光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质技术方案

一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供设计图形，设计图形包括多个主图形，主图形具有直角拐角；对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。使得目标层在拐角处的应力减少，能够改善应力集中的问题，当目标层四周覆盖有其他膜层时，目标层在拐角处的应力会对其他膜层造成影响，因此，通过减小目标层在拐角处的应力，从而降低覆盖在目标层四周的膜层在目标层的拐角处出现裂纹的概率，进而有利于提高芯片可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，人们对集成电路的封装技术的要求相应也不断提高。现有的封装技术包括球栅阵列封装(Ball Grid Array，BGA)、芯片尺寸封装(Chip Scale Package，CSP)、晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)、三维封装(3D)和系统封装(System in Package，SiP)等。
[0003]然而随着芯片的尺寸日益缩小，在多样化的封装工艺形式下，在金属线的直角拐角处，容易出现应力集中的问题，在金属线直角拐角处形成的膜层容易受到应力的影响，在直角拐角处形成的膜层内部出现裂纹的现象。
[0004]膜层内部出现的裂纹现象会在后续的高温、高压、高湿的环境测试中不断恶化，导致芯片的可靠性下降。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，提高芯片可靠性。
[0006]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种光学邻近修正方法，包括：提供设计图形，设计图形包括多个主图形，主图形具有直角拐角；对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。
[0007]相应的，本专利技术实施例还提供一种光学邻近修正系统，包括：图形提供模块，用于提供设计图形，所述设计图形包括多个主图形，所述主图形中具有直角拐角；图形修正模块，对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。
[0008]相应的，本专利技术实施例还提供一种掩膜版，包括利用本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法获得的图形。
[0009]相应的，本专利技术实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法。
[0010]相应的，本专利技术实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法。
[0011]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
[0012]本专利技术实施例提供一种掩膜图形的形成方法，提供设计图形，包括多个主图形，所述主图形中具有直角拐角；对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，以获得修正后图形，
所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理，通过进行倒角处理，将直角拐角变为钝角拐角，或者，通过进行圆角处理，将直角拐角变为圆角拐角，相应的，将修正后图形转移至基底中形成目标层后，所述目标层的拐角为钝角或圆角，使得所述目标层在拐角处的应力减少，能够改善应力集中的问题，当所述目标层四周覆盖有其他膜层时，所述目标层在拐角处的应力会对其他膜层造成影响，因此，通过减小所述目标层在拐角处的应力，从而降低覆盖在所述目标层四周的膜层在所述目标层的拐角处出现裂纹的概率，进而有利于提高芯片可靠性。
附图说明
[0013]图1是一种半导体结构的俯视图；
[0014]图2是本专利技术光学邻近修正方法一实施例的流程图；
[0015]图3是图2的步骤S1一实施例的示意图；
[0016]图4是图2的步骤S2一实施例的示意图；
[0017]图5是图2的步骤S2一实施例的流程图；
[0018]图6是本专利技术光学邻近修正方法另一实施例的示意图；
[0019]图7是本专利技术光学邻近修正系统一实施例的功能框图；
[0020]图8是本专利技术提供的设备一实施例的硬件结构图。
具体实施方式
[0021]目前芯片的可靠性有待提高。现结合一种芯片中部分结构分析其性能有待提高的原因。
[0022]图1是一种半导体结构的俯视图。
[0023]参考图1，所述半导体结构包括：金属线10，所述金属线10中有凹拐角，所述凹拐角为直角；钝化层11，覆盖所述金属线10的侧壁。
[0024]经研究发现，当所述金属线10的凹拐角为直角时，所述金属线10在所述拐角处的会产生应力集中的问题，从而增大了覆盖在所述金属线10侧壁的钝化层11在所述拐角处出现裂纹(如图1中虚线圈中所示)的概率，进而降低了所述芯片的可靠性。
[0025]为了改善所述问题，目前常用的一种做法是通过进行多次刻蚀工艺，改变金属线10拐角处的图案，避免在金属线10的拐角处出现应力集中的现象，从而达到减少在金属线10的拐角处出现裂纹的概率，但是，进行多次刻蚀工艺容易增多使用光罩的次数，使得工艺成本大幅提升，不利于大规模生产。
[0026]此外，目前常用的另外一种做法是增大在金属线10的拐角处形成的膜层的厚度，通过膜层厚度的增加，来降低在金属线10的拐角处的膜层内部出现裂纹的概率，但是膜层厚度的增大会引入其他工艺问题，风险较大，不利于大规模生产。
[0027]为了解决所述技术问题，本专利技术实施例提供一种一种光学邻近修正方法，包括：提供设计图形，所述设计图形包括多个主图形，所述主图形具有直角拐角；对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。
[0028]本专利技术实施例对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，以获得修正后图形，所
述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理，通过进行倒角处理，将直角拐角变为钝角拐角，或者，通过进行圆角处理，将直角拐角变为圆角拐角，相应的，将修正后图形转移至基底中形成目标层后，所述目标层的拐角为钝角或圆角，使得所述目标层在拐角处的应力减少，能够改善应力集中的问题，当所述目标层四周覆盖有其他膜层时，所述目标层在拐角处的应力会对其他膜层造成影响，因此，通过减小所述目标层在拐角处的应力，从而降低覆盖在所述目标层四周的膜层在所述目标层的拐角处出现裂纹的概率，进而有利于提高芯片可靠性。
[0029]参考图2，示出了本专利技术光学邻近修正方法一实施例的流程图。所述光学邻近修正方法包括以下基本步骤：
[0030]步骤S1：提供设计图形，所述设计图形包括多个主图形，所述主图形具有直角拐角；
[0031]步骤S2：对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。
[0032]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0033]结合参考图3，执行步骤S1，提供设计图形100，所述设计图形100包括多个主图形101，所述主图形101具有直角拐角。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供设计图形，所述设计图形包括多个主图形，所述主图形具有直角拐角；对所述主图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形，所述光学邻近效应修正处理包括对所述直角拐角进行倒角处理或圆角处理。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述提供设计图形的步骤中，所述直角拐角由相垂直的第一边和第二边相交构成；对所述直角拐角进行倒角处理的步骤包括：确定预设的直角边长度作为第一预设长度、以及预设的斜边长度作为第二预设长度；比较所述第一边的长度和所述第一预设长度、以及所述第二边的长度和所述第一预设长度；当所述第一边和所述第二边的长度均大于所述第一预设长度时，在所述直角拐角处，截取所述第一预设长度的所述第一边作为第一线段，截取所述第一预设长度的所述第二边作为第二线段；将所述第一线段和第二线段替换为第三边，所述第一线段、第二线段和第三边围成三角形；当所述第一边和所述第二边中任一边的长度小于或等于所述第一预设长度时，根据所述第二预设长度，在所述直角拐角处，截取第三预设长度的所述第一边作为第一线段，截取第四预设长度的所述第二边作为第二线段；将所述第一线段和第二线段替换为第三边，所述第三边的长度为所述第二预设长度，且所述第一线段、第二线段和第三边围成三角形。3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一预设长度为第一边长度的10％至50％。4.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二预设长度为所述第一预设长度的倍至倍。5.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第三边与所述第一边之间的夹角为10度至80度；所述第三边与所述第二边之间的夹角为10度至80度。6.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第三预设长度小于或等于所述第一边的长度；所述第四预设长度小于或等于所述第二边的长度。7.如权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：马凯瑞，陶东言，刘金华，
申请(专利权)人：中芯北方集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：