电子结构制造技术

本申请提供了一种电子结构，包括：衬底；封装结构，位于所述衬底下方，其中，所述封装结构包括：封装层，所述封装层的靠近所述衬底的第一表面包括暴露所述封装结构的焊盘的至少一个开口，其中，所述封装层的所述第一表面包括至少一个第一区以及围绕所述至少一个第一区的第二区，所述第一区比所述第二区更靠近所述开口，在竖直方向上，所述第一区与所述衬底之间的第一间隙大于所述第二区与所述衬底之间的第二间隙，所述第一区的第一宽度大于所述焊盘的第二宽度。上述电子结构可以扩大衬底与封装层之间的间隙。装层之间的间隙。装层之间的间隙。

【技术实现步骤摘要】
电子结构


[0001]本申请的实施例涉及电子结构。

技术介绍

[0002]以焊球作为模制封装件(例如，双面压模(DSM)结构)的输入/输出(I/O)结构时，其中，一个制程为后焊球制程，其借由激光(激光烧蚀)在模塑料化合物(CPD)上开口，从而暴露出封装件上的焊盘后再依次进行植球、上板和点上底部填充胶等。
[0003]参见图1A至图1B，图1A至图1B示出了现有的电子结构1，其中，图1B是图1A的截面A
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A的顶视图。在现有技术中，参见图1A至图1B，因薄封装件厚度的需求，因此，会使用较小直径的焊球30作为衬底20与封装件10之间的导电部件，由于焊球30的直径较小，因此，衬底20与模塑料化合物11之间的间隙40较小(＜70微米)，模塑料化合物11与焊球30之间的间隙50较大(由激光烧蚀引起)，因此，底部填充物60(定量点胶)容易借由毛细效应附著于衬底20与模塑料化合物11之间的间隙40，而不继续延伸至模塑料化合物11与焊球30之间的间隙50，即，底部填充物会因毛细现象绕过间隙50处，从而导致该间隙50处产生空隙70。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子结构，其特征在于，包括：衬底；封装结构，位于所述衬底下方，其中，所述封装结构包括：封装层，所述封装层的靠近所述衬底的第一表面包括暴露所述封装结构的焊盘的至少一个开口，其中，所述封装层的所述第一表面包括至少一个第一区以及围绕所述至少一个第一区的第二区，所述第一区比所述第二区更靠近所述开口，在竖直方向上，所述第一区与所述衬底之间的第一间隙大于所述第二区与所述衬底之间的第二间隙，所述第一区的第一宽度大于所述焊盘的第二宽度。2.根据权利要求1所述的电子结构，其特征在于，所述第一表面包括至少一个第三区，所述第三区位于相邻的两个所述开口之间并且将相邻的两个所述第一区间隔开，在竖直方向上，所述第三区与所述衬底之间的第三间隙小于所述第一间隙。3.根据权利要求1所述的电子结构，其特征在于，所述第一区围绕所述开口并与所述开口相连通。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊甫，曾旭峰，庄尚潣，庄庆鸿，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：