散射条的添加方法、掩膜版的制备方法技术

本申请涉及一种散射条的添加方法、掩膜版的制备方法。散射条的添加方法包括：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形；获取目标图形与初始散射条之间的第一距离；第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离；根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，其中，目标散射条与目标图形之间的第一最小距离与初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离相同。采用本方法能够避免芯片的良率下降。能够避免芯片的良率下降。能够避免芯片的良率下降。

【技术实现步骤摘要】
散射条的添加方法、掩膜版的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种散射条的添加方法、掩膜版的制备方法。

技术介绍

[0002]在芯片的版图设计中，通常一个版图中既有密集图形也有稀疏图形，而密集图形的光刻工艺窗口与稀疏图形的光刻工艺窗口是不一样的，适用于密集图形曝光的光照条件并不适合稀疏图形的曝光。因此通常通过在稀疏图形的周围添加一些细小的图形，使得稀疏图形在光学角度上看像密集图形，从而再进行曝光。而这些细小图形的尺寸需要小于光刻机的分辨率，在曝光时这些细小图形只对光线起散射作用，而不会被转移到光刻胶上，因此被称之为亚分辨率辅助图形或散射条。
[0003]传统技术在稀疏图形的周围添加了散射条后，通常还需要利用光学邻近校正(Optical Proximity Correction，OPC)模型对稀疏图形进行校正。然而，传统技术中，经OPC校正后的稀疏图形的尺寸会变大，这将会使稀疏图形与散射条之间的距离变小，从而增加散射条转印输出(print
‑
out)的风险，同时会导致光刻工艺窗口变小，从而最终导致芯片的良率下降。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够避免芯片的良率下降的散射条的添加方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品以及掩膜版的制备方法。
[0005]第一方面，本申请提供了一种散射条的添加方法。所述方法包括：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。
[0006]在其中一个实施例中，所述根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，包括：分别获取所述待校正图形和所述目标图形之间的偏差值，以及所述第二最小距离，确定目标距离；根据所述目标距离添加至少一候选散射条，并利用所述光学邻近校正模型对所述目标图形进行校正以得到候选图形；若所述候选散射条与所述候选图形之间的第三最小距离与所述第二最小距离相
同，则将所述候选散射条作为所述目标散射条。
[0007]在其中一个实施例中，所述方法还包括：若所述第三最小距离与所述第二最小距离不同，则重复执行添加操作，直到下一候选散射条与下一候选图形之间的第三最小距离与所述第二最小距离相同；其中，所述添加操作包括：根据预设阈值对所述目标距离进行更新，根据更新后的目标距离添加至少一下一候选散射条，并利用所述光学邻近校正模型对上一候选图形进行校正以得到下一候选图形。
[0008]在其中一个实施例中，所述根据预设阈值对所述目标距离进行更新，包括：根据所述预设阈值和所述目标距离的和值对所述目标距离进行更新。
[0009]在其中一个实施例中，所述根据所述目标距离添加至少一候选散射条，包括：去除所述初始散射条，并根据目标距离新增至少一候选散射条。
[0010]在其中一个实施例中，所述根据所述目标距离添加至少一候选散射条，包括：根据所述目标距离移动所述初始散射条，以添加至少一候选散射条。
[0011]在其中一个实施例中，所述获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离，包括：获取距离所述目标图形最近的目标初始散射条；根据所述目标初始散射条和所述目标图形确定所述第一距离。
[0012]第二方面，本申请还提供了一种掩膜版的制备方法。所述方法包括：采用上述任一项实施例中所述的散射条的添加方法对目标图形添加目标散射条；将所述目标图形以及所述目标散射条转移至掩膜版上。
[0013]第三方面，本申请还提供了一种散射条的添加装置。所述装置包括：第一添加模块，用于在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；校正模块，用于利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；获取模块，用于获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；第二添加模块，用于根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。
[0014]第四方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。
[0015]第五方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。
[0016]第六方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。
[0017]上述散射条的添加方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条，并利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形，从而获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离，所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离。从而根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，并使得经光学邻近校正模型校正后得到的所述目标图形与添加的目标散射条之间的第一最小距离等于所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离，从而能够减少散射条转印输出的风险以及避免光刻工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种散射条的添加方法，其特征在于，所述方法包括：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。2.根据权利要求1所述的散射条的添加方法，其特征在于，所述根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，包括：分别获取所述待校正图形和所述目标图形之间的偏差值，以及所述第二最小距离，确定目标距离；根据所述目标距离添加至少一候选散射条，并利用所述光学邻近校正模型对所述目标图形进行校正以得到候选图形；若所述候选散射条与所述候选图形之间的第三最小距离与所述第二最小距离相同，则将所述候选散射条作为所述目标散射条。3.根据权利要求2所述的散射条的添加方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述第三最小距离与所述第二最小距离不同，则重复执行添加操作，直到下一候选散射条与下一候选图形之间的第三最小距离与所述第二最小距离相同；其中，所述添加操作包括：根据预设阈值对所述目标距离进行更新，根据更新后的目标距离添加至少一下一候选散射条，并利用所述光学邻近校正模型对上一候选图形进行校正以得到下一候选图形。4.根据权利要求3所述的散射条的添加方法，其特征在于，所述根据预设阈值对所述目标距离进行更新，包括：根据所述预设阈值和所述目标距离的和值对所述目标距离进行更新。5.根据权利要求2所述的散射条的添加方法，其特征在于，所述根据所述目...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀梅，罗招龙，吴晨雨，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：