半导体装置及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包含第一衬底，所述第一衬底具有第一衬底顶侧、与所述第一衬底顶侧相对的第一衬底底侧、插入于所述第一衬底顶侧和所述第一衬底底侧之间的第一衬底横向侧及第一衬底导电结构。电子组件耦合到所述第一衬底顶侧且耦合到所述第一衬底导电结构。支撑件包含支撑壁，所述支撑壁具有耦合到所述第一衬底顶侧的第一凸缘、耦合到所述第一衬底横向侧的第一立板及远离所述第一衬底横向侧从所述第一立板延伸的第二凸缘。本文中还公开了其它实例和相关方法。它实例和相关方法。它实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及制造半导体装置的方法


[0001]本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说，涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]先前的半导体封装和形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过大、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。

技术实现思路

[0003]本说明书包含涉及半导体封装的装置和相关联方法，以及其它特征。在一些实例中，描述了粘附强度提高且覆盖区更窄的3D加强杆或盖配置。所述装置和方法尤其提供了改进的翘曲控制，这提高了半导体封装的可靠性。
[0004]在实例中，一种半导体装置包含第一衬底，所述第一衬底具有第一衬底顶侧、与所述第一衬底顶侧相对的第一衬底底侧、插入于所述第一衬底顶侧和所述第一衬底底侧之间的第一衬底横向侧及第一衬底导电结构。电子组件耦合到所述第一衬底顶侧且耦合到所述第一衬底导电结构。支撑件包含支撑壁，所述支撑壁具有耦合到所述第一衬底顶侧的第一凸缘、耦合到所述第一衬底横向侧的第一立板及远离所述第一衬底横向侧从所述第一立板延伸的第二凸缘。
[0005]在实例中，一种半导体装置包含衬底，所述衬底具有衬底顶侧、与所述衬底顶侧相对的衬底底侧、插入于所述衬底顶侧和所述衬底底侧之间的衬底横向侧及衬底导电结构。电子组件在所述衬底顶侧邻近处耦合到所述衬底导电结构。支撑件包含：支撑壁，所述支撑壁具有耦合到所述第一衬底顶侧的第一凸缘、耦合到所述第一衬底横向侧的第一立板及远离所述第一衬底横向侧从所述第一立板延伸的第二凸缘；以及支撑顶部，其耦合到所述支撑壁且与所述电子组件重叠。
[0006]在实例中，一种制造半导体装置的方法包含提供衬底，所述衬底具有衬底顶侧、与所述衬底顶侧相对的衬底底侧、插入于所述衬底顶侧和所述衬底底侧之间的衬底横向侧及衬底导电结构。所述方法包含在所述衬底顶侧处将电子组件耦合到所述衬底导电结构。所述方法包含提供支撑件，所述支撑件具有：支撑壁，其包含第一凸缘、第一立板和第二凸缘；以及支撑顶部。所述方法包含将所述支撑件耦合到衬底，使得所述第一凸缘耦合到所述第一衬底顶侧，所述第一立板耦合到所述第一衬底横向侧，所述第二凸缘远离所述第一衬底横向侧从所述第一立板延伸，并且所述支撑顶部耦合到所述支撑壁且与所述电子组件重叠。
附图说明
[0007]图1示出实例半导体装置的横截面视图。
[0008]图2A、2B、2C和2D示出用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面视图。
[0009]图3A、3B和3C示出实例半导体装置的部分横截面视图。
[0010]图4A、4B和4C示出实例半导体装置的俯视图。
[0011]图5示出实例半导体装置的横截面视图。
[0012]图6示出实例半导体装置的横截面视图。
[0013]以下论述提供半导体装置和制造半导体装置的方法的各种实例。此类实例是非限制性的，且所附权利要求书的范围不应限于公开的特定实例。在以下论述中，术语“实例”和“例如”是非限制性的。
[0014]各图示出一般构造方式，并且可能省略熟知特征和技术的描述和细节以免对本公开产生不必要的混淆。另外，图式中的元件未必按比例绘制。例如，各图中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件放大，以帮助改进对本公开中论述的实例的理解。不同图中的相同附图标记表示相同元件。
[0015]术语“或”表示由“或”连接的列表中的任何一个或多个项。作为实例，“x或y”表示三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任一元素。作为另一实例，“x、y或z”表示七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任一元素。
[0016]术语“包括(comprises/comprising)”和/或“包含(includes/including)”为“开放”术语，且指定所陈述特征的存在，但不排除一个或多个其它特征的存在或添加。
[0017]术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，且这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，可以将本公开中论述的第一元件称为第二元件。
[0018]除非另外指定，否则术语“耦合”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接耦合的两个元件。例如，如果元件A耦合到元件B，那么元件A可以直接接触元件B或通过介入元件C间接耦合到元件B。类似地，术语“在
……
之上”或“在
……
上”可用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接耦合的两个元件。
具体实施方式
[0019]本公开中包含其它实例。此类实例可在附图、权利要求书和/或本公开的描述中找到。
[0020]图1示出实例半导体装置10的横截面视图。在图1所示的实例中，半导体装置10可包括衬底110、衬底互连件119、电子组件120、电子组件125、组件互连件129、底部填充物130、耦合膜190、支撑件150和粘合剂160。
[0021]衬底110可包括衬底顶侧111、衬底横向侧112和衬底底侧113。衬底110可进一步包括导电结构114和主体结构115。导电结构114可包括顶互连件1141、底互连件1142和导电路径1143。
[0022]电子组件120可包括组件端子121。电子组件125可包括组件端子126。支撑件150可包括支撑壁151和支撑顶部155。支撑壁151可包括第一凸缘(ledge)1511、第一立板(riser)1512和第二凸缘1513。
[0023]衬底110和支撑件150可被称为半导体封装，并且封装可以为电子组件120或125提
供保护，防止暴露于外部元件和/或环境。半导体封装可以通过衬底互连件119提供外部电子组件和电子组件120、125之间的电耦合。
[0024]图2A、2B、2C和2D示出用于制造半导体装置10的实例方法的横截面视图。
[0025]图2A示出处于制造早期的半导体装置10的横截面视图。在图2A所示的实例中，可以提供衬底110。在一些实例中，衬底110可包括基本上平坦的衬底顶侧111、与衬底顶侧111相对的基本上平坦的衬底底侧113及插入于衬底顶侧111和衬底底侧113之间的衬底横向侧112。在一些实例中，衬底110可包括或称为封装衬底、印刷电路板、层压衬底、重布层(RDL)衬底、半导体衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。在一些实例中，衬底110可包括或称为无源衬底或有源衬底(例如，具有晶体管或其它有源电路)。在一些实例中，衬底110可包括导电结构114和主体结构115。导电结构114可包括一个或多个导电层，其限定信号分布路径或元件，例如迹线、通孔、穿硅通孔(TSV)、穿玻璃通孔(TGV)或衬垫。在一些实例中，导电结构114可包括铜、铝、镍、钯、金或银。导电结构114可包括设置在主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一衬底，其包括：第一衬底顶侧；第一衬底底侧，其与所述第一衬底顶侧相对；第一衬底横向侧，其插入于所述第一衬底顶侧和所述第一衬底底侧之间；以及第一衬底导电结构；电子组件，其耦合到所述第一衬底顶侧且耦合到所述第一衬底导电结构；以及支撑件，其包括：支撑壁，其包括：第一凸缘，其耦合到所述第一衬底顶侧；第一立板，其耦合到所述第一衬底横向侧；以及第二凸缘，其远离所述第一衬底横向侧从所述第一立板延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第二凸缘定位在所述第一衬底顶侧和所述第一衬底底侧之间。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第二凸缘与所述第一衬底底侧基本上共面。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第二凸缘定位在所述第一衬底底侧下方。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述支撑件进一步包括：支撑顶部，其耦合到所述支撑壁且延伸以与所述电子组件重叠。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述支撑顶部利用附接材料耦合到所述支撑壁。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：耦合膜，其插入于所述电子组件和所述支撑顶部之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述耦合膜包括导热材料。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：第二衬底，其包括：第二衬底顶侧；第二衬底底侧；以及第二衬底横向侧，其插入于所述第二衬底顶侧和所述第二衬底底侧之间；其中：所述第一衬底耦合到所述第二衬底顶侧；以及所述第二凸缘耦合到所述第二衬底顶侧。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述支撑壁包括：第二立板，其从所述第二凸缘向下延伸；以及第三凸缘，其远离所述第一衬底横向侧从所述第二立板向外延伸；
所述第二衬底包括：第二衬底第一凸缘，其处于所述第二衬底顶侧的一部分处；第二衬底第一立板，其处于所述第二衬底横向侧的第一部分处；第二衬底第二凸缘，其处于所述第二衬底横向侧的第二部分处；以及第二衬底第二立板，其处于所述第二衬底横向侧的第三部分处；所述支撑壁的所述第二凸缘耦合到所述第二衬底第一凸缘；所述支撑壁的所述第二立板耦合到所述第二衬底第一立板；且所述支撑壁的所述第三凸缘耦合到所述第二衬底第二凸缘。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述支撑壁的所述第一凸缘利用粘合剂耦合到所述第一衬底顶侧；所述支撑壁的所述第一立板利用所述粘合剂耦合到所述第一衬底横向侧；且所述粘合剂被限制在由所述第一凸缘、与所述第一凸缘重...

【专利技术属性】
技术研发人员：马相延，康东熙，李尚炫，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：