掩膜版图形修正方法、掩膜版制备方法及掩膜版技术

本发明专利技术提供一种掩膜版图形修正方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，该修正方法包括：建立OPC模型；提供设计图形，获取设计图形数据；根据制版厂反馈的设计图形中的转角图形的角圆误差值及晶圆的线上工艺参数对转角图形进行数据预设涨缩，获得预处理的设计图形数据；根据OPC模型，对预处理的设计图形数据进行OPC修正。该修正方法充分考虑制版厂对转角部分需要做到的CD的要求，并结合晶圆的线上工艺参数要求，对转角图形进行数据预设涨缩，后续以此预处理后的设计图形数据为目标进行OPC修正，以达到在不影响线上工艺的情况下，可以对制备掩膜版过程中曝光机在corner rounding部分的差异进行OPC调整，从而使得corner rounding差异减小达到工厂的制版要求，使制版厂可以正常制版。版。版。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版图形修正方法、掩膜版制备方法及掩膜版


[0001]本专利技术涉及半导体光刻工艺
，特别是涉及一种掩膜版图形修正方法、掩膜版制备方法及掩膜版。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路(ULSI，Ultra Large Scale Integration)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。在0.18μm及以下技术节点的关键层次中，如TO(有源区层次)、GT(栅氧层次)以及An(金属连线层次)等关键层次的CD(关键尺寸)越来越小，某些关键层次的CD已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长248nm，因此在光刻的曝光过程中，由于光的干涉和衍射现象，实际产品在晶片上得到的光刻图形与原始图形存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率。
[0003]为了消除上述误差，通常使用OPC(光学邻近效应矫正)方法对设计图形进行一定的修正。但是OPC修正后的图形制备到掩膜版上时，会经过掩膜厂的曝光机，掩膜版经过该曝光机的曝光会产生差异。而当前的OPC修正过程中是以客户给出的设计图形为目标来进行OPC修正，没有将掩膜版在制版的曝光机曝光过程中的上述差异补偿进去，所以制备出来的图形与OPC修正后的图形同样存在差异。尤其在corner rounding(掩膜版上图形转角处允许的最大内径尺寸)问题上，由于目前OPC修正通常采用的做法是确保1D(1D在OPC修正中通常指设计图形中的关键部位形貌，该关键部位形貌包括但不限于非转角处的线条形貌)做到位，牺牲转角(corner)部分，没有考虑到制版厂在出版时对转角(corner)部分也有要求。此外，制版厂针对不同等级的版子的corner rounding值不一样，这将导致掩膜厂在有些高等级版子上因为此值达不到要求，从而不能制版。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种掩膜版图形修正方法、掩膜版制备方法及掩膜版，用于解决现有技术中OPC修正过程中没有考虑掩膜版制版时，曝光机曝光造成的差异，导致掩膜版转角尺寸偏差较大而需要重新制版或者不能制版等的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种掩膜版图形修正方法，所述修正方法包括：
[0006]建立OPC模型；
[0007]提供设计图形，获取设计图形数据；
[0008]根据制版厂反馈的设计图形中的转角图形的角圆误差值及晶圆的线上工艺参数对所述转角图形进行数据预设涨缩，获得预处理的设计图形数据；
[0009]根据所述OPC模型，对所述预处理的设计图形数据进行OPC修正。
[0010]可选地，所述提供设计图形，获取所述设计图形数据还包括，对获取的所述设计图形数据进行逻辑运算处理的步骤。
[0011]可选地，所述转角图形包括凸转角图形及凹转角图形。
[0012]可选地，所述OPC为基于模型的OPC或基于经验的OPC。
[0013]可选地，所述根据所述OPC模型，对所述预处理的设计图形数据进行OPC修正，还包括：
[0014]验证所述OPC修正后的设计图形的尺寸与目标尺寸的差值是否处于预设范围内；
[0015]如果是，则结束OPC修正；
[0016]如果否，则对所述转角图形的所述数据预设涨缩进行调整，获得调整后的预处理的设计图形数据，并对调整后的所述预处理的设计图形数据进行OPC修正，直至调整后获得的所述OPC修正后的图形的尺寸与目标尺寸的差值处于所述预设范围内，则结束OPC修正。
[0017]进一步地，将调整后获得的所述OPC修正后的图形的尺寸与目标尺寸的差值处于所述预设范围内的所述转角图形的所述数据预设涨缩写进OPC程序中。
[0018]可选地，所述修正方法用于0.18μm以下的工艺节点。
[0019]本专利技术还提供一种掩膜版的制备方法，包括如上所述的掩膜版图形修正方法。
[0020]可选地，所述掩膜版的制备方法还包括按照所述OPC修正后的设计图形数据制作掩膜版的步骤。
[0021]本专利技术还提供一种掩膜版，所述掩膜版由以上所述的掩膜版的制备方法制备得到。
[0022]如上所述，本专利技术的掩膜版图形修正方法、掩膜版的制备方法及掩膜版，充分考虑了制版厂对转角部分需要做到的CD的要求，并结合晶圆的线上工艺参数要求，对转角图形进行预处理，即对转角图形进行数据预设涨缩，后续以此预处理后的设计图形数据为目标进行OPC修正，以达到在不影响线上工艺的情况下，可以对制备掩膜版过程中曝光机在corner rounding部分的差异进行OPC调整，从而使得corner rounding差异减小达到制版厂的制版要求，使制版厂可以正常制版。也即，既能消除OPC修正后的图形与制版厂制备得到的掩膜版上的图形差异，满足制版厂要求，又确保了在半导体器件制作的光刻过程中基于该掩膜版能获得准确的曝光图形。
附图说明
[0023]图1显示为一实施例中TO层次的设计图形。
[0024]图2显示为一实施例中以TO层次的设计图形为目标进行OPC修正后制作的掩膜版图形。
[0025]图3显示为本专利技术实施例一的掩膜版图形修正方法的流程示意图。
[0026]图4显示为采用本专利技术实施例一掩膜版图形修正方法对图1的TO层次的设计图形中的转角图形进行数据预设涨缩后得到的预处理的设计图形数据。
[0027]图5显示为对图4中的预处理的设计图形数据根据OPC模型进行OPC修正后制作的掩膜版图形。
[0028]图6显示为用图2及图5中的掩膜版上的图形进行晶圆工艺仿真得到的图形与TO层次的设计图形的对比图。
[0029]元件标号说明
[0030]10
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TO层次的设计图形
[0031]11
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TO层次预处理的设计图形
[0032]12
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TO层次的掩膜版图形
[0033]S1～S4
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步骤
具体实施方式
[0034]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0035]请参阅图1至图6。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可根据实际需要进行改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0036]实施例一
[0037]正如
技术介绍
部分所述，由于光学效应的存在，目前的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版图形修正方法，其特征在于，所述修正方法包括：建立OPC模型；提供设计图形，获取设计图形数据；根据制版厂反馈的设计图形中的转角图形的角圆误差值及晶圆的线上工艺参数对所述转角图形进行数据预设涨缩，获得预处理的设计图形数据，根据所述OPC模型，对所述预处理的设计图形数据进行OPC修正。2.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于：所述提供设计图形，获取所述设计图形数据，还包括，对获取的所述设计图形数据进行逻辑运算处理的步骤。3.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于：所述转角图形包括凸转角图形及凹转角图形。4.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于：所述OPC为基于模型的OPC或基于经验的OPC。5.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于，所述根据所述OPC模型，对所述预处理的设计图形数据进行OPC修正，还包括：验证所述OPC修正后的设计图形的尺寸与目标尺寸的差值是否处于预设范围内；如果是，则结束...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，王谨恒，朱斌，张剑，孙鹏飞，曹楠，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：