有机光发射设备以及制造该有机光发射设备的方法技术

本发明专利技术提供了一种有机光发射设备以及制造该有机光发射设备的方法。所述有机光发射设备包括：衬底；形成在所述衬底上的用作电极的第一和第二金属层；形成在所述第一金属层上的电子传输层；第一隔离墙，用于绝缘第一金属层和第二金属层并且沿第一金属层延伸到电子传输层上；形成在电子传输层周围的第一金属层上的第二隔离墙；从第一隔离墙分隔的并形成在第二金属层上的第三隔离墙；形成在电子传输层上的有机光发射层；形成在有机光发射层上的并接触第二金属层的空穴传输层；保护层，用于覆盖空穴传输层，并延伸到在第二和第三隔离墙之外的第一和第二金属层；以及密封材料，用于填充在保护层和第一和第二金属层之间的空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光发射设备以及制造该光发射设备的方法，特别地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
光发射设备通常根据光发射方向具有底部发射结构或顶部发射结构。具有顶部发射结构的光发射设备具有优于具有底部发射结构的光发射设备的光发射效率。因此，具有顶部发射结构的光发射设备被广泛地用作显示器。如图1中所示，传统的具有顶部发射结构的光发射设备包括顺序形成的阴极层10、用于发射光L的光发射层12、空穴传输层14以及阳极层16。阳极层16是铟锡氧化(ITO)层，它是导电的和透明的。ITO层被高温沉积，并且也经过热处理来增强导电性。以400℃或更高的温度来进行ITO层的沉积和热处理。但是，光发射设备的光发射材料不能经受高温沉积加工和热处理加工。因此，已经开发了低温沉积ITO层的方法。但是，当低温沉积ITO层时，因为ITO层脱落，而降低了光发射设备的性能。因此，已经不能获得期望的结果。此外，传统的光发射设备具有低的外耦合效率，这是通过整个内部反射来发射在光发射层中所产生的光的效率。也就是说，从具有不同的反射率的有机光发射设备的元件的边缘反射回到该有机光发射设备内部的光包括平行于衬底的光和垂直于衬底的光。从衬底的角部发射大多数平行于衬底的光。能在使用反射层的光发射设备的顶部的方向上发射垂直于衬底的光。从阳极层单独形成反射层。但是，至于从具有不同的反射率的有机光发射设备的元件的边缘向该有机光发射设备的内部反射的光，其平行衬底的并从该有机光发射设备泄露出去的光几乎是该有机光发射设备的总的泄露光的50％。因此，发光效率是低的。
技术实现思路
因此，本专利技术提出了一种，所述设备和方法改善了由于使用ITO层的问题和增加光发射效率。根据本专利技术的一个实施例的一个特征，提供了一种有机光发射设备，该有机光发射设备包括衬底；形成在所述衬底上的用作电极的第一和第二金属层；形成在所述第一金属层上的电子传输层；第一隔离墙，用于将第一金属层和第二金属层相绝缘并且沿第一金属层延伸到电子传输层上；在电子传输层周围的第一金属层上形成第二隔离墙；与第一隔离墙隔开的并形成在第二金属层上的第三隔离墙；形成在电子传输层上的有机光发射层；形成在有机光发射层上的空穴传输层，该空穴传输层覆盖第一隔离墙并接触在第一和第三隔离墙之间的第二金属层的暴露部分；保护层，用于覆盖空穴传输层，并延伸到在第二和第三隔离墙周围的第一和第二金属层上；以及密封层，用于填充在所述保护层和所述第一和第二金属层之间的空间。可以在所述衬底中形成凹槽，该凹槽的内表面可以具有轻微斜坡以便平行于衬底的入射光被向上反射，以及所述第一和第二金属层可以向该凹槽延伸。所述凹槽可以是非对称的。可以在所述凹槽中形成第一和第二台阶，所述第一台阶接触所述凹槽的底部，以及所述第一台阶与所述第二台阶相分离。所述第一金属层可以跨过其中没有形成台阶的凹槽的内表面的一部分和所述凹槽的底部延伸到所述第二台阶。所述第二金属层可以覆盖所述第一台阶，所述第二金属层延伸到所述凹槽周围的衬底的上表面。同样，所述第二金属层可以延伸到所述第一和第二台阶之间的衬底的平坦表面。可以在所述第一金属层上形成第一耦合材料。可以在所述保护层上形成与所述第一耦合材料相组合的第二耦合材料。所述第一和第二耦合材料可以分别是凸起部分和凹槽，其中所述凸起部分被插进所述凹槽中。电子传输层可以是单层或多层，该单层或多层具有在有机光发射层的工作功能和第一金属层的工作功能之间的工作功能。所述衬底可以包括形成凹槽的底部的基本衬底(base substrate)和形成凹槽的内表面的玻璃衬底。根据本专利技术的一个实施例的另一个特征，提供了一种有机光发射设备，该有机光发射设备包括衬底；形成在所述衬底中的用作阴极的掺杂区域(doped region)；形成在所述掺杂区域上的电子传输层；第一金属层，被形成在所述电子传输层周围的衬底上；形成在所述衬底上的用作阳极层的第二金属层，其中在所述第一和第二金属层之间存在缝隙；形成在所述第一和第二金属层上的隔离墙，该隔离墙填充所述缝隙并且暴露接近于所述缝隙的第二金属层的一部分；形成在所述电子传输层上的有机光发射层；形成在所述有机光发射层上的空穴传输层，该空穴传输层接触所述第二金属层；保护层，用于覆盖所述空穴传输层，并接触所述隔离墙；以及密封材料，用于填充在所述保护层和所述衬底之间的空间以及在所述保护层和所述第二金属层之间的空间。可以在所述衬底中形成凹槽，该凹槽的内表面具有轻微斜坡以便平行于衬底的入射光被向上反射，在所述凹槽中提供了所述第一和第二金属层、电子传输层和隔离墙，以及在所述凹槽的底部中形成了掺杂区域。所述凹槽可以是非对称的。所述凹槽可以具有第一和第二台阶，其中所述第二台阶接触所述凹槽的底部并且与所述第一台阶相分离。所述第一金属层可以被形成在其中没有形成台阶的凹槽的内表面的一部分上和形成在所述第二台阶上，以及所述金属层向上延伸到在所述凹槽周围的衬底的顶部以及向下延伸到隔离墙。耦合材料可以被形成在延伸到所述凹槽之外的保护层的一部分中以及形成在与延伸到所述凹槽之外的保护层的所述部分相对应的衬底的一部分中。所述衬底可以是施加负电压的P型硅衬底。根据本专利技术的一个实施例的再一特征，提供了一种用于制造所述有机光发射设备的方法，该方法包括步骤在衬底中形成凹槽；在衬底上形成延伸到所述凹槽的第一和第二金属层，在所述第一和第二金属层之间形成缝隙；形成用于填充在所述第一和第二金属层上的所述缝隙的隔离墙，并同时暴露形成在凹槽的底部上的所述第一金属层的一部分和与所述缝隙相邻的所述第二金属层的一部分；在在所述凹槽的底部上所形成的所述第一金属层的一部分上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成有机光发射层；在所述有机光发射层上形成接触隔离墙之间的第二金属层的暴露部分的空穴传输层；以及形成并密封用于覆盖形成在所述凹槽中的所有元件的保护层。所述形成凹槽可以包括非对称地形成具有轻微倾斜内表面的凹槽。所述形成凹槽可以包括在凹槽中形成第一和第二台阶，其中所述第二台阶接触所述凹槽的底部并且与所述第一台阶相分离，在所述第一和第二台阶之间形成平坦表面。所述形成第一和第二金属层还可以包括在将要形成缝隙的衬底上形成掩膜；在由所述掩膜暴露的衬底的一部分上形成金属层；以及去除所述掩膜。所述形成隔离墙还可以包括形成用于暴露将要形成所述隔离墙的区域的掩膜；通过使用所述掩膜形成用于填充所述衬底上的缝隙的绝缘层；以及去除所述掩膜。所述形成第一和第二金属层还可以包括在凹槽周围的第一金属层的一部分上形成第一耦合材料。所述形成和密封保护层还可以包括将第二耦合材料形成到所述保护层上，其中所述第二耦合材料面对所述第一耦合材料。所述第一耦合材料可以是凸起部分以及所述第二耦合材料可以是将所述凸起部分插入到其中的凹槽。所述形成凹槽还可以包括形成基本衬底(base substrate)；在所述基本衬底上形成玻璃衬底；以及在所述玻璃衬底中形成用于暴露所述基本衬底的渗透孔，其中所述渗透孔的内表面是与所述凹槽的内表面相同的。所述电子传输层可以是单层或多层。所述保护层可以紧密地附着到空穴传输层、在所述空穴传输层上暴露的隔离墙的一些部分以及在所述凹槽周围的第一和第二金属层的一些部分上。根据本专利技术的一个实施例的再另一特征，提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机光发射设备，包括：衬底；形成在所述衬底上的用作电极的第一和第二金属层；形成在所述第一金属层上的电子传输层；第一隔离墙，用于将第一金属层与第二金属层相绝缘并且沿第一金属层延伸到电子传输层上；第二 隔离墙，被形成在电子传输层周围的第一金属层上；与第一隔离墙隔开的并形成在第二金属层上的第三隔离墙；形成在电子传输层上的有机光发射层；形成在有机光发射层上的空穴传输层，该空穴传输层覆盖第一隔离墙并接触在第一和第三隔离墙 之间的第二金属层的暴露部分；保护层，用于覆盖空穴传输层，并延伸到在第二和第三隔离墙周围的第一和第二金属层上；以及密封层，用于填充在所述保护层和所述第一和第二金属层之间的空间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金武谦，金相烈，瓦斯里伦尼亚钦，宋美贞，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]