程温度与所述基准温度确定所述温差。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：确定所述存储器中选择的存储单元的目标编程态所属的所述分组。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外围电路还被配置为：基于所述分组以及所述温差，对所述选择的存储单元对应的基准编程电压进行温度补偿，得到补偿后的所述编程电压；其中，不同分组对应的编程电压的温度补偿的量不同；所述基准编程电压为在所述基准温度下，使所述选择的存储单元满足所述目标编程态的编程电压；对所述选择的存储单元耦合的字线施加所述补偿后的编程电压，以对所述选择的存储单元进行编程操作。5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述编程验证电压是一系列编程验证电压中的一个编程验证电压，并且所述编程电压是一系列编程电压中的一个编程电压。6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述温度补偿的量与所述温差之间存在线性关系，不同分组对应的线性关系的线性参数不同。7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述选择的存储单元的存储位数包括m位，所述选择的存储单元的所述目标编程态为2
m
‑
1个，m为大于或等于1的正整数；所述目标编程态的分组包括第一分组和第二分组；所述第一分组中包含的目标编程态和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李逸帆，陈尧，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：