场发射显示器的闸极网罩制作方法技术

一种场发射显示器的闸极网罩制作方法，适用于四极场发射显示器上。该制作方法为：先形成一聚焦金属网罩，并在聚焦金属网罩上形成有多个孔隙，再在该聚焦金属网罩表面涂布低黏度的水溶性高分子溶液，以形成一黏滞接口，再经过第一次低温简易干燥过程，使该黏滞接口成膜干燥，待黏滞接口成膜干燥后，再以一种网印制程在黏滞接口表面上涂布绝缘材料，形成一均匀的绝缘层后，可以利用第二次低温干燥程序使表面成膜干燥，再利用烧结制程，有效完全地去除黏滞接口，并可将绝缘层涂料结晶在该聚焦金属网罩上，利于后续闸极电极层制作。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种在四极场发射显示器的聚焦金属网罩表面上制作一层黏滞接口，用于将绝缘层涂料容易地涂覆在黏滞接口上，由黏滞接口的特性可避免绝缘层涂料摊流在聚焦金属网罩孔隙内的场发射显示器的闸极网罩的制作方法。
技术介绍
已知的四极场发射显示器(如图1所示)，在阴极电极4的闸极电极层41上进一步设置一收敛电极层(聚焦金属网罩)42，该收敛电极层42介于闸极电极层41与阳极电极5之间，用于聚焦收敛电子束。上述收敛电极层42结合闸极电极层41结构形成一种三明治(夹层)结构，可简化封装制程，提高成品率，降低成本。该技术利用一闸极网罩涂布或网印制作一绝缘层43，再在绝缘层43上制作一闸极电极层41。其中结合微影及蚀刻制程以形成对应孔隙44，孔隙44作为被激发的电子束的通道，以激发阳极的荧光粉体层。而制作成一独立组件的收敛电极层42结合闸极电极层41形成一种三明治结构，该结构设置在场发射显示器中，用闸极电极层41吸引阴极电子发射源的电子形成电子束。而收敛电极层42则用于聚焦收敛电子束。由此，网罩结构可提供在场发射显示器中制作一四极结构的场发射显示器。由于收敛电极层42是一种膨胀系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射显示器的闸极网罩制作方法，适用于四极场发射显示器上，其特征在于，所述方法包括：ａ）先形成一聚焦金属网罩，并在所述聚焦金属网罩上形成有多个孔隙；ｂ）待所述聚焦金属网罩制作完成后，在所述聚焦金属网罩表面涂布低黏度的水溶 性高分子溶液，形成一黏滞接口；ｃ）待所述黏滞接口制作完成后，再经过第一次低温简易干燥过程，使所述黏滞接口成膜干燥；ｄ）待所述黏滞接口成膜干燥后，再采用一种网印制程将绝缘材料涂布在所述黏滞接口的表面，形成一均匀的绝缘层；　 　ｅ）待所述绝缘层涂覆后，可以利用第二次低温干燥程序使表面成膜干燥，再利用烧结制程，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许瑞庭，吴家宏，张普欣，陈士勋，萧世坚，
申请(专利权)人：东元奈米应材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]