一种光学邻近校正的方法技术

一种光学邻近校正的方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；对所述目标版图进行若干次第一光学邻近校正，获取第一校正版图；在所述目标版图上获取若干第二关键区域；在所述第一校正版图上获取若干第三关键区域；对第n个第二关键区域进行第一选边处理，获取第三位置信息，所述n为大于等于1的自然数；对第n个第三关键区域进行第二次选边处理，根据第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记，获取待移动边，所述第四位置信息在第n个第三关键区域上与所述第三位置信息相对应；对所述待移动边进行移边处理。对所述待移动边进行移边处理。对所述待移动边进行移边处理。

【技术实现步骤摘要】
一种光学邻近校正的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近校正的方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在基底上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为光学邻近效应(OPE，Optical Proximity Effect)。
[0003]为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC，Optical Proximity Correction)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
[0004]现有的光学邻近校正方法中，提供目标图形后，整个光学邻近校正的过程包括多个循环，每次循环之中均需要对光学模拟图形上发现的缺陷进行移边修复。在选边的过程中，采用在光学邻近校正图形上一次形成标记进行选边。
[0005]然而，在上述方法中，由于每次循环产生的光学邻近校正图形位置多变，直接在光学邻近校正图形上进行一次选边，容易造成选错或选漏边，增加了校正的循环次数，导致校正运行时间增加。

技术实现思路

[0006]本专利技术解决的技术问题是提供一种光学邻近校正的选边方法，提升选边的准确度，降低了光学邻近校正的整体运行时间。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种光学邻近校正的选边方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；对所述目标版图进行若干次第一光学邻近校正，获取第一校正版图；在所述目标版图上获取若干第二关键区域；在所述第一校正版图上获取若干第三关键区域；对第n个第二关键区域进行第一选边处理，获取第三位置信息，所述n为大于等于1的自然数；对第n个第三关键区域进行第二次选边处理，根据第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记，获取待移动边，所述第四位置信息在第n个第三关键区域上与所述第三位置信息相对应；对所述待移动边进行移边处理。
[0008]可选的，获取所述第二关键区域的方法包括：对所述第一校正版图进行模拟曝光，获取模拟曝光版图；对所述模拟曝光版图进行缺陷检测，获取若干第一关键区域；在所述目标版图上获取与所述第一关键区域位置一一对应的所述第二关键区域，所述第二关键区域至少包括部分所述目标图形。
[0009]可选的，所述缺陷的类型包括：桥接缺陷。
[0010]可选的，所述第一校正版图包括与所述目标图形对应的若干第一校正图形，所述模拟曝光版图包括与所述第一校正图形对应的若干曝光图形。
[0011]可选的，获取所述第三关键区域的方法包括：在所述第一校正版图上获取与所述第一关键区域位置一一对应的所述第三关键区域，所述第三关键区域至少包括部分所述第一校正图形。
[0012]可选的，所述第一关键区域至少包括部分所述曝光图形，每个所述第一关键区域包括一个缺陷，所述缺陷具有对应所述模拟曝光版图中的第一位置信息。
[0013]可选的，获取第三位置信息的方法包括：在所述第二关键区域内获取与所述第一位置信息相对应的第二位置信息；根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置第一缺陷标记，获取所述第一缺陷标记与所述目标图形边缘相交点的第三位置信息。
[0014]可选的，根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置所述第一缺陷标记的方法包括：根据所述第二位置信息，在所述第n个第二关键区域内获取所述第一缺陷标记的中心坐标；根据所述第一缺陷标记的中心坐标，形成所述第一缺陷标记。
[0015]可选的，获取所述第一缺陷标记的中心坐标的方法包括：在所述第n个第二关键区域内的目标图形轮廓上获取距离所述第二位置信息所定义位置距离最短的两个坐标；获取所述距离最短的两个坐标的中点作为所述第一缺陷标记的中心坐标。
[0016]可选的，形成所述第一缺陷标记的方法包括：以所述第一缺陷标记的中心坐标为中心沿着第一方向、第二方向、第三方向和第四方向同时进行若干次延伸，分别形成第一延伸图形、第二延伸图形、第三延伸图形和第四延伸图形；当所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形中的任意一条延伸图形和所述第n个第二关键区域上的所述目标图形相交时，把所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形所形成的图形作为所述第一缺陷标记。
[0017]可选的，所述第一方向与所述距离最短的两个坐标的连线平行；所述第一方向和所述第二方向相向；所述第三方向和所述第四方向相向；所述第一方向和所述第三方向垂直。
[0018]可选的，每次延伸形成的所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形的长度相同；第i+1次延伸的长度大于第i次延伸的长度，所述i为大于等于1的自然数；所述第一延伸图形、所述第二延伸图形、所述第三延伸图形和所述第四延伸图形的形状包括：线段或者矩形。
[0019]可选的，根据所述第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记的方法包括：以所述第四位置信息为中心沿着第五方向和第六方向同时进行若干次延伸，分别形成第五延伸图形和第六延伸图形；当所述第五延伸图形和所述第六延伸图形中的任意一条延伸图形和所述第n个第三关键区域上的所述第一校正图形相交时，把所述第五延伸图形和所述第六延伸图形所形成的图形作为所述第二缺陷标记。
[0020]可选的，所述第五方向和所述第六方向相向；所述第五方向和所述第六方向平行于所述第三位置信息和所述第一缺陷标记的中心坐标的连线。
[0021]可选的，每次延伸形成的所述第五延伸图形和所述第六延伸图形的长度相同；第j+1次延伸的长度大于第j次延伸的长度，所述j为大于等于1的自然数；所述第五延伸图形和所述第六延伸图形的形状包括：线段或者矩形。
[0022]可选的，获取所述待移动边的方法包括：选取所述第二缺陷标记与第n个第三关键区域的所述第一校正图形边缘相交的边为所述待移动边。
[0023]可选的，所述待移动边的长度为：25纳米至40纳米。
[0024]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有优点：
[0025]本专利技术技术方案提供的一种光学邻近校正的方法中，通过先在所述目标图形上获取所述第一缺陷标记来进行所述第一选边处理，获取第三位置信息，再根据所述第三位置信息在所述第一校正图形上获取所述第二缺陷标记来进行第二选边处理，获取所述待移动边。由于所述目标图形的位置固定，而所述第一校正图形的位置多变，直接通过所述第一缺陷标记在所述第一校正图形上无法选中待移动边的概率大。而本专利技术的两次选边技术，首先选中固定的目标图形，再通过目标图形选中第一校正图形。由于第一校正图形是由目标图形和目标图形附近的环境决定的，因此第一校正图形与目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正的方法，其特征在于，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干目标图形；对所述目标版图进行若干次第一光学邻近校正，获取第一校正版图；在所述目标版图上获取若干第二关键区域；在所述第一校正版图上获取若干第三关键区域；对第n个第二关键区域进行第一选边处理，获取第三位置信息，所述n为大于等于1的自然数；对第n个第三关键区域进行第二次选边处理，根据第四位置信息在第n个第三关键区域设置第二缺陷标记，获取待移动边，所述第四位置信息在第n个第三关键区域上与所述第三位置信息相对应；对所述待移动边进行移边处理。2.如权利要求1所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，获取所述第二关键区域的方法包括：对所述第一校正版图进行模拟曝光，获取模拟曝光版图；对所述模拟曝光版图进行缺陷检测，获取若干第一关键区域；在所述目标版图上获取与所述第一关键区域位置一一对应的所述第二关键区域，所述第二关键区域至少包括部分所述目标图形。3.如权利要求2所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，所述缺陷的类型包括：桥接缺陷。4.如权利要求2所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，所述第一校正版图包括与所述目标图形对应的若干第一校正图形，所述模拟曝光版图包括与所述第一校正图形对应的若干曝光图形。5.如权利要求4所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，获取所述第三关键区域的方法包括：在所述第一校正版图上获取与所述第一关键区域位置一一对应的所述第三关键区域，所述第三关键区域至少包括部分所述第一校正图形。6.如权利要求4所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，所述第一关键区域至少包括部分所述曝光图形，每个所述第一关键区域包括一个缺陷，所述缺陷具有对应所述模拟曝光版图中的第一位置信息。7.如权利要求6所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，获取第三位置信息的方法包括：在所述第二关键区域内获取与所述第一位置信息相对应的第二位置信息；根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置第一缺陷标记，获取所述第一缺陷标记与所述目标图形边缘相交点的第三位置信息。8.如权利要求7所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，根据所述第二位置信息在第n个第二关键区域内设置所述第一缺陷标记的方法包括：根据所述第二位置信息，在所述第n个第二关键区域内获取所述第一缺陷标记的中心坐标；根据所述第一缺陷标记的中心坐标，形成所述第一缺陷标记。9.如权利要求8所述的光学邻近校正的方法，其特征在于，获取所述第一缺陷标记的中心坐标的方法包括：在所述第n个第二关键区域内的目标图形轮廓上获取距离所述第二位置信息所定义位置距离最短的两个坐标；获取所述距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈术，严中稳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：