本发明专利技术实施例提供一种确定闪存质量的方法及装置，包括：对N个第一待检测闪存进行质量检测的第一前置条件设置；其中，任意两个第一待检测闪存的第一前置条件均不同；第一前置条件用于表征在不同温度下进行了不同的编程/擦除PE次数；N个第一待检测闪存为同一系列不同批次生产的；针对任一第一待检测闪存，在每个预设操作条件下对第一待检测闪存的M个存储区block分别进行读写操作，确定M个block在读写操作后的第一比特翻转矩阵；预设操作条件为读写的温度条件；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定该系列的各闪存的质量状况。列的各闪存的质量状况。列的各闪存的质量状况。
【技术实现步骤摘要】
一种确定闪存质量的方法及装置
[0001]本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种确定闪存质量的方法及装置。
技术介绍
[0002]随着科技的不断发展，人们对便携的存储设备的需求也越来越大，其中闪存作为一种非易失性存储器，被广泛的应用在各个领域中。但是，由于闪存颗粒的质量是参差不齐的，从而会导致闪存颗粒在使用过程中容易出现问题。
[0003]目前，可以通过页错误计数、编程时间和PE次数来预测闪存颗粒是否耐用，但是由于无法预测的闪存颗粒不耐用的原因，因此，会导致后续无法根据闪存颗粒不耐用的原因来提高闪存的性能。
[0004]综上，如何预测闪存颗粒不耐用的原因，是当前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供的一种确定闪存质量的方法及装置，用以解决现有技术中无法预测闪存颗粒不耐用的原因的问题。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供一种确定闪存质量的方法，包括：对N个第一待检测闪存进行质量检测的第一前置条件设置；其中，任意两个第一待检测闪存的第一前置条件均不同；所述第一前置条件用于表征在不同温度下进行了不同的编程/擦除PE次数；所述N个第一待检测闪存为同一系列的；针对任一第一待检测闪存，在每个预设操作条件下对所述第一待检测闪存的M个存储区block分别进行读写操作，确定M个block在读写操作后的第一比特翻转矩阵；预设操作条件为读写的温度条件；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况。
[0007]本专利技术实施例中，通过将同一系列的N个第一待检测闪存在不同温度下进行不同的PE次数，以及在不同温度下进行读写操作，从而可以获取不同条件下的第一比特翻转矩阵，进而可以根据第一比特翻转矩阵，较准确的确定该系列的各闪存的质量状况。
[0008]可选的，所述根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况，包括：针对每个第一待检测闪存，根据所述第一待检测闪存的M个第一比特翻转矩阵确定出所述第一待检测闪存在每个预设操作条件下的目标翻转特征；预设操作条件为读写的温度条件；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的目标翻转特征，确定所述系列的各闪存的质量状况。
[0009]可选的，对第二待检测闪存进行质量检测的第二前置条件设置；其中，每个第二待检测闪存是在同一温度条件下累积进行不同的PE次数；
[0010]在任一PE次数下，对所述第二待检测闪存在所述同一温度下分别对K个block进行读写操作，确定K个block在读写操作后的第二比特翻转矩阵；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况，包括：根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵和第二待检测闪存的各第
二比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况。
[0011]可选的，所述根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵和第二待检测闪存的各第二比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况，包括：将具有相同前置条件且相同读写的温度条件的各第一比特翻转矩阵和各第二比特翻转矩阵作为同一类型的比特翻转矩阵；从每一类型的比特翻转矩阵中确定出每一类型的目标翻转特征；根据各类型的目标翻转特征，确定所述系列的各闪存的质量状况。
[0012]可选的，所述从每一类型的比特翻转矩阵中确定出每一类型的目标翻转特征，包括：从同一类型的比特翻转矩阵中采用互信息筛选出预处理翻转特征，所述预处理翻转特征用于表征该类型待检测闪存的质量；若任意两个预处理翻转特征之间的相似度大于相似阈值，则重新从同一类型的比特翻转矩阵中筛选出预处理翻转特征，直至任意两个预处理翻转特征之间的相似度小于所述相似阈值后得到各类型的目标翻转特征。
[0013]可选的，所述系列的各闪存的质量状况包括以下至少一项：在指定PE次数条件下的待检测闪存的读干扰指数；在指定PE次数条件下的待检测闪存的写干扰指数；在指定PE次数条件下的待检测闪存的数据保存能力指数；在指定PE次数条件下的待检测闪存的耐用能力指数；在指定PE次数条件下的待检测闪存的比特翻转不一致指数。
[0014]可选的，所述得到各类型的目标翻转特征，包括：读取所述各类型的预处理翻转特征对应的电压信息；根据所述各类型的预处理翻转特征和所述各类型的预处理翻转特征对应的电压信息，确定所述各类型的目标翻转特征。
[0015]第二方面，本专利技术实施例提供一种确定闪存质量的装置，包括：获取单元，用于对N个第一待检测闪存进行质量检测的第一前置条件设置；其中，任意两个第一待检测闪存的第一前置条件均不同；所述第一前置条件用于表征在不同温度下进行了不同的编程/擦除PE次数；所述N个第一待检测闪存为同一系列生产的；处理单元，用于针对任一第一待检测闪存，在每个预设操作条件下对所述第一待检测闪存的M个存储区block分别进行读写操作，确定M个block在读写操作后的第一比特翻转矩阵；预设操作条件为读写的温度条件；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况。
[0016]可选的，处理单元具体用于：针对每个第一待检测闪存，根据所述第一待检测闪存的M个第一比特翻转矩阵确定出所述第一待检测闪存在每个预设操作条件下的目标翻转特征；预设操作条件为读写的温度条件；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的目标翻转特征，确定所述系列的各闪存的质量状况。
[0017]可选的，获取单元还用于：还包括：对第二待检测闪存进行质量检测的第二前置条件设置；其中，每个第二待检测闪存是在同一温度条件下累积进行不同的PE次数；在任一PE次数下，对所述第二待检测闪存在所述同一温度下分别对K个block进行读写操作，确定K个block在读写操作后的第二比特翻转矩阵；
[0018]处理单元具体用于：根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵和第二待检测闪存的各第二比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况。
[0019]可选的，处理单元具体用于：将具有相同前置条件且相同读写的温度条件的各第一比特翻转矩阵和各第二比特翻转矩阵作为同一类型的比特翻转矩阵；从每一类型的比特翻转矩阵中确定出每一类型的目标翻转特征；根据各类型的目标翻转特征，确定所述系列
的各闪存的质量状况。
[0020]可选的，处理单元具体用于：从同一类型的比特翻转矩阵中采用互信息筛选出预处理翻转特征，所述预处理翻转特征用于表征该类型待检测闪存的质量；若任意两个预处理翻转特征之间的相似度大于相似阈值，则重新从同一类型的比特翻转矩阵中筛选出预处理翻转特征，直至任意两个预处理翻转特征之间的相似度小于所述相似阈值后得到各类型的目标翻转特征。
[0021]可选的，处理单元具体用于：在指定PE次数条件下的待检测闪存的读干扰指数；在指定PE次数条件下的待检测闪存的写干扰指数；在指定PE次数条件下的待检测闪存的数据保存本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种确定闪存质量的方法，其特征在于，包括：对N个第一待检测闪存进行质量检测的第一前置条件设置；其中，任意两个第一待检测闪存的第一前置条件均不同；所述第一前置条件用于表征在不同温度下进行了不同的编程/擦除PE次数；所述N个第一待检测闪存为同一系列不同批次；针对任一第一待检测闪存，在每个预设操作条件下对所述第一待检测闪存的M个存储区block分别进行读写操作，确定M个block在读写操作后的第一比特翻转矩阵；预设操作条件为读写的温度条件；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况，包括：针对每个第一待检测闪存，根据所述第一待检测闪存的M个第一比特翻转矩阵确定出所述第一待检测闪存在每个预设操作条件下的目标翻转特征；预设操作条件为读写的温度条件；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的目标翻转特征，确定所述系列的各闪存的质量状况。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对第二待检测闪存进行质量检测的第二前置条件设置；其中，每个第二待检测闪存是在同一温度条件下累积进行不同的PE次数；在任一PE次数下，对所述第二待检测闪存在所述同一温度下分别对K个block进行读写操作，确定K个block在读写操作后的第二比特翻转矩阵；根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况，包括：根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵和第二待检测闪存的各第二比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据N个第一待检测闪存在各预设操作条件下的各第一比特翻转矩阵和第二待检测闪存的各第二比特翻转矩阵，确定所述系列的各闪存的质量状况，包括：将具有相同前置条件且相同读写的温度条件的各第一比特翻转矩阵和各第二比特翻转矩阵作为同一类型的比特翻转矩阵；从每一类型的比特翻转矩阵中确定出每一类型的目标翻转特征；根据各类型的目标翻转特征，确定所述系列的各闪存的质量状况。5.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：金敏敏，
申请(专利权)人：浙江华忆芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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