薄膜形成方法和装置、有机电致发光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可以高精度并且正确地进行掩模蒸镀等各种图案成膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置，另外，提供一种使用了该薄膜形成方法的有机电致发光装置的制造方法及有机电致发光装置、具有该有机电致发光装置的电子设备。该薄膜形成方法是在基板（Ｇ）和材料源（１）之间配置掩模（Ｍ），在基板（Ｇ）上将所述材料源（１）的材料作为薄膜而形成的薄膜形成方法，其特征是，具有使掩模（Ｍ）和基板（Ｇ）密接的基板密接工序、测定掩模（Ｍ）和基板（Ｇ）之间的间隙的间隙测定工序、根据该间隙测定工序的测定结果形成所述薄膜的薄膜形成工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜形成方法、薄膜形成装置、有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置及电子设备。
技术介绍
有机电致发光(以下称为有机EL)装置由于是具有层叠了薄膜的构造的自发光型的高速响应性显示元件，因此可以形成较轻且在动画响应方面优良的显示面板，因此在近年来作为FPD(Flat Panel Display)电视机等的显示面板而非常受到关注。作为其代表性的制造方法，已知有通过使用光刻技术，将ITO(铟锡氧化物)等的透明阳极图案处理为所需的形状，继而用电阻加热式真空蒸镀装置将有机材料层叠成膜，其后形成阴极的方法。这里，通过蒸镀MgAg等低功函数的金属阳极膜而形成阴极，另外，通过在惰性气体气氛中密闭密封，而保护发光元件不受水分或氧等的影响。另外，为了通过改变发光材料，而使发光颜色进行各种各样的变化，例如通过利用掩模蒸镀来分别对每个象素制作红、绿、蓝的发光元件，就可以制造非常鲜艳的全色有机EL装置。此种全色有机EL装置的制造方法是用比面板尺寸更大更薄的高精细的金属掩模覆盖所需蒸镀部分，在将该金属掩模从玻璃基板背面利用某个特定的磁铁吸引的状态下，对每个颜色实施高精度的选择蒸镀，从而制作全色有机EL装置(例如参照专利文献1。)。专利文献1日本特开2002-75638号公报但是，由于金属掩模的热膨胀系数与面板用玻璃基板相比非常大，因此当面板尺寸变大时，由于蒸镀时的辐射热的作用，金属掩模比面板用玻璃基板伸展更大，而由此产生应力，由于这些应力的作用而在磁铁所吸引的部分中就会产生上浮，从而有无法实施高精度并且正确的蒸镀的问题。例如，经常发生材料混合到其他颜色的象素中等不良情况，产生成品率非常差的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于所述的课题而提出的，其目的在于，提供可以高精度并且正确地进行掩模蒸镀等的各种图案成膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置，另外还提供使用了该薄膜形成方法的有机电致发光装置的制造方法及有机电致发光装置、具有该有机电致发光装置的电子设备。为了实现所述的目的，本专利技术采用了以下的构成。本专利技术的薄膜形成方法是在基板和材料源之间配置掩模，在所述基板上将所述材料源的材料作为薄膜而形成的薄膜形成方法，其特征是，具有使所述掩模和所述基板密接的基板密接工序；测定所述掩模和所述基板之间的间隙的间隙测定工序；根据该间隙测定工序的测定结果，形成所述薄膜的薄膜形成工序。这里，所谓「根据测定结果形成薄膜的薄膜形成工序」是指，以测定结果为基础对薄膜形成工序进行各种控制。例如，改变薄膜形成条件而在能够所需的条件下实施薄膜的形成。这样，就可以通过实施基板密接工序而使掩模和基板密接。另外，由于通过实施间隙测定工序来测定处于密接状态的掩模和基板之间的间隙，因此就可以检测出由热膨胀引起的掩模的上浮。另外，通过与该间隙测定工序的测定结果对应地实施薄膜形成工序，因此就可以防止这些间隙的产生，从而可以在使掩模和基板密接的状态下在基板上形成薄膜。通过经过此种一连串的工序，就可以在基板上高精度并且正确地形成与掩模的开口部对应的规定的图案的薄膜。所以，由于可以抑制成为以往问题的材料混合到其他颜色的象素中等不良情况的发生，因此就可以实现成品率的提高。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，在所述薄膜形成工序之前，进行所述间隙测定工序。这样，由于在实施了间隙测定工序后，根据该间隙测定工序的测定结果而实施薄膜形成工序，因此就可以在使之良好地密接的状态下实施薄膜的形成。另外，可以在确认掩模和基板的密接状态后实施薄膜的形成。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，与所述薄膜形成工序同时地进行所述间隙测定工序。这样，由于在实施间隙测定工序的同时，与该间隙测定工序的测定结果对应地实施薄膜形成工序，因此就可以在形成薄膜期间测定间隙，并根据该测定结果实施薄膜形成工序。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，根据所述间隙测定工序的测定结果，停止所述薄膜形成工序。这样，由于在例如间隙测定工序的测定结果显示异常(间隙变大了)的情况下，停止薄膜形成工序，因此就可以不在间隙较大的状态下形成薄膜。所以，就可以提前防止材料混合到其他的颜色的象素中等不良情况的发生。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，根据所述间隙测定工序的测定结果，改变所述基板密接工序的密接力。这样，由于掩模和基板的密接力与间隙的大小对应地发生变化，因此例如在间隙变大了的情况下，通过提高掩模和基板的密接力就可以缩小间隙。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，所述基板密接工序利用磁力使所述基板和所述掩模密接。这里，作为产生磁力的构件，采用电磁铁或永久磁铁。在使用电磁铁的情况下，通过控制电流量就可以控制磁力。另外，在使用磁铁的情况下，不需要电流供给就可以用规定的磁力进行吸引。这样，由于利用磁力将掩模吸附在基板侧，因此就可以使两者良好地密接。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，所述基板密接工序将所述基板向所述掩模推压而使之密接。这里，当将基板向掩模推压时，通过使用规定的重物向基板施加载荷或使用弹簧等弹性体而向基板施加载荷来进行。这样，就可以通过将基板向掩模推压，而使两者密接。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，所述基板密接工序利用静电力使所述基板和所述掩模密接。这里，所谓利用静电力使掩模和基板密接，是通过向掩模和基板分别施加极性不同的电位、正(+)及(-)而进行。这样，就可以利用掩模和基板间产生的静电力使两者密接。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，所述间隙测定工序使用激光。这里，所谓使用激光是指，向多个测定对象物照射激光，通过测定被这些多个测定对象物分别反射的激光的强度，来测定多个测定对象物间的距离。这样，由于可以将激光的强度变化作为掩模和基板之间的间隙的量而测定，因此就可以容易地测定间隙。另外，由于与测定对象物非接触地光学地测定，因此就不会损伤或破坏测定对象物。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，所述间隙测定工序利用静电电容的测定来进行。这样，由于可以将静电电容作为掩模和基板之间的间隙的量而测定，因此就可以容易地测定间隙。另外，由于与测定对象物非接触地电气地测定，因此就不会损伤或破坏测定对象物。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，所述间隙测定工序从所述基板的所述薄膜的非形成面一侧进行。这样，由于材料源的材料不会附着在间隙测定机构上，因此就可以防止由材料附着在间隙测定机构上而造成的测定误差的产生。所以，就可以良好地测定掩模和基板之间的间隙。另外，在所述薄膜形成方法中，其特征是，所述间隙测定工序对所述基板的主面内的角部附近或者中央部当中的至少一方的所述间隙进行测定。这里，基板的主面内的角部附近或其中央部是容易产生掩模和基板之间的间隙的部位。所以，通过测定角部附近或中央部，就可以测定容易产生间隙的部分的间隙。另外，本专利技术的薄膜形成装置，是在基板和材料源之间配置掩模而在所述基板上将所述材料源的材料作为薄膜而形成的薄膜形成装置，其特征是，具有使所述掩模和所述基板密接的基板密接机构、测定所述掩模和所述基板之间的间隙的间隙测定机构、在所述基板上形成薄膜的薄膜形成机构。这样，就可以通过设有基板密接机构而使掩模和基板密接。另外，由于可以通过设有间隙测定机构而测定处于密接状态的掩模和基板之间的间隙，因此就可以检测出由热膨胀引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜形成方法，是在基板和材料源之间配置掩模，在所述基板上将所述材料源的材料作为薄膜而形成的薄膜形成方法，其特征是，具有：使所述掩模和所述基板密接的基板密接工序；　测定所述掩模和所述基板之间的间隙的间隙测定工序；根 据该间隙测定工序的测定结果，形成所述薄膜的薄膜形成工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：四谷真一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]