光罩制造技术

本实用新型专利技术提供一种光罩，所述光罩包括基底层、金属膜层、防尘膜层和框架，所述金属膜层位于所述基底层上，所述框架固定于所述基底层上，所述框架用于固定所述防尘膜层，所述框架上至少开设一个窗口，所述窗口内包括第一防尘网、氨根离子吸收区域和第二防尘网，所述氨根离子吸收区域位于所述第一防尘网和所述第二防尘网之间，所述第一防尘网用于隔离杂质、硫酸根离子和部分氨根离子，所述氨根离子吸收区域用于吸收通过所述第一防尘网的氨根离子，所述第二防尘网的直径小于所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒的直径，所述第二防尘网用于防止所述氨根离子和所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒进入所述防尘膜层内。解决了光罩表面的雾化缺陷问题。的雾化缺陷问题。的雾化缺陷问题。

【技术实现步骤摘要】
光罩


[0001]本技术涉及光刻
，特别涉及一种光罩。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造工艺中，光刻工艺是其中最为重要的步骤之一。光刻工艺的过程是经曝光系统将预制在掩模板上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶圆表面或介质层上的光刻胶层上。经过显影工艺去除或保留曝光图案部位的光刻胶，以达到将预制在掩模板上的器件或电路图形在晶圆表面或介质层上精确成型的目的。光刻工艺的好坏将直接影响半导体器件的特征尺寸和产品品质，其中，掩模板是光刻复制图形的基准和蓝本，掩模板上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响。
[0003]掩模板又称光罩，在光刻工艺中，环境中的水分子在曝光作用下与光罩表面的硫酸根、氨根产生化学反应形成硫酸铵结晶体，结晶体在不断变大后最终导致该区域透光率变差进而反应在投影的图形上，若不及时处理会严重影响产品良率，同时，将存在雾化问题的光罩送洗也会导致线上产品生产中断，影响生产效率。尤其的，在ArF及沉浸式(immersion)机台的193nm光源的刻蚀工艺，由于光源能量较高，会导致光罩雾化过程加快，光罩被雾化的缺陷变的十分严重。
[0004]现有技术在预防光罩发生雾化(Haze)问题方面，主要是通过使用不含硫(S)的清洗液进行光罩清洗作业，以及利用化学过滤器加强环境中硫酸根(SO4+,SO3+,SO2)和氨根(NH4+)的控制，来防止这两类物质富集到光罩表面、进一步在光罩表面产生雾化缺陷(Haze Defect)。但是对光罩本身的优化和控制则比较少。
[0005]光罩一般包含石英基底层、金属铬膜层(若是相转移光罩则还存在MoSi层)和防尘膜层组成。防尘膜层由一张可透光的膜和一定高度的四方形金属(一般为铝合金)框架组成，此膜可以阻挡极小的灰尘和挥发性的气态分子。现有技术在金属框架的侧面开一个小窗，小窗内紧贴四周嵌了一张防尘网，用来维持主体防尘膜内外的气压平衡并阻挡大颗粒灰尘进入防尘膜内部，但不能阻挡气态分子。少数现有方案会在小窗朝外加装一个微型过滤器，用于阻挡小颗粒灰尘和大颗粒气态分子。但保持内外气路通畅和有效阻挡颗粒是相互对立的，需要找到合适的平衡。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种光罩，以解决光罩雾化导致光罩上图案产生变形，进而导致产品变形的问题。
[0007]为解决上述技术问题，本技术提供一种光罩，所述光罩包括基底层、金属膜层、防尘膜层和框架，所述金属膜层位于所述基底层上，所述框架固定于所述基底层上，所述框架用于固定所述防尘膜层，所述框架上至少开设一个窗口，所述窗口内包括第一防尘网、氨根离子吸收区域和第二防尘网，所述氨根离子吸收区域位于所述第一防尘网和所述第二防尘网之间，所述第一防尘网用于隔离杂质、硫酸根离子和部分氨根离子，所述氨根离
子吸收区域用于吸收通过所述第一防尘网的氨根离子，所述第二防尘网的直径小于所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒的直径，所述第二防尘网用于防止所述氨根离子和所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒进入所述防尘膜层内。
[0008]可选的，所述框架上开设一个窗口，所述窗口的长度小于所述框架一个边长的三分之二。
[0009]可选的，所述框架包括四个边，每个边上开设多个所述窗口，多个所述窗口的总长度小于所述框架一个边长的三分之二。
[0010]可选的，所述第二防尘网的直径小于所述第一防尘网的直径。
[0011]可选的，所述窗口内的第一防尘网、氨根离子吸收区域和第二防尘网的宽度相同，且为所述框架的宽度的三分之一。
[0012]可选的，所述氨根离子吸收区域包括活性炭。
[0013]可选的，所述氨根离子吸收区域包括活性炭与海泡石的黏合物。
[0014]可选的，所述框架的宽度为3mm～15mm。
[0015]可选的，所述第一防尘网和所述第二防尘网与所述框架通过胶体粘接。
[0016]可选的，所述窗口的形状为长方形或者正方形。
[0017]在本技术提供的光罩中，通过在所述框架上至少开设一个窗口，所述窗口内包括第一防尘网、氨根离子吸收区域和第二防尘网，所述氨根离子吸收区域位于所述第一防尘网和所述第二防尘网之间，所述第一防尘网用于隔离杂质、硫酸根离子和部分氨根离子，所述氨根离子吸收区域用于吸收通过所述第一防尘网的氨根离子，所述第二防尘网的直径小于所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒的直径，所述第二防尘网用于防止所述氨根离子和所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒进入所述防尘膜层内，解决了环境中杂质、硫酸根和氨根的这些物质富集到光罩表面、进一步在光罩表面产生雾化缺陷的问题。
附图说明
[0018]本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本技术，而不对本技术的范围构成任何限定。其中：
[0019]图1是本技术实施例的光罩的结构示意图；
[0020]图2是本技术实施例的光罩的框架开设一个窗口的剖面结构俯视图；
[0021]图3是本技术实施例的光罩的框架开设多个窗口的剖面结构俯视图；
[0022]图4是本技术实施例的图2中沿AA
’
线的剖面结构示意图；
[0023]图5是本技术实施例的图2中沿BB
’
线的剖面结构示意图；
[0024]图6是本技术实施例的图2中沿CC
’
线的剖面结构示意图；
[0025]附图中：
[0026]11
‑
基底层；12
‑
金属膜层；13
‑
框架；14
‑
防尘膜层；15
‑
窗口；15a
‑
第一防尘网；15b
‑
氨根离子吸收区域；15c
‑
第二防尘网；15d
‑
胶体；16
‑
隔离环。
具体实施方式
[0027]为使本技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅
用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0028]如在本技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，术语“近端”通常是靠近操作者的一端，术语“远端”通常是靠近患者的一端，“一端”与“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩，其特征在于，所述光罩包括基底层、金属膜层、防尘膜层和框架，所述金属膜层位于所述基底层上，所述框架固定于所述基底层上，所述框架用于固定所述防尘膜层，所述框架上至少开设一个窗口，所述窗口内包括第一防尘网、氨根离子吸收区域和第二防尘网，所述氨根离子吸收区域位于所述第一防尘网和所述第二防尘网之间，所述第一防尘网用于隔离杂质、硫酸根离子和部分氨根离子，所述氨根离子吸收区域用于吸收通过所述第一防尘网的氨根离子，所述第二防尘网的直径小于所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒的直径，所述第二防尘网用于防止所述氨根离子和所述氨根离子吸收区域的大分子颗粒进入所述防尘膜层内。2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述框架上开设一个窗口，所述窗口的长度小于所述框架一个边长的三分之二。3.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述框架包括四...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：