封装结构及制备方法技术

本发明专利技术公开一种封装结构及制备方法，封装结构包括核心封装区，第一封装单元包括第一载板、散热片或硅片、被动元器件及第一封装层，包覆第一载板及散热片或硅片以及被动元器件；第二封装单元包括第二载板上焊接第一封装结构或第二封装结构以及第二封装层；FCBGA基板，第一封装单元和第二封装单元贴装在FCBGA基板的第一表面，第一封装单元内的被动元器件靠近第二封装层的边缘，第一封装单元内被动元器件与第二封装层之间的距离小于常规底填胶禁填区的尺寸。当第一封装单元与第二封装单元的距离小于常规底填胶禁填区的阈值时，在第一封装单元与第二封装单元侧壁间隙进行填充第一填充物质，使第二封装单元的应力分布更为稳定，从而提高封装结构的可靠性。而提高封装结构的可靠性。而提高封装结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及制备方法


[0001]本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种封装结构及制备方法。

技术介绍

[0002]在现有技术中，SoC/MCM/2.5D/3D芯片所实现的封装结构，随着布线密度的提高，芯片尺寸增大的同时，芯片应力也随之增大。另一方面，SoC/MCM/2.5D/3D芯片的底填胶不允许延展至被动元器件，SoC/MCM/2.5D/3D芯片的边缘与被动元器件焊盘之间的距离受到了底填胶禁填区的限制，进而从整体上制约了封装结构的布线密度。
[0003]鉴于以上，本专利技术提出一种新型的封装结构及制备方法，并提供一种应对fcBGA基板全球供应持续短缺的策略。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对现有技术中的缺点，提供了一种封装结构及制备方法。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：
[0006]一种封装结构，包括核心封装区，所述核心封装区包括：
[0007]第一封装单元，所述第一封装单元包括第一载板、散热片或硅片、被动元器件及第一封装层，所述第一载板贴装散热片或硅片以及被动元器件，所述第一封装层包覆第一载板及散热片或硅片以及被动元器件；
[0008]第二封装单元，所述第二封装单元包括第二载板，所述第二载板上焊接第一封装结构和/或第二封装结构以及第二封装层；
[0009]FCBGA基板，所述第一封装单元和第二封装单元贴装在所述FCBGA基板的第一表面且第一封装单元设置在所述第二封装单元的至少一侧，所述第一封装单元内的被动元器件靠近第二封装层的边缘，且所述第一封装单元内被动元器件与第二封装层之间的距离小于常规底填胶禁填区的尺寸。
[0010]作为一种可实施方式，所述第一载板为设有重布线层的载板，或低布线密度且较少层数的载板；
[0011]当为硅片时，所述第一载板与硅片通过DA胶或DAF膜连接；
[0012]当为散热片时，所述第一载板与散热片通过粘结胶连接。
[0013]作为一种可实施方式，所述第一载板和所述FCBGA基板通过可控覆晶焊接凸点焊接。
[0014]作为一种可实施方式，所述第二载板为核心转接板或设有重布线层的载板。
[0015]作为一种可实施方式，所述第一封装结构和/或第二封装结构与第二载板通过焊接微凸点焊接，并分别在第二载板与第一封装结构和第二封装结构之间的缝隙填充第一密封物质，所述第一密封物质形成第一密封物质层。
[0016]作为一种可实施方式，所述FCBGA基板、第一封装单元及第二封装单元之间的间隙设有填充第二密封物质，所述第二密封物质形成第二密封物质层。
[0017]作为一种可实施方式，所述第二封装单元上方覆盖散热界面键合材料以形成散热界面键合材料层。
[0018]作为一种可实施方式，所述核心封装区以外的FCBGA基板的第一表面贴装若干含散热片和/或硅片的第一封装单元，所述第一封装单元内的被动元器件靠近核心封装区的边缘。
[0019]作为一种可实施方式，还包括第三封装单元，所述第三封装单元包括含散热片的第一封装单元和含硅片的第一封装单元，第三封装单元和若干含散热片的第一封装单元贴装在所述核心封装区以外的FCBGA基板的第一表面，所述含硅片的第一封装单元靠近核心封装区的边缘。
[0020]作为一种可实施方式，还包括散热结构，所述散热结构包括以下结构的一种或几种；
[0021]当所述散热结构为散热盖时，所述核心封装区中至少第二封装单元的上方覆盖且至少部分覆盖散热界面键合材料，所述散热盖通过散热界面键合材料贴装于所述核心封装区中需散热的区域；或结合散热盖的结构，所述散热盖的部分区域通过粘结胶贴装于所述FCBGA基板的第一表面上；
[0022]当散热结构为散热环时，所述散热环通过粘结胶贴装于所述FCBGA基板的第一表面上；
[0023]当散热结构为第一封装单元时，所述第一封装单元通过散热界面键合材料贴装于核心封装区中需散热的区域，或/和通过粘结胶贴装于所述FCBGA基板的第一表面上。
[0024]作为一种可实施方式，所述散热界面键合材料包括散热胶、银、银合金烧结胶、焊锡中的一种或几种。
[0025]作为一种可实施方式，所述FCBGA基板的第二表面设有焊球及被动元器件。
[0026]一种封装结构制备方法，制备核心封装区，包括以下步骤：
[0027]制备第一封装单元，所述第一封装单元包括第一载板、散热片或硅片、被动元器件及第一封装层，所述第一载板贴装散热片或硅片以及被动元器件，所述第一封装层包覆第一载板及散热片或硅片以及被动元器件；
[0028]制备第二封装单元，所述第二封装单元包括第二载板，所述第二载板上焊接第一封装结构和/或第二封装结构以及第二封装层；
[0029]提供FCBGA基板，所述第一封装单元和第二封装单元贴装在所述FCBGA基板的第一表面且第一封装单元设置在所述第二封装单元的至少一侧，所述第一封装单元内的被动元器件靠近第二封装层的边缘，且所述第一封装单元内被动元器件与第二封装层之间的距离小于常规底填胶禁填区的尺寸。
[0030]作为一种可实施方式，对所述核心封装区以外的FCBGA基板的第一表面贴装若干含散热片和/或硅片的第一封装单元，所述第一封装单元内的被动元器件靠近核心封装区的边缘。
[0031]作为一种可实施方式，制备第三封装单元，所述第三封装单元包括含散热片的第一封装单元和含硅片的第一封装单元，第三封装单元和若干含散热片的第一封装单元贴装在所述核心封装区以外的FCBGA基板的第一表面，所述含硅片的第一封装单元靠近核心封装区的边缘。
[0032]本专利技术由于采用了以上技术方案，具有显著的技术效果：
[0033]本专利技术将被动元器件与散热片或硅片贴装至第一载板上再塑封，形成第一封装单元，再与第二封装单元一同贴装至FCBGA基板上。此时第一封装单元与第二封装单元的距离可不受填充禁区的制约，确切的说此距离为第一封装单元内被动元器件与第二封装层之间的距离；当第一封装单元与第二封装单元的距离小于常规底填胶禁填区的阈值时，填充第一密封物质可以在第一封装单元与第二封装单元侧壁间隙进行填充，使第二封装单元的应力分布更为稳定，从而提高封装结构的可靠性。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是核心封装区的具体结构示意图；
[0036]图2
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图3是实施例1的整体或者部分结构示意图及剖面图；
[0037]图4
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图5是实施例2的整体结构示意图及剖面图；
[0038]图6
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图9是实施例2中制备方式的流程示意图；
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括核心封装区，所述核心封装区包括：第一封装单元，所述第一封装单元包括第一载板、散热片或硅片、被动元器件及第一封装层，所述第一载板贴装散热片或硅片以及被动元器件，所述第一封装层包覆第一载板及散热片或硅片以及被动元器件；第二封装单元，所述第二封装单元包括第二载板，所述第二载板上焊接第一封装结构和/或第二封装结构以及第二封装层；FCBGA基板，所述第一封装单元和第二封装单元贴装在所述FCBGA基板的第一表面且第一封装单元设置在所述第二封装单元的至少一侧，所述第一封装单元内的被动元器件靠近第二封装层的边缘，且所述第一封装单元内被动元器件与第二封装层之间的距离小于常规底填胶禁填区的尺寸。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一载板为设有重布线层的载板，或低布线密度且较少层数的载板；当为硅片时，所述第一载板与硅片通过DA胶或DAF膜连接；当为散热片时，所述第一载板与散热片通过粘结胶连接。3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述第一载板和所述FCBGA基板通过可控覆晶焊接凸点焊接。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二载板为核心转接板或设有重布线层的载板。5.根据权利要求1或4所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装结构和/或第二封装结构与第二载板通过焊接微凸点焊接，并分别在第二载板与第一封装结构和第二封装结构之间的缝隙填充第一密封物质，所述第一密封物质形成第一密封物质层。6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述FCBGA基板、第一封装单元及第二封装单元之间的间隙设有填充第二密封物质，所述第二密封物质形成第二密封物质层。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装单元上方覆盖散热界面键合材料以形成散热界面键合材料层。8.根据权利要求1或7所述的封装结构，其特征在于，所述核心封装区以外的FCBGA基板的第一表面贴装若干含散热片和/或硅片的第一封装单元，所述第一封装单元内的被动元器件靠近核心封装区的边缘。9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，还包括第三封装单元，所述第三封装单元包括含散热片的第一封装单元和含硅片的第一封装单元，第三封装单元和若干含散热片的第一封装单元贴装在所述核心封装区以外的FCBGA基板的第一表面，所述含硅片的第一封装单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨丹凤，林耀剑，徐松华，印美林，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：