具有反馈技术的静电放电防护电路制造技术

一种静电放电防护电路包含：一电阻，一电容，一第一晶体管，一反相器组，与一第二晶体管。该电阻耦接于一第一电压与一节点Ｎ１之间；该电容耦接于节点Ｎ１与一第二电压之间；该第一晶体管具有耦接至该第一电压的一第一端，耦接至该第二电压的一第二端，与耦接至节点Ｎ２的一第三端；该反相器组具有耦接至节点Ｎ１的一输入端与耦接至节点Ｎ２的一输出端；该第二晶体管具有耦接至反相器组中一第一反相器的一第一端，耦接至该第二电压的一第二端，与耦接至反相器组中一第二反相器的一第三端。该第一反相器与该第二反相器的输出端是对应不同的逻辑电平。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电放电防护电路，特别涉及一种具有反馈技术的静电放电防护电路。
技术介绍
静电放电防护电路(electrostatic discharge protection circuit，ESDcircuit)是用以提供一低阻抗的电流路径，以将静电电流导出。图1所示为现有以金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)为基的一RC触发静电放电防护电路。由于此电路结构的效能良好，故已被广泛地使用在许多的应用中。一般来说，现有静电放电防护电路的主要设计考虑包含有布局面积、启动电流、VDD至VSS的漏电流、以及操作上错误触发的避免机制。此外，防护电路的触发时间是一项很关键的设计参数。如图1所示，静电放电防护电路100包含有一电阻110、一电容120、一反相器组130、以及一金属氧化物半导体场效晶体管140。其中，电阻110与电容120是串联于电压源VDD与VSS之间。电阻110、电容120与反相器组130三者形成了一个检测电路，用来检测静电效应。至于金属氧化物半导体场效晶体管140则是用来提供一个低阻抗的路径，以将静电电流导出。换句话说，金属氧化物半导体场效晶体管140在静电放电时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电保护电路，其包含有：一电阻组件，用来提供一特定电阻值，该电阻组件具有耦接至一第一电压电平的一第一端以及耦接至一节点Ｎ１的一第二端；一电容组件，用来提供一特定电容值，该电容组件具有耦接至该节点Ｎ１的一第一端以及耦接至一第二电压电平的一第二端；一第一晶体管，具有耦接至该第一电压电平的一第一端、耦接至该第二电压电平的一第二端、以及耦接至一节点Ｎ２的一第三端；一反相器组，具有耦接至该节点Ｎ１的一输入端与耦接至该节点Ｎ２的一输出端，其中，该反相器组包含有多个串联的反相器，每个反相器均包含有一Ｐ型金属氧化物半导体场效晶体管以及一Ｎ型金属氧化物半导体场效晶体管；以及一第二晶体管，具有一第一端、一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李健铭，柯明道，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]