存储器件及其编程方法技术

一种编程方法，包括：将第一电压施加到多条位线，将第二电压施加到公共源极线(CSL)，以及通过将编程电压和验证电压施加到多条接地选择线(GSL)中的每一条来执行编程循环，该多条接地选择线位于多条位线中的一条位线和CSL之间。对通过施加编程电压而完成编程的编程完成单元和编程目标单元两者执行编程循环。成单元和编程目标单元两者执行编程循环。成单元和编程目标单元两者执行编程循环。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其编程方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月27日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0127543的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的实施例涉及存储器件和编程方法，更具体地，涉及用于连接到接地选择线的单元的编程方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器件(例如NAND闪存)包括多个存储器单元。存储器单元可以根据阈值电压的分布来存储具有1或0值的数据。
[0005]例如，在编程过程中，可以将低电压(例如，接地电压)施加于连接到编程单元的位线，并且可以将高电压(例如，电源电压)施加于连接到编程禁止单元的位线。
[0006]可以将编程电压施加于连接到编程单元的所选字线，并且可以将通过电压施加于未选字线。结果是，编程单元可以具有与数据值0相对应的阈值电压，并且编程禁止单元可以具有擦除状态，即，与数据值1相对应的阈值电压。

技术实现思路

[0007]本公开的实施例提供了用于对连接到接地选择线的单元进行编程的存储器件及该存储器件的编程方法。
[0008]根据本公开的一个方面，提供了一种编程方法，包括：将第一电压施加到多条位线，并且将第二电压施加到公共源极线(CSL)；以及通过将编程电压和验证电压施加到多条接地选择线(GSL)中的每条来执行编程循环，该多条接地选择线位于多条位线中的一条位线和CSL之间，其中，编程循环被配置为对通过施加编程电压而完成编程的编程完成单元和编程目标单元两者执行。
[0009]根据本公开的一个方面，提供了一种编程方法，包括：将第一电压施加到多条位线，并且将第二电压施加到CSL；以及将编程电压施加到位于多条位线中的一条位线和CSL之间的多条GSL中的每条，并且省略验证操作。
[0010]根据本公开的一个方面，提供了一种存储器件，包括：多条位线，连接到多个单元串的第一端；CSL，连接到多个单元串的第二端；以及存储器单元阵列，包括连接在多条位线和CSL之间的多个GSL单元；以及控制逻辑，被配置为：将第一电压施加到多条位线，将第二电压施加到CSL，并且将编程电压和验证电压施加到多个GSL单元，以在不利用施加验证电压的验证结果的情况下使多个GSL单元的阈值电压电平达到参考电平。
附图说明
[0011]通过参考附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其他特征将变得更显而
易见，在附图中：
[0012]图1是示出了根据本公开的示例实施例的存储器件的框图；
[0013]图2是示出了根据本公开的示例实施例的存储器单元阵列的电路图；
[0014]图3是示出了根据本公开的示例实施例的接地选择线(GSL)单元的电路图；
[0015]图4是示出了根据本公开的示例实施例的对GSL单元进行编程的方法的时序图；
[0016]图5是示出了根据比较例的对GSL单元进行编程的方法的示例图；
[0017]图6是示出了根据本公开的示例实施例的对GSL单元进行编程的方法的流程图；
[0018]图7是示出了根据本公开的示例实施例的对GSL单元进行编程的方法的时序图；
[0019]图8是示出了根据本公开的示例实施例的对GSL单元进行编程的方法的流程图；
[0020]图9是示出了根据本公开的示例实施例的对GSL单元进行编程的方法的流程图；
[0021]图10是示出了根据本公开的示例实施例的对GSL单元进行编程的方法的流程图；
[0022]图11是示出了根据本公开的示例实施例的GSL单元的电路图；
[0023]图12A和图12B是示出了根据本公开的示例实施例的对GSL单元进行编程的方法的流程图；以及
[0024]图13是示出了根据本公开的示例实施例的固态驱动器(SSD)系统的框图。
具体实施方式
[0025]在下文中将参考附图更全面地描述本公开的实施例。在整个附图中，相似的附图标记可以指代相似的元件。
[0026]图1是示出了根据本公开的示例实施例的存储器件的框图。
[0027]参考图1，存储器件10可以包括电压发生器110、行解码器120、存储器单元阵列130、控制逻辑电路140和页缓冲器150。在示例实施例中，存储器件10还可以包括存储器接口电路，并且还可以包括列逻辑、预解码器、温度传感器、命令解码器、地址解码器等。
[0028]电压发生器110可以基于电压控制信号CTRL_vol来产生用于执行例如编程、读取和擦除操作之类的操作的各种类型的电压。例如，电压发生器110可以产生编程电压、读取电压、编程验证电压、擦除电压等作为字线电压VWL。此外，可以向多条串选择线SSL、多条字线WL、多条接地选择线GSL和公共源极线CSL提供字线电压。
[0029]行解码器120可以响应于行地址X
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ADDR来选择多条字线WL中的一条，并且可以选择多条串选择线SSL中的一条。例如，行解码器120可以在编程操作期间将编程电压和编程验证电压施加到所选字线WL，并且可以在读取操作期间将读取电压施加到所选字线WL。
[0030]行解码器120可以包括选择多条串选择线SSL、多条字线WL和多条接地选择线GSL中的任何一条的驱动电路。例如，串选择线驱动器、字线驱动器、接地选择线驱动器和公共源极线驱动器可以分别连接到串选择线SSL、字线WL、接地选择线GSL和公共源极线CSL，并且可以向串选择线SSL、字线WL、接地选择线GSL和公共源极线CSL中的每个提供电压。
[0031]存储器单元阵列130可以包括多个存储器块BLK1到BLKn(n是正整数)，并且多个存储器块BLK1到BLKn中的每一个可以包括多个存储器单元。存储器单元阵列130可以通过多条位线BL连接到页缓冲器150，并且可以通过字线WL、串选择线SSL和接地选择线GSL连接到行解码器120。
[0032]在示例实施例中，存储器单元阵列130可以包括3D存储器单元阵列，并且3D存储器
单元阵列可以包括多个NAND串。每个NAND串可以包括分别连接到竖直堆叠在衬底上的字线WL的存储器单元。美国专利公开No.7,679,133、美国专利公开No.8,553,466、美国专利公开No.8,654,587、美国专利申请公开No.8,559,235和美国专利申请公开No.2011/0233648通过引用整体并入本文。在示例实施例中，存储器单元阵列130可以包括3D存储器单元阵列，并且3D存储器单元阵列可以包括多个NAND串。
[0033]存储器单元阵列130可以包括连接到字线WL的存储器单元、连接到串选择线SSL的单元晶体管、以及连接到接地选择线GSL的单元晶体管。为了便于描述，在本说明书中，将连接到串选择线的单元晶体管称为SSL单元，并且将连接到接地选择线的单元晶体管称为GSL单元。
[0034]类似于存储器单元，SS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种编程方法，包括：将第一电压施加到多条位线；将第二电压施加到公共源极线CSL；以及通过将编程电压和验证电压施加到多条接地选择线GSL中的每条接地选择线来执行编程循环，所述多条接地选择线GSL位于所述多条位线中的一条位线和所述CSL之间，其中，对通过施加所述编程电压而完成编程的编程完成单元和编程目标单元两者执行所述编程循环。2.根据权利要求1所述的编程方法，其中，所述第一电压和所述第二电压各自包括接地电压。3.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：确定分别连接到所述GSL的GSL单元是否通过；以及当所述GSL单元中存在至少一个失败单元时增加所述编程电压，并且基于增加的编程电压对所述多条GSL重复执行所述编程循环。4.根据权利要求3所述的编程方法，其中，重复执行所述编程循环包括：将所述第一电压施加于连接到所述GSL单元中的通过单元的禁止位线和连接到所述至少一个失败单元的编程位线。5.根据权利要求4所述的编程方法，其中，所述第一电压包括接地电压。6.根据权利要求4所述的编程方法，其中，所述第二电压包括接地电压。7.根据权利要求3所述的编程方法，其中，重复执行所述编程循环包括：针对连接到所述多条位线的第一单元串和第二单元串，分别将所述验证电压施加到所述第一单元串的第一GSL和所述第二单元串的第二GSL。8.根据权利要求7所述的编程方法，其中，重复执行所述编程循环包括：将所述增加的编程电压同时施加到所述第一GSL和所述第二GSL。9.根据权利要求3所述的编程方法，还包括：基于重复执行所述编程循环的结果，确定所述GSL单元中的第一通过单元和第一失败单元；将第三电压施加于连接到所述第一通过单元的禁止位线；将所述第一电压施加于连接到所述第一失败单元的编程位线；将第四电压施加到所述CSL；以及对所述第一失败单元执行所述编程循环。10.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第一电压和所述第二电压各自包括接地电压。11.根据权利要求10所述的编程方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李汉埈，金炳秀，南尚完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：