存储器件及其编程方法技术

一种编程方法，包括：将第一电压施加到多条位线，将第二电压施加到公共源极线(CSL)，以及通过将编程电压和验证电压施加到多条接地选择线(GSL)中的每一条来执行编程循环，该多条接地选择线位于多条位线中的一条位线和CSL之间。对通过施加编程电压而完成编程的编程完成单元和编程目标单元两者执行编程循环。成单元和编程目标单元两者执行编程循环。成单元和编程目标单元两者执行编程循环。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其编程方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月27日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0127543的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的实施例涉及存储器件和编程方法，更具体地，涉及用于连接到接地选择线的单元的编程方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器件(例如NAND闪存)包括多个存储器单元。存储器单元可以根据阈值电压的分布来存储具有1或0值的数据。
[0005]例如，在编程过程中，可以将低电压(例如，接地电压)施加于连接到编程单元的位线，并且可以将高电压(例如，电源电压)施加于连接到编程禁止单元的位线。
[0006]可以将编程电压施加于连接到编程单元的所选字线，并且可以将通过电压施加于未选字线。结果是，编程单元可以具有与数据值0相对应的阈值电压，并且编程禁止单元可以具有擦除状态，即，与数据值1相对应的阈值电压。

技术实现思路

[0007]本公开的实施例提供了用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种编程方法，包括：将第一电压施加到多条位线；将第二电压施加到公共源极线CSL；以及通过将编程电压和验证电压施加到多条接地选择线GSL中的每条接地选择线来执行编程循环，所述多条接地选择线GSL位于所述多条位线中的一条位线和所述CSL之间，其中，对通过施加所述编程电压而完成编程的编程完成单元和编程目标单元两者执行所述编程循环。2.根据权利要求1所述的编程方法，其中，所述第一电压和所述第二电压各自包括接地电压。3.根据权利要求1所述的编程方法，还包括：确定分别连接到所述GSL的GSL单元是否通过；以及当所述GSL单元中存在至少一个失败单元时增加所述编程电压，并且基于增加的编程电压对所述多条GSL重复执行所述编程循环。4.根据权利要求3所述的编程方法，其中，重复执行所述编程循环包括：将所述第一电压施加于连接到所述GSL单元中的通过单元的禁止位线和连接到所述至少一个失败单元的编程位线。5.根据权利要求4所述的编程方法，其中，所述第一电压包括接地电压。6.根据权利要求4所述的编程方法，其中，所述第二电压包括接地电压。7.根据权利要求3所述的编程方法，其中，重复执行所述编程循环包括：针对连接到所述多条位线的第一单元串和第二单元串，分别将所述验证电压施加到所述第一单元串的第一GSL和所述第二单元串的第二GSL。8.根据权利要求7所述的编程方法，其中，重复执行所述编程循环包括：将所述增加的编程电压同时施加到所述第一GSL和所述第二GSL。9.根据权利要求3所述的编程方法，还包括：基于重复执行所述编程循环的结果，确定所述GSL单元中的第一通过单元和第一失败单元；将第三电压施加于连接到所述第一通过单元的禁止位线；将所述第一电压施加于连接到所述第一失败单元的编程位线；将第四电压施加到所述CSL；以及对所述第一失败单元执行所述编程循环。10.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第一电压和所述第二电压各自包括接地电压。11.根据权利要求10所述的编程方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李汉埈，金炳秀，南尚完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：