存储器设备和操作该存储器设备的方法技术

本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。一种存储器设备包括存储器块，该存储器块包括存储器单元，编程电压通过字线被施加到存储器单元。该存储器设备还包括外围电路，该外围电路被配置成对多个编程水平中的每个编程水平执行将存储器单元的阈值电压与验证电压进行比较的验证操作。存储器设备还包括控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置成控制外围电路以将与多个编程水平之中的目标水平相关的多个盲电压施加到字线，并且使用针对多个盲电压中的每个盲电压的失败位的数目来确定与目标水平的下一编程水平相对应的验证操作的开始时间点。的开始时间点。的开始时间点。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备和操作该存储器设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2021
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0106153的优先权，该申请的整体公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及电子设备，并且更具体地，涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。

技术介绍

[0004]存储设备是在主机设备的控制下存储数据的设备，该主机设备诸如为计算机或智能电话。存储设备可以包括用于存储数据的存储器设备以及用于控制存储器设备的存储器控制器。存储器设备可以被分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。
[0005]易失性存储器设备是仅在功率被供应的同时存储数据并且在功率供应被切断时丢失所存储的数据的设备。易失性存储器设备可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0006]非易失性存储器设备是即使功率被切断也不会丢失数据的设备。非易失性存储器设备可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PR本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器块，其包括存储器单元，编程电压通过字线被施加到所述存储器单元；外围电路，其被配置成对多个编程水平中的每个编程水平执行将所述存储器单元的阈值电压与验证电压进行比较的验证操作；以及控制逻辑电路，其被配置成控制所述外围电路以将与所述多个编程水平之中的目标水平相关的多个盲电压施加到所述字线，并且使用针对所述多个盲电压中的每个盲电压的失败位的数目，来确定与所述目标水平的下一编程水平相对应的验证操作的开始时间点。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述多个盲电压包括所述目标水平的验证电压、所述目标水平的读取电压、所述目标水平的所述下一编程水平的双验证电压或所述目标水平的所述下一编程水平的验证电压。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述控制逻辑电路包括基准值管理器，所述基准值管理器能够将所述多个盲电压中的至少两个盲电压施加到所述字线并且确定针对所述失败位的数目的基准值。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述基准值管理器能够基于根据预编程脉冲而存储在查找表中的所述失败位的数目来确定所述基准值。5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述控制逻辑电路包括验证管理器，所述验证管理器能够确定所述多个盲电压之中具有最接近所述基准值的所述失败位的数目的目标电压。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述验证管理器能够基于针对所述目标电压的所述失败位的数目，来确定与所述目标水平的所述下一编程水平相对应的所述验证操作的所述开始时间点。7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述验证管理器能够基于针对所述目标电压的所述失败位的数目，来确定与所述目标水平相对应的验证操作的结束时间点。8.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述控制逻辑电路包括存储设备，所述存储设备被配置成存储关于以下中的至少一者的信息：针对所述多个盲电压中的每个盲电压的所述失败位的数目、所述基准值和所述目标电压。9.一种存储器设备，包括：存储器块，其包括存储器单元，编程电压通过字线被施加到所述存储器单元；外围电路，其被配置成对多个编程水平中的每个编程水平执行将所述存储器单元的阈值电压与验证电压进行比较的验证操作；以及控制逻辑电路，其被配置成控制所述外围电路以按照电压幅值顺序将与所述多个编程水平之中的第一水平相关的多个盲电压施加到所述字线，并且使用针对所述多个盲电压中的每个盲电压的失败位的数目来确定与第二水平相对应的验证操作的开始时间点，所述第二水平是所述第一水平的下一编程水平。10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述多个盲电压包括所述第一水平的验证电压、所述第一水平的读取电压、所述第二水平的双验证电压或所述第二水平的验证电压。11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述控制逻辑电路包括基准值管理器，所述基准值管理器能够基于根据预编程脉冲而存储在查找表中的所述失败位的数目来应用针对所述失败位的数目的基准值。
12.根据权利要求11所述的存储器设备，其中所述控制逻辑电路包括验证管理器，所述验...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔埈荣，李芸相，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：