包含硅基发光材料的电致发光器件及制备方法技术

一种包含硅基高效发光材料的电致发光器件，采用杂质离子注入在硅基二氧化硅薄膜里实现硅基材料的高效室温发光，包括：一ｐ－型或ｎ－型硅衬底；一掺杂层，该掺杂层制作在硅衬底上，该掺杂层是在硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法形成的，该掺杂层是发光器件的有源区；一ｎ－型或ｐ－型多晶硅层，该ｎ－型或ｐ－型多晶硅层制作在掺杂层上；一二氧化硅隔离层，该二氧化硅隔离层生长在掺杂层和多晶硅层上；一电极，该电极制作在ｎ－型或ｐ－型多晶硅层上；另一电极，该电极制作在ｐ－型或ｎ－型硅衬底上；在二氧化硅隔离层表面留有一出光口。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电致发光器件及制备方法，特别涉及一种。
技术介绍
硅基电子学和集成电路的成就已成为当代发展电子计算机、通信、电子控制和信息处理等信息高技术的不可替代的强大支柱，它不仅占据着国民经济和国防建设中的显赫地位，而且民用电子产品早已经深入千家万户，成为我们生活中必不可少的一部分。而且，地球上蕴藏着取之不尽的硅原料，随着近半个世纪以来集成电路的发展，硅基材料与器件工艺已获得惊人的成熟，硅基电子产业已成为当今信息产业的主导，更重要的是，硅基电子产品的性能价格比几乎无可匹敌。然而在光电子领域的发展中，虽然在硅基太阳能电池、光电探测器等有强大的优势，以很高的性价比占领了市场，但是在当今最具代表性的光通信发展领域，硅仍然排斥在外，未能进入主角的位置。硅基材料能否高效发光，从而做成高效率的发光二极管和激光器，这是自半导体激光器问世以来人们一直孜孜以求而尚未达到的目标，这也是决定硅基材料能否在光电子领域中占据主角位置的关键。然而众所周知，硅属于间接带隙材料，导带和价带的极值不在动量空间的同一点，根据动量守恒原理，注入到硅导带底的电子与价带顶的空穴的复合必须借助于声子的参与，它是一个多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含硅基高效发光材料的电致发光器件，采用杂质离子注入在硅基二氧化硅薄膜里实现硅基材料的高效室温发光，其特征在于，包括：一ｐ－型或ｎ－型硅衬底；一掺杂层，该掺杂层制作在ｐ－型或ｎ－型硅衬底上，该掺杂层是在ｐ－型或ｎ－型硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法形成的，该掺杂层是发光器件的有源区；一ｎ－型或ｐ－型多晶硅层，该ｎ－型或ｐ－型多晶硅层制作在掺杂层上；一二氧化硅隔离层，该二氧化硅隔离层生长在掺杂层和ｎ－型或ｐ－型多晶硅层上；一电极，该电极制作在ｎ－型或ｐ－型多晶硅层上；另一电极，该电极制作在ｐ－型或ｎ－型硅衬底上；在二氧化硅隔离层表面留有一出光口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张建国，成步文，余金中，王启明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]