一种高性能扇出型封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术提供一种高性能扇出型封装结构及其封装方法，包括：多层再布线转接板扇出封装体和第二多层再布线中介层，所述多层再布线转接板扇出封装体包括：第一多层再布线中介层和若干个芯片，所述第一多层再布线中介层与所述第二多层再布线中介层呈相对设置，若干个芯片通过所述第一多层再布线中介层与所述第二多层再布线中介层进行串接以能够实现大尺寸芯片扇出型无基板封装；其制备工艺简单，以多层再布线层结构取代传统多层基板，避免了加工结构翘曲而导致后续的工艺流程不易开展的技术问题出现，实现高密度互联，不仅提高了产品良率，更降低了封装成本。更降低了封装成本。更降低了封装成本。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能扇出型封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路的封装
，具体涉及一种高性能扇出型封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，对电子产品的性能要求不断提升，目前电子产品越来越向小型化、高集成、低成本和可靠性方向发展。其中，Fan
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out(扇出型)封装技术作为新一代封装技术，具有较高的布线密度，IO数量多，体积小，可多芯片封装、功能强等优点，因此应用范围较为广泛。在增加I/O数量的同时，将扇出部分(即，重布线层部分)面积减小，相对大尺寸扇出型封装能够提高产品良率并降低产品成本。
[0003]基板在芯片封装时作为基础材料，它将芯片与系统中电路板连接起来，因为AI、5G、汽车自动驾驶、大数据等行业快速发展，因而导致目前市场上的多层基板严重短缺，供不应求。同时随着交期的延长，目前基板的价格连续增长。目前急需开发出可以替代传统基板的高密度、低成本转接板，保证封装产品的良率以及降低工艺难度的同时，也能保证制程稳定性。
[0004]在目前基板严重紧缺的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能扇出型封装结构，其特征在于，包括：多层再布线转接板扇出封装体和第二多层再布线中介层，所述多层再布线转接板扇出封装体包括：第一多层再布线中介层和若干个芯片，所述第一多层再布线中介层与所述第二多层再布线中介层呈相对设置，若干个芯片通过所述第一多层再布线中介层与所述第二多层再布线中介层进行串接以能够实现大尺寸芯片扇出型无基板封装。2.根据权利要求1所述的高性能扇出型封装结构，其特征在于，所述第一多层再布线中介层一面设有若干个第一铜柱的开口，所述第一铜柱的开口处连接有第一铜柱，若干个芯片通过第一焊球键合于所述第一铜柱上，所述芯片与所述第一多层再布线中介层电连接。3.根据权利要求2所述的高性能扇出型封装结构，其特征在于，所述第一多层再布线中介层另一面设有若干个第二焊球的开口，所述第二焊球的开口处连接有第二焊球，所述第二多层再布线中介层一面设有若干个第二铜柱的开口，所述第二铜柱的开口处连接有第二铜柱，所述第二焊球与所述第二铜柱相对应且相互配合将所述第一多层再布线中介层与第二多层再布线中介层电连接。4.根据权利要求3所述的高性能扇出型封装结构，其特征在于，所述第二多层再布线中介层另一面上设有若干个第三焊球的开口，所述第三焊球的开口处连接有第三焊球。5.根据权利要求1所述的高性能扇出型封装结构，其特征在于，所述多层再布线转接板扇出封装体包括：塑封层，所述塑封层包覆于所述第一多层再布线中介层和若干个芯片上。6.根据权利要求1所述的高性能扇出型封装结构，其特征在于，所述第一多层再布线中介层和所述第二多层再布线中介层均包括：再布线金属层和多层布线封装层，所述再布线金属层和所述多层布线封装层连接并导通。7.一种高性能扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1在第一载板上通过模塑技术工艺制作得到第一多层再布线中介层，使用倒装芯片键合技术倒装若干个芯片以能够实现若干个芯片与所述第一多层再布线中介层电连接，将塑封层包覆于第一多层再布线中介层和若干个芯片上，去除第一载板和第一临时键合膜，得到多层再布线转接板扇出封装体；S2在第二载板上通过模塑技术工艺制作得到第二多层再布线中介层，若干个芯片通过所述第一多层再布线中介层与所述第二多层再布线中介层进行串接以能够实现大尺寸芯片扇...

【专利技术属性】
技术研发人员：马书英，王姣，吴阿妹，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：