一种光刻掩膜及其形成方法技术

本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，所述光刻掩膜包括：透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；第一遮光层，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，在外围切割道区的透光区形成互补的第二遮光层，即使两次曝光也不会过量曝光，可以避免靠近外围切割道区域的芯片被刻蚀，避免对芯片造成损伤。片造成损伤。片造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻掩膜及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种光刻掩膜及其形成方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体制造中的一种关键工艺。光刻工艺主要包括：涂抹光刻胶、曝光和显影。其中，在进行曝光时，需要使用掩膜板。
[0003]目前的一些光刻掩膜中，针对外围切割道区域的设计仍然存在问题。外围切割道区域需要曝光的位置会由于双重曝光导致靠近外围切割道区域的部分不需要曝光的芯片也被曝光。进而后续刻蚀时会损伤这部分芯片。
[0004]因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种光刻掩膜及其形成方法，可以避免靠近外围切割道区域的芯片被刻蚀，避免对芯片造成损伤。
[0006]本申请的一个方面提供一种光刻掩膜，包括：透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；第一遮光层，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。
[0007]在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补。
[0008]在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。
[0009]在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层位于所述外圈切割道区的外边缘。
[0010]在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比大于0小于等于50％。
[0011]在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比为50％。
[0012]本申请的另一个方面还提供一种光刻掩膜的形成方法，包括：提供透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层，其中，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。
[0013]在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补。
[0014]在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。
[0015]在本申请的一些实施例中，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层位于所述外圈切割道区的外边缘。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比大于0小于等于50％。
[0017]在本申请的一些实施例中，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比为50％。
[0018]在本申请的一些实施例中，在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层的方法包括溅镀法。
[0019]在本申请的一些实施例中，在所述透明基板表面形成第一遮光层和第二遮光层的方法包括：在所述透明基板表面形成遮光材料层；刻蚀所述遮光材料层形成所述第一遮光层和所述第二遮光层。
[0020]本申请所述的一种光刻掩膜及其形成方法，在外围切割道区的透光区形成互补的第二遮光层，即使两次曝光也不会过量曝光，可以避免靠近外围切割道区域的芯片被刻蚀，避免对芯片造成损伤。
附图说明
[0021]以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本申请的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的专利技术意图。应当理解，附图未按比例绘制。
[0022]其中：
[0023]图1为一种光刻掩膜的平面结构示意图；
[0024]图2为一种光刻掩膜的部分截面结构示意图；
[0025]图3至图5为一种对晶圆进行光刻的方法中各步骤的示意图；
[0026]图6为本申请实施例所述的光刻掩膜的平面结构示意图；
[0027]图7为本申请实施例所述的光刻掩膜的部分截面结构示意图；
[0028]图8和图9为本申请一些实施例中所述的光刻掩膜的第二遮光层图案；
[0029]图10至图12为本申请实施例所述的对晶圆进行光刻的方法中各步骤的示意图；
[0030]图13至图15为本申请实施例所述的光刻掩膜的形成方法中各步骤的示意图。
具体实施方式
[0031]以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本申请不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。
[0032]下面结合实施例和附图对本专利技术技术方案进行详细说明。
[0033]图1为一种光刻掩膜的平面结构示意图。图2为一种光刻掩膜的部分截面结构示意图。图2为沿图1中虚线所做的截面图。
[0034]参考图1和图2所示，一种光刻掩膜100包括：透明基板101，所述透明基板101包括
主体区110和包围所述主体区110的外圈切割道区120，所述外圈切割道区120包括遮光区122和透光区121，所述透光区121关于所述透明基板101的水平中轴线或垂直中轴线对称(例如图1中的四个透光区分别上下对称和左右对称)；遮光层102，所述遮光层102位于所述遮光区121的透明基板101表面。
[0035]使用所述光刻掩膜100进行光刻工艺中的曝光步骤时。待曝光的芯片上与透光区121对应的位置被曝光。待曝光的芯片上与遮光区122对应的位置由于遮光层102的遮挡不被曝光。
[0036]图3至图5为一种对晶圆进行光刻的方法中各步骤的示意图。
[0037]参考图3所示，提供待曝光的晶圆200。所述晶圆200上包括被切割道210分隔的区域A、区域B、区域C和区域D。其中，每个区域的面积与光刻掩膜100的主体区110的面积相同。切割道210的宽度与光刻掩膜100的外圈切割道区120的宽度相同。
[0038]参考图4所示，使用光刻掩膜100对区域A以及包围区域A的切割道210进行曝光。其中，所述晶圆200上与透光区121对应的位置被曝光。所述晶圆200上与遮光区122对应的位置由于遮光层102的遮挡不被曝光。
[0039]参考图5所示，使用光刻掩膜100对区域B以及包围区域B的切割道210进行曝光。其中，所述晶圆200上与透光区121对应的位置被曝光。所述晶圆200上与遮光区122对应的位置由于遮光层102的遮挡不被曝光。
[0040]依次类推，使用光刻掩膜100分别对剩余的区域C和区域D进行曝光。
[0041]参考图5所示，区域A和区域B交界处的切割道210会被曝光两次造成过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻掩膜，其特征在于，包括：透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；第一遮光层，所述第一遮光层位于所述遮光区的透明基板表面；第二遮光层，所述第二遮光层位于所述透光区的部分透明基板表面。2.如权利要求1所述的光刻掩膜，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层图案在所述透光区中互补。3.如权利要求1所述的光刻掩膜，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层关于所述透明基板中心对称。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，位于相互对称位置的透光区的第二遮光层位于所述外圈切割道区的外边缘。5.如权利要求4所述的光刻掩膜，其特征在于，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比大于0小于等于50％。6.如权利要求5所述的光刻掩膜，其特征在于，所述第二遮光层的面积在所述透光区的占比为50％。7.一种光刻掩膜的形成方法，其特征在于，包括：提供透明基板，所述透明基板包括外圈切割道区，所述外圈切割道区包括遮光区和透光区，所述透光区关于所述透明基板的水平中轴线或垂直中轴线对称；...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋春，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：