灵敏放大器及存储芯片制造技术

本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片，该灵敏放大器包括第一钳位单元、第二钳位单元第一电流单元以及反馈单元，通过反馈单元耦接总位线、第一钳位单元的控制端，可以使得总位线的电位变化形成闭环控制，即总位线的电位升高，会降低流经第一电流单元、反馈单元的电流，并增加流经第二钳位单元的电流，第一钳位单元的控制端电位下降，流经第一钳位单元的电流也降低，总位线的电位下降至预设电位而得以保持稳定；反之，总位线的电位会升高至预设电位而得以保持稳定。得以保持稳定。得以保持稳定。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器及存储芯片


[0001]本申请涉及存储
，具体涉及一种灵敏放大器及存储芯片。

技术介绍

[0002]在存储芯片或者存储器中，灵敏放大器用于读出存储单元中的存储数据。然而，在实际工作过程中，灵敏放大器受到影响会导致总位线或者位线电压不稳，或者对位线的预充不充分或者过充，都会严重影响灵敏放大器的分辨率。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种灵敏放大器及存储芯片，以缓解总位线电压的稳定度较低的技术问题。
[0004]第一方面，本申请提供一种灵敏放大器，该灵敏放大器包括第一钳位单元、第二钳位单元第一电流单元以及反馈单元，第一钳位单元的第一端与电源端电连接，第一钳位单元的第二端与总位线电连接；第二钳位单元的第一端与第一钳位单元的控制端电连接，第二钳位单元的第二端与接地端电连接，第二钳位单元的控制端与第一钳位单元的第二端电连接；第一电流单元的第一端与电源端电连接，第一电流单元的第二端与第二钳位单元的第一端电连接，第一电流单元的控制端与第一偏置电压端电连接；反馈单元的第一端与电源端电连接，反馈单元的第二端与第一电流单元的第二端电连接，反馈单元的控制端与第一钳位单元的第二端电连接。
[0005]在其中一些实施方式中，反馈单元包括反馈晶体管，反馈晶体管的第一极与电源端电连接，反馈晶体管的第二极与第一电流单元的第二端电连接，反馈晶体管的控制极与第一钳位单元的第二端电连接。
[0006]在其中一些实施方式中，第一电流单元包括第一电流晶体管，第一电流晶体管的第一极与电源端电连接，第一电流晶体管的第二极与反馈晶体管的第二极电连接，第一电流晶体管的控制极与第一偏置电压端电连接。
[0007]在其中一些实施方式中，第二钳位单元包括第二钳位晶体管，第二钳位晶体管的第一极与反馈晶体管的第二极、第一电流晶体管的第二极电连接，第二钳位晶体管的第二极与接地端电连接，第二钳位晶体管的栅极与第一钳位单元的第二端电连接。
[0008]在其中一些实施方式中，第一钳位单元包括第一钳位晶体管，第一钳位晶体管的第一极与电源端电连接，第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接，第一钳位晶体管的控制极与第二钳位晶体管的第一极、反馈晶体管的第二极以及第一电流晶体管的第二极电连接。
[0009]在其中一些实施方式中，第一钳位晶体管、第二钳位晶体管均为N沟道型晶体管；第一电流晶体管、反馈晶体管均为P沟道型晶体管。
[0010]在其中一些实施方式中，灵敏放大器还包括第二电流晶体管和预充电晶体管，第二电流晶体管的第一极与电源端电连接，第二电流晶体管的第二极与第一钳位晶体管的第
一极电连接，第二电流晶体管的控制极与第二偏置电压端电连接；预充电晶体管的第一极与电源端电连接，预充电晶体管的第二极与第一钳位晶体管的第一极、第二电流晶体管的第二极电连接，预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接。
[0011]在其中一些实施方式中，灵敏放大器还包括第一晶体管、第二晶体管以及缓冲器，第一晶体管的第一极与电源端电连接，第一晶体管的控制极与第一钳位晶体管的第一极、预充电晶体管的第二极以及第二电流晶体管的第二极电连接，第一晶体管为P沟道型晶体管；第二晶体管的第一极与第一晶体管的第二极电连接，第二晶体管的第二极与接地端电连接，第二晶体管的控制极与第三偏置电压端电连接，第二晶体管为N沟道型晶体管；缓冲器的输入端与第一晶体管的第二极、第二晶体管的第一极电连接，缓冲器的输出端用于输出对应的读出数据。
[0012]在其中一些实施方式中，流经反馈单元的电流与流经第一电流单元的电流之比为1：M，其中，M为正数。
[0013]第二方面，本申请提供一种存储芯片，该存储芯片包括上述至少一实施方式中的灵敏放大器。
[0014]在其中一些实施方式中，存储芯片还包括译码晶体管，译码晶体管的第一极与总位线电连接，译码晶体管的第二极与位线电连接，译码晶体管的控制极与译码选择端电连接，译码晶体管为N沟道型晶体管。
[0015]在其中一些实施方式中，存储芯片还包括存储晶体管，存储晶体管的第一极与译码晶体管的第二极电连接，存储晶体管的第二极与接地端电连接，存储晶体管的控制栅与字线电连接。
[0016]本申请提供的灵敏放大器及存储芯片，通过反馈单元耦接总位线、第一钳位单元的控制端，可以一方面使得总位线的电位变化形成闭环控制，即第一恒定电流单元与第二钳位单元构成单极共源共栅放大器，反馈单元的接入，使得该共源共栅放大器的增益更大，反应更快。当总位线的电位升高，即第二钳位单元控制极电位升高，此共源共栅放大器输出端即第一钳位单元控制端电位就下降很多，第一钳位单元作为源跟随器使得总位线的电位又会被拉下到预设的电位而得以稳定；反之，当总位线的电位下降，通多第二钳位单元，第一恒流电流单元以及反馈单元的共同作用下，总位线的电位又会被抬升到预设的电位而得以保持稳定；反馈单元以及第一恒流电流单元的这种组合，使得钳位电路的反应速度更快，从而使总位线的的钳位电压更稳定。另一方面，当此灵敏放大器处在位线预充开始阶段时，总位线电位很低，反馈单元的电流会很大，使得第一钳位单元的控制极电压迅速抬高，从而第一钳位单元的电流即总位线的充电电流会很快提升很多，从而加速了总位线的充电速度，使总位线电位更早到达预期的钳位电压。
[0017]又，相较于现有灵敏放大器中钳位电路的可用种类较少，本申请通过第一电流单元、反馈单元以及第二钳位单元可以构造出不同于现有技术的钳位电路，丰富了钳位电路的种类，也拓宽了钳位电路更多的可应用场景。
附图说明
[0018]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0019]图1为本申请实施例提供的灵敏放大器的电路图。
[0020]图2为本申请实施例提供的存储芯片的电路图。
具体实施方式
[0021]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]有鉴于上述提及的总位线DBL电压的稳定度较低的技术问题，本实施例提供了一种灵敏放大器，如图1所示，该灵敏放大器包括第一钳位单元10、第二钳位单元20第一电流单元30以及反馈单元40，第一钳位单元10的第一端与电源端VCC电连接，第一钳位单元10的第二端与总位线DBL电连接；第二钳位单元20的第一端与第一钳位单元10的控制端电连接，第二钳位单元20的第二端与接地端GND电连接，第二钳位单元20的控制端与第一钳位单元10的第二端电连接；第一电流单元30的第一端与电源端VCC电连接，第一电流单元30的第二端与第二钳位单元20的第一端电连接，第一电流单元30的控制端与第一偏置电压端BIASP电连接；反馈单元40的第一端与电源端VCC电连接，反馈单元40的第二端与第一电流单元30本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括：第一钳位单元，所述第一钳位单元的第一端与电源端电连接，所述第一钳位单元的第二端与总位线电连接；第二钳位单元，所述第二钳位单元的第一端与所述第一钳位单元的控制端电连接，所述第二钳位单元的第二端与接地端电连接，所述第二钳位单元的控制端与所述第一钳位单元的第二端电连接；第一电流单元，所述第一电流单元的第一端与所述电源端电连接，所述第一电流单元的第二端与所述第二钳位单元的第一端电连接，所述第一电流单元的控制端与第一偏置电压端电连接；以及反馈单元，所述反馈单元的第一端与所述电源端电连接，所述反馈单元的第二端与所述第一电流单元的第二端电连接，所述反馈单元的控制端与所述第一钳位单元的第二端电连接。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述反馈单元包括反馈晶体管，所述反馈晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述反馈晶体管的第二极与所述第一电流单元的第二端电连接，所述反馈晶体管的控制极与所述第一钳位单元的第二端电连接。3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一电流单元包括第一电流晶体管，所述第一电流晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第一电流晶体管的第二极与所述反馈晶体管的第二极电连接，所述第一电流晶体管的控制极与所述第一偏置电压端电连接。4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二钳位单元包括第二钳位晶体管，所述第二钳位晶体管的第一极与所述反馈晶体管的第二极、所述第一电流晶体管的第二极电连接，所述第二钳位晶体管的第二极与所述接地端电连接，所述第二钳位晶体管的栅极与所述第一钳位单元的第二端电连接。5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一钳位单元包括第一钳位晶体管，所述第一钳位晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第一钳位晶体管的第二极与所述总位线电连接，所述第一钳位晶体管的控制极与所述第二钳位晶体管的第一极、所述反馈晶体管的第二极以及所述第一电流晶体管的第二极电连接。6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一钳位晶体管、所述第二钳位晶体管均为...

【专利技术属性】
技术研发人员：管小进，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：