光学邻近修正方法、系统、电子设备及存储介质技术方案

本发明专利技术公开了一种光学邻近修正方法、系统及计算机可读存储介质，包括：获取第一设计版图、第二设计版图以及第一设计版图的第一掩膜版图，其中，第一掩膜版图由对第一设计版图数据转换得到；将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；根据待修正区域信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。本发明专利技术实施例中，能够自动比较第二设计版图与第一设计版图的差异，提高光学修正效率。光学修正效率。光学修正效率。

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正方法、系统、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术属于计算机辅助
，尤其涉及一种光学邻近修正方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]光刻是集成电路制造的核心步骤，光刻的好坏以及分辨率决定了集成电路所能达到的尺寸的关键工艺。其中，在光刻过程中会产生光学邻近效应，原因是用于深亚微米工艺节点光刻的光源波长一般大于所制造的芯片的线宽，器件中最小线宽越来越逼近光刻投影系统的极限，光的衍射效应使设计图形的成像产生光学影像退化，从而导致实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变。
[0003]为了解决光学邻近效应带来的影响，光学临近修正技术(Opt ica l Proximity Correct ion，OPC)应运而生，光学邻近修正技术通过计算优化掩膜图形来解决传统光刻分辨率极限的问题，版图设计完成后，需要做物理验证、可制造性检查，之后完成光学临近修正和光学仿真验证，确保芯片在光刻制造中不会出现坏点。然而，上述场景都涉及版图经过光学临近修正处理后，当有局部单元电路或者布线重新修改，需要再次进行光学临近修正计算和验证。这就导致了在制作超大规模版图中，增加光学临近修正计算量，重复计算耗时耗力的问题发生。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种光学邻近修正方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质，能够自动比较第二设计版图与第一设计版图的差异，提高光学修正效率。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种光学邻近修正方法，包括：
[0006]获取第一设计版图、第二设计版图以及所述第一设计版图的第一掩膜版图，其中，所述第一掩膜版图由对所述第一设计版图数据转换得到；
[0007]将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；
[0008]根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；
[0009]根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。
[0010]根据本专利技术实施例提供的光学邻近修正方法，至少有如下有益效果：首先，获取第一设计版图、第二设计版图以及对第一设计版图进行数据转换得到的第一掩膜版图，并将第一设计版图与第二设计版图进行异或比较，从而生成待修正区域信息，便于后续基于待修正区域信息进行修正，提高光学修正效率，实现自动比较第一设计版图与第二设计版图之间的差异，之后，根据待修正信息以及第一掩膜版图对第二设计版图进行光学邻近修正，
得到修正结果，从而确保芯片在光刻制造中不会出现坏点，减少光学邻近修正的时间成本，最后，根据区域坐标信息以及修正结果对第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图，实现对第二设计版图的修正，并降低设计版图局部修改后重新生成掩膜图形的计算量和时间成本。
[0011]根据本专利技术的一些实施例，所述将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，包括：
[0012]将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，得到差异信息；
[0013]对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，所述对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息，包括：
[0015]基于预设的空间聚类算法对所述差异信息进行计算，得到多边形区域信息，其中，所述多边形区域信息用于表征多个多边形区域的亲疏关系；
[0016]对所述多边形区域信息进行区域划分，得到所述待修正区域信息。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果，包括：
[0018]根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域；
[0019]在所述目标矩形区域内对所述第二设计版图进行数据提取，得到第二设计版图切片；
[0020]在所述目标矩形区域内对所述第一掩膜版图进行数据提取，得到掩膜图形数据；
[0021]根据所述掩膜图形数据对所述第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到所述修正结果。
[0022]根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域，包括：
[0023]根据所述区域坐标信息确定待修正区域面积；
[0024]对所述待修正区域面积进行扩大光学直径操作，得到所述目标矩形区域。
[0025]根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述掩膜图形数据对所述第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到所述修正结果，包括：
[0026]基于预设的光刻模型以及预配置的配方参数对所述第二设计版图切片进行修正，得到切片修正结果；
[0027]根据所述掩膜图形数据对所述切片修正结果进行图形修正，得到所述修正结果。
[0028]根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图，包括：
[0029]根据所述区域坐标信息在所述第一掩膜版图中确定与所述修正结果对应的缝合区域；
[0030]根据所述修正结果对所述第一掩膜版图中的缝合区域进行替换，得到所述第二掩膜版图。
[0031]第二方面，本专利技术提供一种光学邻近修正系统，包括：
[0032]版图获取模块，用于获取第一设计版图、第二设计版图以及所述第一设计版图的第一掩膜版图，其中，所述第一掩膜版图由对所述第一设计版图数据转换得到；
[0033]版图比较模块，用于将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；
[0034]光学修正模块，用于根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；
[0035]数据替换模块，用于根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。
[0036]第三方面，本专利技术提供一种电子设备，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面所述的光学邻近修正方法。
[0037]第四方面，本专利技术提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如第一方面所述的光学邻近修正方法。
[0038]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0039]附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一设计版图、第二设计版图以及所述第一设计版图的第一掩膜版图，其中，所述第一掩膜版图由对所述第一设计版图数据转换得到；将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，其中，所述待修正区域信息包括区域坐标信息；根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果；根据所述区域坐标信息以及所述修正结果对所述第一掩膜版图进行替换处理，得到第二掩膜版图。2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，生成待修正区域信息，包括：将所述第一设计版图与所述第二设计版图进行异或比较，得到差异信息；对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息。3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述对所述差异信息进行空间聚类处理，生成所述待修正区域信息，包括：基于预设的空间聚类算法对所述差异信息进行计算，得到多边形区域信息，其中，所述多边形区域信息用于表征多个多边形区域的亲疏关系；对所述多边形区域信息进行区域划分，得到所述待修正区域信息。4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述待修正区域信息以及所述第一掩膜版图对所述第二设计版图进行光学邻近修正，得到修正结果，包括：根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域；在所述目标矩形区域内对所述第二设计版图进行数据提取，得到第二设计版图切片；在所述目标矩形区域内对所述第一掩膜版图进行数据提取，得到掩膜图形数据；根据所述掩膜图形数据对所述第二设计版图切片进行光学邻近修正，得到所述修正结果。5.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述待修正区域信息确定至少一个目标矩形区域，包括：根据所述区域坐标信息确...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵西金，李秋良，胡滨，
申请(专利权)人：珠海市睿晶聚源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：