覆盖电子元件的保护膜的形成方法及有保护膜的电子仪器技术

一种覆盖电子元件的保护膜的形成方法，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于：通过依次实行相对于前述基板，间隔规定的第１距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第１层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，和相对于前述基板，间隔比前述第１距离大的第２距离配置前述掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第２层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第１层保护膜和在第１层保护膜上更宽地覆盖第１层保护膜的第２层保护膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及覆盖装载在基板一面上的电子元件的保护膜的形成方法以及具有保护膜的电子仪器，例如涉及用以保护装载在透光性基板的一面上的有机电致发光(EL)元件，能够良好地维持其发光特性的保护膜的形成方法。
技术介绍
有机EL元件如图1(A)和(B)所示，在透光性基板1的一面上作为叠层体构成。另外图1(A)是表示在基板的一部分断裂状态的立体图，图1(B)是表示叠层状态的剖视图。即，作为叠层体的有机EL元件2，在透光性基板1上第1电极3例如通过溅射形成条纹状，在它上面孔穴输送层4例如通过蒸镀形成。在孔穴输送层4的上面，由有机化合物所得的发光材料层5同样通过蒸镀成膜。多根第2电极6在与前述第1电极垂直的方向上形成于发光材料层5的上面。另外，在图1(A)中，发光材料层5和孔穴输送层4是以一层描绘的。在这里，如图1(B)所示，在直流电源E的正极连接到第1电极3，直流电源E的负极连接到第2电极6的情况下，在两者交叉的象素部分，从第1电极3来的孔穴与从第2电极6来的电子在有机发光材料层5再次结合并发光。该发光作用所得的光通过透光性基板1向外部输出。作为前述基板1，例如可用透明玻璃，石英，蓝宝石或有机薄膜，作为第1电极的阳极3例如采用铟锡氧化物(ITO)。此外，作为第2电极的阴极6例如采用铝合金。这种有机EL元件2具有叠层体暴露在大气中特别是阴极6被大气中含有的湿气氧化，发光特性恶化的问题。因此，在特开平9-148066号公报披露了通过密封容器在与透光性基板之间的部分密封叠层体构成的有机EL元件并在其内部填充干燥剂的结构。可是，根据前述结构，利用一面敞开的箱型的不锈钢制的容器作为密封容器，利用粘结剂将其粘贴到透光性基板上，由此，密封叠层体构成的有机EL元件。可是，根据前述结构，由于前述容器的存在，发光显示面板的厚度显著增大。此外，前述有机EL元件由于利用例如有机薄膜作为透光性基板，尽管具有能够得到易弯曲的发光显示面板的特质，在利用如前述金属制的容器作为密封部件的情况下，也不能发挥这种特质。另一方面，特开2000-223264号公报披露了没有密封容器而是通过无机膜，有机膜的叠层保护膜密封有机EL元件的方法。尽管通过使用保护膜密封容易做成易弯曲的发光显示面板，但是在成膜的保护膜为多个的情况下，产生了必须使用与成膜的保护膜大小相符的掩膜，掩膜的交换频率增加，需要与掩膜相符的腔室(成膜室)，掩膜保管场所等的制造工序增加等问题。本专利技术基于前述技术的观点而提出，目的在于提供能够将装载于以例如前述有机EL显示面板为代表的基板的一面上的电子元件有效地密封的保护膜的形成方法，而且目的在于提供以具有前述密封用保护膜的有机EL显示面板为代表的电子仪器的新的结构。
技术实现思路
为了达到前述目的而提出的本专利技术的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，如方案1所述，其特征在于在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，通过依次实行相对于前述基板，间隔规定的第1距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。此外，本专利技术的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，如方案2所述，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于通过一面保持前述基板与蒸发源的一定距离，一面依次实行将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。进而，本专利技术的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，如方案4所述，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于通过一面保持前述基板与掩膜的一定距离，一面依次实行将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序和相对于前述基板，间隔比前述第1距离小的第2距离配置前述蒸发源的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。另一方面，为了达到前述目的而提出的本专利技术的具有保护膜的电子仪器，如方案7所述，在电子元件装载在基板一面上，以覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有实行相对于前述基板，间隔规定的第1距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。本专利技术的具有保护膜的电子仪器，如方案8所述，在以电子元件装载在基板一面上，覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。本专利技术的具有保护膜的电子仪器，如方案9所述，在以电子元件装载在基板一面上，覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜和相对于前述基板，间隔比前述第1距离小的第2距离配置前述蒸发源的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：大畑浩，尾越国三，木村政美，
申请(专利权)人：东北先锋电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：