【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种超结ldmos器件及其制备方法。
技术介绍
1、横向双扩散金属氧化物半导体(ldmos，lateral double-diffused mosfet)是高压集成电路hvic(high voltage integrated circuit)和功率集成电路pic(powerintegrated circuit)的关键技术。其主要特征在于沟道区和漏区之间加入一段相对较长的轻掺杂漂移区，该漂移区掺杂类型与漏端一致，通过加入漂移区，可以起到分担击穿电压的作用。
2、超结ldmos是一种改进型ldmos，即传统ldmost的低掺杂n型漂移区被一组交替排布的n型柱区和p型柱区所取代。理论上，如果p/n柱区之间的电荷能够完美补偿，漂移区达到完全耗尽，则超结ldmos可以获得比传统ldmos更高的击穿电压，而高掺杂的n型柱区则可以获得很低的导通电阻，因此，超结器件可以在击穿电压和导通电阻两个关键参数之间取得一个很好的平衡。
3、然而，上述超结ldmos器件在漏端加高压时，由于衬底辅助耗尽效应的存在，降低了超结ldmos器件的耐压。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种超结ldmos器件及其制备方法，能够提高。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种超结ldmos器件，能够提高超结ldmos器件的耐压。
3、该超结ldmos器件包括：衬底、外延层、源引出区、漏引出区和超结漂移区。
5、其中，衬底和第二柱区均具有第一导电类型，外延层、源引出区、漏引出区和第一柱区均具有第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型相反；第一方向、第二方向和第三方向两两垂直，衬底的厚度方向为第三方向。
6、在其中一个实施例中，第一柱区远离衬底一侧的表面，以及第二柱区远离衬底一侧的表面均与外延层远离衬底的表面重合。
7、在其中一个实施例中，第一柱区在第二方向上的宽度，与第二柱区在第二方向上的宽度相等。
8、在其中一个实施例中，外延层内还设置有轻掺杂区，轻掺杂区位于第二柱区靠近衬底的一侧，且与第二柱区邻接；
9、其中，由轻掺杂区靠近源引出区的一端至轻掺杂区靠近漏引出区的一端，轻掺杂区在第三方向上的高度逐渐减小。
10、在其中一个实施例中，轻掺杂区具有第一导电类型，轻掺杂区的掺杂浓度小于第二柱区的掺杂浓度；
11、或，轻掺杂区具有第二导电类型，轻掺杂区的掺杂浓度小于第一柱区的掺杂浓度。
12、在其中一个实施例中，第二柱区靠近衬底一侧的表面为斜面。
13、在其中一个实施例中，第二柱区靠近衬底一侧的表面为台阶面。
14、在其中一个实施例中，超结漂移区包括多个第一柱区和多个第二柱区，多个第一柱区和多个第二柱区沿第二方向交替排布。
15、在其中一个实施例中，由超结漂移区靠近源引出区的一端至超结漂移区靠近漏引出区的一端，第二柱区的掺杂浓度逐渐减小。
16、第二方面，本申请提供了一种超结ldmos器件的制备方法，包括：
17、提供第一导电类型的衬底；
18、于衬底上形成第二导电类型的外延层，第一导电类型和第二导电类型相反；
19、于外延层内形成超结漂移区、源引出区和漏引出区；源引出区和漏引出区沿第一方向间隔设置，超结漂移区位于源引出区和漏引出区之间；超结漂移区包括沿第二方向相邻排布的至少一个第一柱区和至少一个第二柱区；由超结漂移区靠近源引出区的一端至超结漂移区靠近漏引出区的一端，第一柱区在第三方向上的深度处处相等，第二柱区在第三方向上的深度逐渐减小；第二柱区具有第一导电类型，源引出区、漏引出区和第一柱区均具有第二导电类型；第一方向、第二方向和第三方向两两垂直，第三方向为衬底的厚度方向。
20、上述的超结ldmos器件及其制备方法，通过使超结漂移区中的第一柱区在第三方向上的深度不变，以及第二柱区在第三方向上的深度由源引出区(源端)至漏引出区(漏端)逐渐减小。这样，漏端加高压时，漏端最为严重的衬底辅助耗尽效应配合深度降低的第二柱区与第一柱区达到电荷平衡，从而消除了衬底辅助耗尽效应，提高了超结ldmos器件的耐压。
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1.一种超结LDMOS器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超结LDMOS器件，其特征在于，所述第一柱区远离所述衬底一侧的表面，以及所述第二柱区远离所述衬底一侧的表面均与所述外延层远离所述衬底一侧的表面重合。
3.根据权利要求1所述的超结LDMOS器件，其特征在于，所述第一柱区在所述第二方向上的宽度，与所述第二柱区在所述第二方向上的宽度相等。
4.根据权利要求2所述的超结LDMOS器件，其特征在于，所述外延层内还设置有轻掺杂区，所述轻掺杂区位于所述第二柱区靠近所述衬底的一侧，且与所述第二柱区邻接；
5.根据权利要求4所述的超结LDMOS器件，其特征在于，所述轻掺杂区具有第一导电类型，所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第二柱区的掺杂浓度；
6.根据权利要求2-5中任一项所述的超结LDMOS器件，其特征在于，所述第二柱区靠近所述衬底一侧的表面为斜面。
7.根据权利要求2-5中任一项所述的超结LDMOS器件，其特征在于，所述第二柱区靠近所述衬底一侧的表面为台阶面。
8.根据权利要求1-5中任一项
9.根据权利要求1-5中任一项所述的超结LDMOS器件，其特征在于，由所述超结漂移区靠近所述源引出区的一端至所述超结漂移区靠近所述漏引出区的一端，所述第二柱区的掺杂浓度逐渐减小。
10.一种超结LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种超结ldmos器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超结ldmos器件，其特征在于，所述第一柱区远离所述衬底一侧的表面，以及所述第二柱区远离所述衬底一侧的表面均与所述外延层远离所述衬底一侧的表面重合。
3.根据权利要求1所述的超结ldmos器件，其特征在于，所述第一柱区在所述第二方向上的宽度，与所述第二柱区在所述第二方向上的宽度相等。
4.根据权利要求2所述的超结ldmos器件，其特征在于，所述外延层内还设置有轻掺杂区，所述轻掺杂区位于所述第二柱区靠近所述衬底的一侧，且与所述第二柱区邻接；
5.根据权利要求4所述的超结ldmos器件，其特征在于，所述轻掺杂区具有第一导电类型，所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第二柱区的掺杂浓度；...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘腾，何乃龙，张森，章文通，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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