芯片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种芯片封装结构及其制作方法，所述封装结构包括芯片和包覆芯片的塑封层，芯片包括设置于其功能面侧的钝化层以及分布于钝化层内的焊盘，在制作过程中，通过去除切割道上方的切割道顶层金属，在切割后使钝化层侧部形成有至少一个凹陷部，塑封层包覆凹陷部。通过去除切割道顶层金属，可以减少在切割晶圆时出现的金属层卷丝、芯片正面崩缺等问题，并且，由于塑封层填充于凹陷部内，塑封层与芯片之间形成互相嵌套的结构，增加了塑封层和芯片之间的结合力，降低了钝化层内部开裂的风险。险。险。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及封装
，具体地涉及一种芯片封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]在芯片生产制作过程中，晶圆切割道上基本都设置有测试结构用于晶圆制造过程的工艺监控，测试结构通常由多层金属组成，其中顶层金属由于性能需要通常最厚，有时达数微米，但切割道处的切割道顶层金属由于其厚度过大，易导致在沿切割道切割晶圆时，导致金属翘起或拉丝，芯片崩裂、芯片内部分层、划片刀异常损耗等问题，致使生产良率低，并且，直接切割获得的芯片侧面平齐，与包覆其的塑封层之间的结合力低，易出现钝化层内部开裂、金属层翘起等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构及其制作方法。
[0004]本专利技术提供一种芯片封装结构，包括芯片和包覆所述芯片的塑封层，所述芯片包括设置于其功能面侧的钝化层以及分布于所述钝化层内的焊盘，其特征在于，
[0005]所述钝化层侧部形成有至少一个凹陷部，所述塑封层包覆所述凹陷部。
[0006]作为本专利技术的进一步改进，所述凹陷部具有两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，包括芯片和包覆所述芯片的塑封层，所述芯片包括设置于其功能面侧的钝化层以及分布于所述钝化层内的焊盘，其特征在于，所述钝化层侧部形成有至少一个凹陷部，所述塑封层包覆所述凹陷部。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述凹陷部具有两个侧壁和连接两个所述凹陷部侧壁的顶壁和内壁，所述凹陷部顶壁侧面和与其同侧的所述塑封层侧面之间的距离大于0。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片还包括设置于所述功能面和所述钝化层之间的至少一层介电层，于每层所述介电层内分布有内层金属布线层，所述凹陷部与所述介电层围设形成开口朝向侧面的空腔。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述凹陷部的厚度大于每层所述内层金属层的厚度。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括至少一层重布线层和设于所述重布线层上的外连接件，每层重布线层包括绝缘层和分布于所述绝缘层内的金属布线层，所述外连接件通过所述金属布线层电性连接于所述焊盘。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层至少包覆所述芯片四个侧面和钝化层上表面中的一个面。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层覆所述芯片四个侧面，并暴露所述钝化层上表面，所述塑封层侧向延伸至所述凹陷部内，嵌套于所述钝化层，所述重布线层设置于所述钝化层上。8.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层至少包覆所述钝化层上表面，所述塑封层沿向下延伸至所述凹陷部内，嵌套于所述钝化层，所述重布线层设置于所述塑封层上。9.根据权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，在包覆所述钝化层上表面的塑封层内，还设置有内连接件，所述内连接件分别电性连接于所述焊盘和所述重布线层。10.一种芯片封装结构制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一晶圆，所述晶圆被划分为多个芯片，相邻所述芯片之间构成切割道；在所述晶圆表面形成顶层金属层，图形化所述顶层金属层形成位于芯片上的焊盘和位于所述切割道上的切割道顶层金属；在所述晶圆上形成钝化层，并使所述钝化层暴露出所述焊盘和所述切割道顶层金属；去除所述切割道顶层金属；沿所述切割道切割所述晶圆获得单颗芯片，所述钝化层在原所述切割道顶层金属区域形成凹陷部，塑封所述芯片，并使塑封层填充于所述凹陷部内。11.根据权利要求10所述的芯片封装结构制作方法，其特征在于，“去除所述切割道顶层金属”具体包括：在所述焊盘表面形成保护层，所述保护层暴露出所述切割道顶层金...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈栋，徐虹，徐霞，金豆，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：