灵敏放大器结构以及存储器结构制造技术

本公开实施例提供了一种灵敏放大器结构以及存储器结构，灵敏放大器结构包括：位于基底上的沿第一方向间隔排布的多个有源区组，每个有源区组包括多个沿第二方向间隔排布的有源区；位于有源区上的间隔排布的第一栅极以及第二栅极，位于同一有源区上的第一栅极以及第二栅极均沿同一方向延伸，延伸的方向为栅极延伸方向；其中，栅极延伸方向与第一方向以及第二方向均不相同，且对于同一有源区，在栅极延伸方向上，第一栅极的长度和第二栅极的长度均大于有源区在第一方向上的最大长度，并且均大于有源区在第二方向上的最大长度。本公开实施例至少有利于改善灵敏放大器的电学性能。例至少有利于改善灵敏放大器的电学性能。例至少有利于改善灵敏放大器的电学性能。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器结构以及存储器结构


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种灵敏放大器结构以及存储器结构。

技术介绍

[0002]灵敏放大器作为动态随机存储器中最重要的外围电路之一，决定着动态随机存储器的读取速度。应用于动态随机存取存储器中的灵敏放大器，在合适的时间点下开启灵敏放大器，可以放大位线与互补位线之间的微弱电压差，从而使得存储单元中存储的数据可以被正确地读出。
[0003]目前，由于器件尺寸的不断缩小，传统灵敏放大器的感测裕度变得越来越小，同时，由于构成灵敏放大器的器件可能由于工艺变化或温度等而具有不同的阈值电压，不同器件之间存在阈值电压失配，而阈值电压失配会引起失配噪声，失配噪声容易引起感测裕度不足的问题，使得灵敏放大器不能快速有效地放大信号，进而降低动态随机存取存储器的性能。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供的灵敏放大器结构以及存储器结构，至少有利于改善灵敏放大器的电学性能。
[0005]本公开实施例一方面提供一种灵敏放大器结构，包括：位于基底上的沿第一方向间隔排布的多个有源区组，每个有源区组包括多个沿第二方向间隔排布的有源区；位于有源区上的间隔排布的第一栅极以及第二栅极，位于同一有源区上的第一栅极以及第二栅极均沿同一方向延伸，所述延伸的方向为栅极延伸方向，第一栅极和第二栅极分别用于作为灵敏放大器的两个上拉晶体管的栅极或者灵敏放大器的两个下拉晶体管的栅极；其中，栅极延伸方向与第一方向以及第二方向均不相同，且对于同一有源区，在栅极延伸方向上，第一栅极的长度为第一长度，第一长度大于有源区在第一方向上的最大长度，并且第一长度大于有源区在第二方向上的最大长度；第二栅极的长度为第二长度，第二长度大于有源区在第一方向上的最大长度，并且第二长度大于有源区在第二方向上的最大长度。
[0006]在一些实施例中，在栅极延伸方向上，第一长度等于第二长度，在垂直于栅极延伸方向上，第一栅极的宽度与第二栅极的宽度相同。
[0007]在一些实施例中，有源区在平行于基底表面方向上的剖面为矩形或倒角矩形中的至少一种，栅极延伸方向为矩形或倒角矩形的对角线方向。
[0008]在一些实施例中，有源区包括沿垂直于栅极延伸方向依次间隔排布的第一漏区、共源区以及第二漏区，第一栅极所覆盖的部分有源区位于第一漏区与共源区之间，第二栅极所覆盖的部分有源区位于共源区与第二漏区之间。
[0009]在一些实施例中，还包括：互连层，互连层位于基底上方；导电插塞，导电插塞位于部分有源区与互连层之间，用于电连接第一漏区和互连层、电连接共源区和互连层以及电
连接第二漏区和互连层。
[0010]在一些实施例中，相邻有源区之间具有隔离结构，导电插塞还位于邻近的隔离结构上。
[0011]在一些实施例中，一有源区组的多个有源区中，不同有源区上的栅极延伸方向均相同。
[0012]在一些实施例中，在第一方向上相邻的有源区组中，不同有源区组的有源区的中心点在第一方向上相互错开。
[0013]在一些实施例中，在第一方向上相邻的两个有源区组中，位于不同有源区组的有源区上的栅极延伸方向不同，且若第一方向为x方向，第二方向为y方向，不同的栅极延伸方向中的一者为由+y方向向+x方向倾斜的方向，另一者为由+y方向向
‑
x方向倾斜的方向。
[0014]在一些实施例中，在第一方向上相邻的有源区组中，在第一方向上相邻的两个有源区的中心点正对。
[0015]在一些实施例中，在第一方向上相邻的两个有源区组中，不同有源区组的栅极延伸方向相同。
[0016]在一些实施例中，定义用于形成上拉晶体管的有源区为第一有源区，定义用于形成下拉晶体管的有源区为第二有源区，在第一方向上，一第一有源区的一侧具有一相邻的第二有源区。
[0017]在一些实施例中，在第一方向上，第一有源区远离第二有源区的一侧具有另一第一有源区。
[0018]在一些实施例中，在第一方向上，相邻的两个第一有源区之间的间隔距离为第三长度，第一有源区与相邻的第二有源区之间的间隔距离为第四长度，第四长度大于第三长度，且第一有源区与相邻的第二有源区之间具有偏置补偿区，偏置补偿区用于设置偏置补偿晶体管。
[0019]本公开实施例另一方面还提供一种存储器结构，包括：存储单元；上述任一项所述的灵敏放大器结构，用于向存储单元阵列中的位线写入存储数据或从存储单元阵列中的位线读出存储数据。
[0020]本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：灵敏放大器结构的有源区组中的有源区用于定义灵敏放大器中的两个上拉晶体管或两个下拉晶体管，有源区上的第一栅极以及第二栅极分别作为两个上拉晶体管的栅极或者两个下拉晶体管的栅极，若定义同一有源区内形成的两个晶体管分别为第一晶体管和第二晶体管，第一栅极为第一晶体管的栅极，第二栅极为第二晶体管的栅极，由于有源区组沿第一方向排布，且有源区组中的有源区沿第二方向排布，因此，有源区在第二方向上的长度以及有源区在第一方向上的长度有限，第一栅极在栅极延伸方向的长度取决于第一栅极所覆盖的有源区在栅极延伸方向上的长度，第二栅极在栅极延伸方向的长度取决于第二栅极所覆盖的有源区在栅极延伸方向上的长度，将栅极延伸方向设置为与第一方向以及第二方向均不相同的方向，且第一栅极或第二栅极在栅极延伸方向的长度大于有源区在第一方向上的长度，第一栅极或第二栅极在栅极延伸方向的长度也大于有源区在第二方向上的长度，因此，相较于沿第一方向或第二方向延伸的第一栅极和第二栅极，沿栅极延伸方向延伸的第一栅极和第二栅极的长度较长。需要说明的是，在第一栅极与第二栅极的尺寸大致相同的条件下，第一栅极以及第二栅极
所能设计的长度或宽度越大，第一晶体管与第二晶体管的阈值电压之间的差异越小，因此，通过设置沿栅极延伸方向延伸的第一栅极以及第二栅极，增大第一栅极以及第二栅极在栅极延伸方向的长度，有利于减小第一晶体管与第二晶体管之间的阈值电压的差异，即有利于减小灵敏放大器中的两个上拉晶体管或两个下拉晶体管之间的阈值电压的差异，进而有利于增大灵敏放大器的感测裕度，改善灵敏放大器的电学性能。
附图说明
[0021]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为相关技术中的一种包括灵敏放大器的电路结构示意图；
[0023]图2为本公开实施例提供的一种灵敏放大器结构的结构示意图；
[0024]图3为本公开实施例提供的一种有源区的结构示意图；
[0025]图4为本公开实施例提供的另一种有源区的结构示意图；
[0026]图5为本公开实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器结构，其特征在于，包括：位于基底上的沿第一方向间隔排布的多个有源区组，每个所述有源区组包括多个沿第二方向间隔排布的有源区；位于所述有源区上的间隔排布的第一栅极以及第二栅极，位于同一所述有源区上的所述第一栅极以及所述第二栅极均沿同一方向延伸，所述延伸的方向为栅极延伸方向，所述第一栅极和所述第二栅极分别用于作为灵敏放大器的两个上拉晶体管的栅极或者灵敏放大器的两个下拉晶体管的栅极；其中，所述栅极延伸方向与所述第一方向以及所述第二方向均不相同，且对于同一所述有源区，在所述栅极延伸方向上，所述第一栅极的长度为第一长度，所述第一长度大于所述有源区在所述第一方向上的最大长度，并且所述第一长度大于所述有源区在所述第二方向上的最大长度；所述第二栅极的长度为第二长度，所述第二长度大于所述有源区在所述第一方向上的最大长度，并且所述第二长度大于所述有源区在所述第二方向上的最大长度。2.如权利要求1所述灵敏放大器结构，其特征在于，在所述栅极延伸方向上，所述第一长度等于所述第二长度，在垂直于所述栅极延伸方向上，所述第一栅极的宽度与所述第二栅极的宽度相同。3.如权利要求1所述灵敏放大器结构，其特征在于，所述有源区在平行于所述基底表面方向上的剖面为矩形或倒角矩形中的至少一种，所述栅极延伸方向为所述矩形或所述倒角矩形的对角线方向。4.如权利要求1所述灵敏放大器结构，其特征在于，所述有源区包括沿垂直于所述栅极延伸方向依次间隔排布的第一漏区、共源区以及第二漏区，所述第一栅极所覆盖的部分所述有源区位于所述第一漏区与所述共源区之间，所述第二栅极所覆盖的部分所述有源区位于所述共源区与所述第二漏区之间。5.如权利要求4所述灵敏放大器结构，其特征在于，还包括：互连层，所述互连层位于所述基底上方；导电插塞，所述导电插塞位于部分所述有源区与所述互连层之间，用于电连接所述第一漏区和所述互连层、电连接所述共源区和所述互连层以及电连接所述第二漏区和所述互连层。6.如权利要求5所述灵敏放大器结构，其特征在于，相邻所述有源区之间具有隔离结构，所述导电插塞...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金荣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：