一种功率半导体器件及电力电子设备制造技术

本申请提供了一种功率半导体器件及电力电子设备。其中，功率半导体器件包括陶瓷基板、第一主端子、第二主端子、多个辅助端子和包覆于陶瓷基板的包覆体；陶瓷基板包括陶瓷基片、分别设于陶瓷基片两侧的内金属箔片和外金属箔片；第一主端子的一端设于内金属箔片上、相对的另一端穿出包覆体暴露于外部空间，第二主端子的一端设于内金属箔片上、相对的另一端穿出包覆体暴露于外部空间，第一主端子和第二主端子的延伸方向均平行于陶瓷基板的板面；辅助端子的一端位于包覆体内且设于内金属箔片上、相对的另一端穿出包覆体暴露于外部空间，辅助端子的延伸方向垂直于陶瓷基板的板面。本申请增大了爬电距离和电气间隙，从而提升了功率半导体器件的可靠性。导体器件的可靠性。导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件及电力电子设备


[0001]本申请涉及电力电子器件
，尤其涉及一种功率半导体器件及电力电子设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，为了满足高频应用场景中的散热要求，功率半导体器件往往以增大自身体积为代价，从而导致其寄生电感较大，进而导致其在高频应用场景中的过冲电压较大、功率损耗增加，这将无法发挥功率半导体器件的全部性能。随着电力电子技术的不断完善和发展，功率半导体器件对更高的功率密度有狂热地追求，而其封装结构却严重阻碍了功率密度的进一步提升。此外，功率半导体器件除了存在上述弊端以外，还存在诸多其它弊端，比如散热性能不理想、杂散电感较大、爬电距离及电气间隙较小等，这些弊端均是对功率半导体器件的可靠性造成不利影响的主要因素。
[0003]因此，有必要对上述功率半导体器件的结构进行改进。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种功率半导体器件及电力电子设备，旨在解决相关技术中功率半导体器件的可靠性较差的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请实施例第一方面提供了一种功率半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板包括陶瓷基片、内金属箔片和外金属箔片；其中，所述内金属箔片设于所述陶瓷基片的一侧，所述外金属箔片设于所述陶瓷基片与所述内金属箔片相对的另一侧；其特征在于，所述功率半导体器件还包括包覆体、第一主端子、第二主端子和多个辅助端子；其中，所述包覆体包覆于所述陶瓷基板，并将所述外金属箔片远离所述内金属箔片的一侧暴露于外部空间；所述第一主端子的一端设于所述内金属箔片上、相对的另一端穿出所述包覆体暴露于外部空间，所述第二主端子的一端设于所述内金属箔片上、相对的另一端穿出所述包覆体暴露于外部空间，所述第一主端子和所述第二主端子分别位于所述内金属箔片相对的两端，所述第一主端子和所述第二主端子的延伸方向均平行于所述陶瓷基板的板面；所述辅助端子的一端位于所述包覆体内且设于所述内金属箔片上、相对的另一端穿出所述包覆体暴露于外部空间，所述辅助端子的延伸方向垂直于所述陶瓷基板的板面。2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一主端子和所述第二主端子均包括位于所述包覆体内且设于所述内金属箔片的嵌入部、暴露于外部空间的裸露部、连接所述嵌入部与所述裸露部的衔接部，所述衔接部自所述嵌入部的端部向所述裸露部的方向延伸且穿出所述包覆体，所述嵌入部远离所述内金属箔片的一侧低于所述裸露部靠近所述内金属箔片的一侧，所述嵌入部和所述裸露部的延伸方向均平行于所述陶瓷基板的板面。3.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：和巍巍，杨柳，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：