用于光电设备的氘化半导体有机化合物制造技术

在不偏离本发明专利技术实质特征的条件下，本发明专利技术可以其它具体形式来体现。所述的实施方案在所有方面中均应认为是举例性的而不是限制性的。因而本发明专利技术的范围由所附权利要求书来指明，而不是由前述说明来指明。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于光电设备的新的半导体有机化合物和/或聚合物，其含有完全或部分氘化的共轭主链，其可提高材料的荧光发光性和热稳定性。更具体地说，本专利技术涉及通过用氘原子取代一或多个氢原子对具有含氢原子的共轭主链的已知发光材料的分子结构进行有效改性。所得到的氘化材料明显改变，并相对于已知发射荧光的材料具有大大改进的性能。
技术介绍
有机半导体材料具有低加工成本、通过改变化学结构容易控制性能和吸引人的电子性能的优点。这些材料通常由共轭发色团组成，所述发色团由饱和或不饱和连接单元来连接。近年来已探索了许多感兴趣的应用，如有机发光装置，有机激光，有机薄膜晶体管，和有机光电二极管。有机半导体的一种应用是活性平板显示或有机发光装置(OLED)。与通用平板显示装置相比，这种装置提供许多独特的特性，包括低成本、全色、具有更薄、更轻、更大和更柔性显示模件、更宽视角(＞160°)可能性的活动显示。所有这些特性意味着其是取代目前LCD显示器的有强竞争力的选择。这种装置由夹在两个电极之间的一或若干种半导体有机层组成。当施加电场时，电子由阴极注入相邻分子的最低未被占据的分子轨道(LUMO)，且空穴由阳极注入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机半导体，包含选自直链共轭有机化合物或聚合物、环状环、稠合环状环、杂环状环、稠合杂环状环、式Ｃ↓［Ａ］Ｍ↓［Ｂ］的金属螯合物或有机金属材料和它们的组合的共轭发色团，其中Ｃ代表共轭发色团；Ｍ代表选自Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｎ，Ｐ的金属，Ａ和Ｂ分别代表１至１０的数字，所述发色团具有至少５个共轭键，其中与共轭键连接的质子部分或全部被氘化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李晓常，上野和则，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]