【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管
[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管。
技术介绍
[0002]绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种MOS场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。IGBT的应用对电力电子系统性能的提升起到了极为重要的作用。
[0003]目前有些特定需求的IGBT需要栅极内置电阻，阻值需要根据应用需求进行定制。在IGBT实际流片中，由于仿真与实际的偏差，通常会对栅极内置电阻进行多次调整，才能得到满意的栅极内置电阻。目前，主流的技术是通过对多晶硅层及金属层进行设计，引入栅极内置电阻。因此，如果对栅极内置电阻的阻值进行调整，就需要重新对多晶硅层和金属层进行更改，重新流片制作，栅极内置电阻的
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括栅极总线、栅极引线压焊区和若干内置电阻岛，若干所述内置电阻岛与所述栅极总线连接，至少一个所述内置电阻岛与所述栅极引线压焊区连接。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述内置电阻岛包括第一多晶硅、第二多晶硅和内阻压焊区，所述第一多晶硅连接于所述栅极总线和所述第二多晶硅之间，所述内阻压焊区设置于所述第二多晶硅上。3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，至少一个所述内置电阻岛通过内阻引线与所述栅极引线压焊区连接。4.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，至少一个所述内置电阻岛直接通过所述内阻压焊区与所述栅极引线压焊区连接，其余所述内置电阻岛通过内阻引线与所述栅极引线压焊区连接。5.如权利要求2
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4任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二多晶硅和所述内阻压焊区之间具有第一介质层，所述第一介质层上设置有第一接触孔，所述第二多晶硅通过所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，文雨，姜春亮，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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