衬底背封结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种衬底背封结构，包括：衬底、氧化层和阻挡层，所述氧化层覆盖所述衬底的背面和侧面，所述阻挡层覆盖所述氧化层，其中，所述氧化层的厚度为2000埃～4000埃，所述阻挡层的厚度为2000埃～6000埃；本实用新型专利技术通过形成一定厚度的阻挡层覆盖氧化层，阻挡层和氧化层包裹衬底的背面和侧面，在后续制备工艺中，阻挡层能够较好的保护氧化层，即保护了衬底的背面和侧面，防止衬底中的掺杂离子在后续制备工艺中析出，以及防止后续制备工艺对衬底的背面和侧面产生损伤。衬底的背面和侧面产生损伤。衬底的背面和侧面产生损伤。

【技术实现步骤摘要】
衬底背封结构


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种衬底背封结构。

技术介绍

[0002]目前，金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)器件都使用重掺杂衬底。重掺杂衬底中的掺杂离子容易在后续高温工艺中析出，影响半导体器件的稳定性。为了抑制这种掺杂离子的逃逸或自掺杂现象，一般会在重掺杂衬底的背面淀积背封材料，硅片生产商常选用等离子体增强化学气相沉积工艺在重掺杂衬底的背面生长一层低温氧化层，由于等离子体增强化学气相沉积工艺的特殊性，当形成的低温氧化层的厚度达到5000埃以上时，低温氧化层的均匀性较差，因此低温氧化层的厚度常常在5000埃以内；然后在重掺杂衬底的正面生长外延层。在进行后续工艺前，需要对具有低温氧化层和外延层的重掺杂衬底进行抛光清洗，但由于低温氧化层的腐蚀速率较快，低温氧化层极易在后续工艺中被去除，导致重掺杂衬底中的掺杂离子容易析出。另外由于较厚的低温氧化层的均匀性较差，背封材料的差异可能会影响炉管的负载效应及腔体机台的背面温度检测。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种衬底背封结构，以保护衬底的背面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底背封结构，其特征在于，包括：衬底；氧化层和阻挡层，所述氧化层覆盖所述衬底的背面和侧面，所述阻挡层覆盖所述氧化层，其中，所述氧化层的厚度为2000埃～4000埃，所述阻挡层的厚度为2000埃～6000埃。2.如权利要求1所述的衬底背封结构，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅层。3.如权利要求1所述的衬底背封结构，其特征在于，所述阻挡层包括多晶硅层。4.如权利要求1所述的衬底背封结构，其特征在于，所述阻挡层包括掺杂的非晶硅层。5.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：万舟，刘文鑫，
申请(专利权)人：厦门士兰集科微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：