本发明专利技术涉及一种制备包含通式Ⅰ的重复单元的聚荧蒽的方法，其包括以下步骤：ａ）制备式Ⅱａ的单体荧蒽衍生物；ｂ）任选地，使式Ⅱａ的单体荧蒽衍生物转化成式Ⅱｂ的单体荧蒽衍生物；ｃ）式Ⅱａ或Ⅱｂ的单体荧蒽衍生物任选地与至少一种其他共聚单体聚合。本发明专利技术还涉及可通过本发明专利技术方法制备的聚荧蒽；包含或由至少一种本发明专利技术聚荧蒽组成的薄膜和发光层，包含至少一种本发明专利技术聚荧蒽的ＯＬＥＤ，包含本发明专利技术发光层的ＯＬＥＤ，包含本发明专利技术ＯＬＥＤ的设备，以及本发明专利技术聚荧蒽在ＯＬＥＤ中作为发光物质的用途。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】合成苯基取代的聚荧蒽的方法及其用途本专利技术涉及一种制备聚荧蒽衍生物的方法，可通过本专利技术方法制备的 聚荧蒽衍生物，包含或由至少一种本专利技术聚荧蒽衍生物组成的薄膜，包含至少 一种本专利技术聚荧蒽衍生物的有机发光二极管(OLED),包含或由至少一 种本专利技术聚荧蒽衍生物组成的发光层，包含本专利技术发光层的OLED，包含 本专利技术OLED的设备，以及本专利技术聚荧蒽衍生物在OLED中作为发射体物 质的用途。当它们受电流激发时，有机发光二极管(OLED)利用材料发光的能力。 OLED特别有利地作为阴极射线管和生产平面VDU的液晶显示器的替代 物。已建议大量当受电流激发时发光的材料。OLED的综述例如公开于M.T.Bernius等，Adv. Mat. 2000， 12， 1737 中。对所用化合物的要求高，已知材料通常不能满足所有需要。除无机和低分子量有机电致发光材料外，聚合电致发光材料在OLED 中的使用也在现有技术中有描述。无机和低分子量有机电致发光材料在 OLED中作为发光层通常通过无机或低分子量有机材料在降低的压力下的 汽相沉积而应用。然而，汽相沉积方法不适于OLED的大恥漠生产，并且 在具有大面积显示器的设备的生产中受到限制。此外，当这些材料没有基 质而使用时，通过涂覆方法由低分子量有机电致发光材料生产薄膜是有问 题的。比较而言，聚合电致发光材料的优点是它们可以以来自溶液的薄膜 的形式例如通过旋涂或浸渍而应用，其4吏得可简单JU更宜地生产大面积显 示器。WO90/13148涉及包含基于聚(对-亚苯基-亚乙烯基)(PPV)的聚合物的 OLED。这种聚合物尤其适用于红色和绿色光语区中的电致发光。在蓝色光谱区中，通常使用聚(贫)(PF)。具有螺中心的聚(芴)衍生物例 如公开于EP-A 0 707 020中。尽管上述PPV和PF衍生物主要具有令人满意的光学性能如发射彩色 和发射的量子产率，它们通常缺乏所需的长期稳定性。此原因来自通过受 激二聚物形成以^f吏发色团氧化降解的形态不稳定性。包含基于荧蒽和它的衍生物的重复单元的聚合物和共聚物由现有技术 已知。R. J. Waltmann等,J. Electrochem. Soc. 1985， 132， 631-634,涉及通过荧蒽的电引发聚合而得到的聚合物。得到结构上非常不均匀且其不良溶 解度和加工性能阻止详细表征的聚合物。由通过荧蒽的电引发聚合而得到 的聚合物生产的薄膜为脆性的且具有低传导率。L.Dunsch等,Angew. Chem. 2002， 114, 12， 2187-21卯，涉及通过 重复第尔斯-阿尔德(Diels-Aider)反应和随后芳构化而得到的荧蒽吡溱 (fluoranthenopyrazylene)低聚物。所用的二蟑为与适合的亲二烯体反应同 时螯键(cheleotropic)—氧化碳消去的环戊二烯酮衍生物。J.K. Stille等，J,Polym.Sci.PartA1970， 8， 2245-2254，描述了通过 第尔斯-阿尔德均聚环加成而制备导电芳族聚合物的方法。所用的单体为在 同一分子中同时具有二烯单元和亲二烯体单元的环戊二烯酮衍生物。这些 单体通过第尔斯-阿尔德环加成反应，消去一氧化碳以形成所需的导电聚合 物。R. A. Gaudiana等，Macromolecules 1995， 28, 368-389涉及具有发光 侧基的聚甲基丙烯酸酯和聚硅氧烷。例如公开了具有荧蒽侧基的聚甲基丙 烯酸酯，即聚[2-(3-荧蒽基脲基)乙基甲基丙烯酸酯。这些聚合物可用于 OLED中。DE-A 102 11 648涉及基于荧蒽的聚合物和它们在OLED中的用途。为 了制备这些聚合物，使官能化的焚蒽聚合。DE-A102 11 648中荧蒽的官能 化通过荧蒽的卣化或通过荧蒽的硝化以及合适的其他反应而进行以形成所 需单体。本专利技术的目的是提供其他适合的适用于OLED中，尤其是作为发射体 分子，并且具有长寿命，在OLED中高效，在蓝色区中具有最大发射值且 具有高量子产率的聚荧蒽衍生物。本专利技术的另一个目的是提供一种制备这种聚荧蒽的方法。该目的通过用于制备包含通式I的重复单元的聚合物的方法而实现:<formula>see original document page 8</formula>该方法包括如下步骤a)通过式III的化合物与式IV的炔基化合物反应和随后的一氧化碳消 去而制备式IIa的单体荧蒽衍生物<formula>see original document page 8</formula>b)如果合适的话，使式IIa的单体荧蒽衍生物反应以形成式IIb的单体 荧蒽衍生物<formula>see original document page 9</formula>c)式IIa或IIb的单体荧蒽衍生物如果合适的话与至少一种选自不同于 第一种式IIa或nb的荧蒽衍生物的其他式IIa或IIb的荧蒽衍生物、各自具有 两个可与式IIa的荧蒽衍生物的基团f和xS或式IIb的荧蒽衍生物的基团X3 和X"聚合的基团X5和X6的芳族、稠合芳族和杂芳族化合物的其他共聚单体 一起聚合；其中符号具有如下含义R1、 R2、 R3、 R4、 R5、 W各自相互独立地为H、烷基、炔基、芳氧基、芳 族基、稠合芳族环体系、杂芳族基、-CH=CH2、反画或顺-CH-CH-C6H5、 丙烯酰基、甲基丙烯酰基、甲基苯乙烯基、-0-01=012或缩水甘油基, <formula>see original document page 9</formula> 或<formula>see original document page 9</formula>其中Y为丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻-或对-甲基苯乙烯基、-0-CH=CH2或缩水甘油基；X1、 X2、 X3、 X4、 X5、 X6为可相互聚合的基团。式IIa或IIb的这种延伸的、苯基取代的荧蒽衍生物不能通过常规方法 以给出定义结构的定义方式提供基团^和XZ或XS和X4。例如7、 8、 9、 10-四苯基荧蒽的溴化得到异构体混合物，溴当量的选择性引入不成功。因此， 在本专利技术方法步骤a)中通过再度建造荧蒽骨架将可聚合的基团Xt和xZ选择性引入苯基取代的荧蒽中，在合成的第一阶段插入可聚合基团。这里，关键反应为由可聚合基团^和乂2取代的环戊二烯并二氢苊酮与作为具有一 氧化碳螯键消去的亲二烯体的乙炔衍生物的第尔斯-阿尔德反应。就本专利申请而言，"烷基"为线性、支化或环状取代或未取代的C广C20烷基，优选cvd。烷基。特别优选线性或支化C3-d。烷基，非常特别优选 cvc9烷基。烷基可以为未取代的或由芳族基、卤素、硝基、醚或g取代。 烷基特别优选为未取代的或由芳族基取代。优选的芳族基为下面提到的。此外，烷基的一个或多个不相邻碳原子可以由Si、 P、 O或S，优选O或S代 替。卣素基团优选F、 Cl或Br。就本专利申请而言，"炔基"为线性、支化或环状取代或未取代的<:2-<:20 炔基，优选QrCK)炔基。特别优选线性或支化QrC8炔基，非常特别优选 Q本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制备包含通式Ⅰ的重复单元的聚荧蒽的方法： ＊＊＊ （Ⅰ） 其包括如下步骤： ａ）通过式Ⅲ的化合物与式Ⅳ的炔基化合物反应和随后的一氧化碳消去而制备式Ⅱａ的单体荧蒽衍生物： ＊＊＊ ｂ）如果合适的话，使式Ⅱａ的单体荧蒽衍生物反应以形成式Ⅱｂ的单体荧蒽衍生物： ＊＊＊ （Ⅱｂ） ｃ）式Ⅱａ或Ⅱｂ的单体荧蒽衍生物如果合适的话与至少一种选自不同于第一种式Ⅱａ或Ⅱｂ的荧蒽衍生物的其他式Ⅱａ或Ⅱｂ的荧蒽衍生物、各自具有两个可与式Ⅱａ的荧蒽衍生物的基团Ｘ↑［１］和Ｘ↑［２］或式Ⅱｂ的荧蒽衍生物的基团Ｘ↑［３］和Ｘ↑［４］聚合的基团Ｘ↑［５］和Ｘ↑［６］的芳族、稠合芳族和杂芳族化合物的其他共聚单体一起聚合； 其中符号具有如下含义： Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］、Ｒ↑［５］、Ｒ↑［６］各自相互独立地为Ｈ、烷基、炔基、芳氧基、芳族基、稠合芳族环体系、杂芳族基、－ＣＨ＝ＣＨ↓［２］、反－或顺－ＣＨ＝ＣＨ－Ｃ↓［６］Ｈ↓［５］、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、甲基苯乙烯基、－Ｏ－ＣＨ＝ＣＨ↓［２］或缩水甘油基， ＊＊＊ 其中Ｙ为丙烯酰基、甲基丙烯酰基、邻－或对－甲基苯乙烯基、－Ｏ－ＣＨ＝ＣＨ↓［２］或缩水甘油基； Ｘ↑［１］、Ｘ↑［２］、Ｘ↑［３］、Ｘ↑［４］、Ｘ↑［５］、Ｘ↑［６］为可相互聚合的基团。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：F德兹，S诺德，H魏斯，J勒施，
申请(专利权)人：巴斯福股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。