电感器件及其形成方法技术

本申请提供电感器件及其形成方法，所述电感器件包括：半导体衬底；电感线圈，位于所述半导体衬底上；至少两层保护环，所述至少两层保护环环绕于所述电感线圈在所述半导体衬底上的垂直投影的四周，其中，所述保护环包括若干分立的子保护环，相邻两层保护环的子保护环交错设置。本申请提供一种电感器件及其形成方法，在电感线圈四周形成至少两层保护环，所述保护环包括若干分立的子保护环，相邻两层保护环的子保护环交错设置，可以提高保护环的噪声隔绝效果。隔绝效果。隔绝效果。

【技术实现步骤摘要】
电感器件及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种电感器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]电感器件一般均由缠绕成螺旋状的导线所构成，其在通讯设备的射频(radio frequency，RF)电路上的应用相当广泛，例如可应用在移动电话、无线电路、无线调制解调器以及其它的通讯器材。
[0003]目前的CMOS电感器件中，在电感线圈周围形成有保护环(Guarding Ring)，所述保护环可以有效地隔绝基底噪声，从而有效地提高电感器件的品质因子。然而，在采用FINFET工艺制作的电感器件中，保护环的隔绝噪声的效果有所下降，影响了器件可靠性。
[0004]因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种电感器件及其形成方法，可以提高保护环的噪声隔绝效果。
[0006]本申请的一个方面提供一种电感器件，包括：半导体衬底；电感线圈，位于所述半导体衬底上；至少两层保护环，所述至少两层保护环环绕于所述电感线圈在所述半导体衬底上的垂直投影的四周，其中，所述保护环包括若干分立的子保护环，相邻两层保护环的子保护环交错设置。
[0007]在本申请的一些实施例中，所述至少两层保护环的层数为两层至四层。
[0008]在本申请的一些实施例中，所述交错设置包括完全交错或部分交错。
[0009]在本申请的一些实施例中，相邻两层保护环之间的间距为0.1
‑
1微米。
[0010]在本申请的一些实施例中，所述若干分立的子保护环的宽度大于所述若干分立的子保护环的间距。
[0011]在本申请的一些实施例中，所述保护环的形状与所述电感线圈的形状相同。
[0012]本申请的另一个方面提供一种电感器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成电感线圈；在所述电感线圈周围形成至少两层保护环，所述至少两层保护环环绕于所述电感线圈在所述半导体衬底上的垂直投影的四周，其中，所述保护环包括若干分立的子保护环，相邻两层保护环的子保护环交错设置。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述电感线圈与所述至少两层保护环同步形成。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述至少两层保护环的层数为两层至四层。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述交错设置包括完全交错或部分交错。
[0016]在本申请的一些实施例中，相邻两层保护环之间的间距为0.1
‑
1微米。
[0017]在本申请的一些实施例中，所述若干分立的子保护环的宽度大于所述若干分立的子保护环的间距。
[0018]在本申请的一些实施例中，所述保护环的形状与所述电感线圈的形状相同。
[0019]本申请提供一种电感器件及其形成方法，在电感线圈四周形成至少两层保护环，
所述保护环包括若干分立的子保护环，相邻两层保护环的子保护环交错设置，可以提高保护环的噪声隔绝效果。
附图说明
[0020]以下附图详细描述了本申请中披露的示例性实施例。其中相同的附图标记在附图的若干视图中表示类似的结构。本领域的一般技术人员将理解这些实施例是非限制性的、示例性的实施例，附图仅用于说明和描述的目的，并不旨在限制本申请的范围，其他方式的实施例也可能同样的完成本申请中的专利技术意图。应当理解，附图未按比例绘制。
[0021]其中：
[0022]图1为一种电感器件的结构示意图；
[0023]图2为一种电感器件的局部放大图；
[0024]图3为本申请实施例所述的电感器件的结构示意图；
[0025]图4为本申请实施例所述的电感器件的局部放大图；
[0026]图5为本申请实施例中测试电感器件串扰的结构示意图。
具体实施方式
[0027]以下描述提供了本申请的特定应用场景和要求，目的是使本领域技术人员能够制造和使用本申请中的内容。对于本领域技术人员来说，对所公开的实施例的各种局部修改是显而易见的，并且在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用。因此，本申请不限于所示的实施例，而是与权利要求一致的最宽范围。
[0028]下面结合实施例和附图对本专利技术技术方案进行详细说明。
[0029]在常规的成熟工艺节点中(例如CMOSFET工艺)，电感器件中的保护环是连续且任意角度的图形，封闭的保护环结构可以增强电感器件对周围噪声的屏蔽效果。然而，在FINFET工艺节点中，情况则不同。
[0030]图1为一种电感器件的结构示意图。图2为一种电感器件的局部放大图(具体地，图2为图1中虚线框处的保护环的放大图)。
[0031]参考图1和图2所示，所述电感器件包括半导体衬底100；电感线圈110，位于所述半导体衬底上；保护环120，所述保护环环绕于所述电感线圈110在所述半导体衬底100上的垂直投影的四周，其中，所述保护环120包括若干分立的子保护环121以及连接所述子保护环121的金属连接结构122。
[0032]需要说明的是，附图仅为平面布局示意图，并不代表实际结构。例如，图1中的保护环虽然画成连续的图形，但需要理解其只是示意性地说明保护环的位置，图2中的保护环放大图才能说明保护环的具体结构。此外，所述保护环120还可以被隔断成多段，即所述金属连接结构122并不是连接了所有的子保护环121，而是有多个金属连接结构122分别连接一部分子保护环121。
[0033]在FINFET工艺节点中，有源区、栅极层、各层金属层等结构沿水平方向和竖直方向均有设计规则限制，且非矩形图形不能加工。这样就导致由FINFET工艺制作的保护环结构不是连续的。参考图2所示，所述保护环120由若干个分立的子保护环121构成，所述子保护
环121即为若干个分立的鳍片结构。所述若干子保护环121之间有空隙，因此使得所述保护环120的噪声隔离效果下降。
[0034]针对上述问题，本申请提供一种电感器件及其形成方法，在电感线圈四周形成至少两层保护环，所述保护环包括若干分立的子保护环，相邻两层保护环的子保护环交错设置，可以提高保护环的噪声隔绝效果。
[0035]图3为本申请实施例所述的电感器件的结构示意图。图4为本申请实施例所述的电感器件的局部放大图(具体地，图4为图3中虚线框处的保护环的放大图)。下面结合附图对本申请所述的电感器件进行详细说明。
[0036]本申请的实施例提供一种电感器件，参考图3和图4所示，包括：半导体衬底200；电感线圈210，位于所述半导体衬底200上；至少两层保护环220，所述至少两层保护环220环绕于所述电感线圈210在所述半导体衬底200上的垂直投影的四周，其中，所述保护环220包括若干分立的子保护环221，相邻两层保护环220的子保护环221交错设置。
[0037]需要说明的是，附图仅为平面布局示意图，所述电感器件的各结构可以不在同一层上，既不在同一个水平高度。图3中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电感器件，其特征在于，包括：半导体衬底；电感线圈，位于所述半导体衬底上方；至少两层保护环，所述至少两层保护环环绕于所述电感线圈在所述半导体衬底上的垂直投影的四周，其中，所述保护环包括若干分立的子保护环，相邻两层保护环的子保护环交错设置。2.如权利要求1所述的电感器件，其特征在于，所述至少两层保护环的层数为两层至四层。3.如权利要求1所述的电感器件，其特征在于，所述交错设置包括完全交错或部分交错。4.如权利要求1所述的电感器件，其特征在于，相邻两层保护环之间的间距为0.1
‑
1微米。5.如权利要求1所述的电感器件，其特征在于，所述若干分立的子保护环的宽度大于所述若干分立的子保护环的间距。6.如权利要求1所述的电感器件，其特征在于，所述保护环的形状与所述电感线圈的形状相同。7.一种电感器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成电感线圈；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，刘凌，钱蔚宏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：