绝缘栅双极型晶体管制造技术

本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括栅极总线、栅极引线压焊区和若干内置电阻岛，若干内置电阻岛与栅极总线连接，至少一个内置电阻岛与栅极引线压焊区连接。本方案可以提高栅极内置电阻的调整灵活性。活性。活性。

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种MOS场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。IGBT的应用对电力电子系统性能的提升起到了极为重要的作用。
[0003]目前有些特定需求的IGBT需要栅极内置电阻，阻值需要根据应用需求进行定制。在IGBT实际流片中，由于仿真与实际的偏差，通常会对栅极内置电阻进行多次调整，才能得到满意的栅极内置电阻。目前，主流的技术是通过对多晶硅层及金属层进行设计，引入栅极内置电阻。因此，如果对栅极内置电阻的阻值进行调整，就需要重新对多晶硅层和金属层进行更改，重新流片制作，栅极内置电阻的调整灵活性较低。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管，可以提高栅极内置电阻的调整灵活性。
[0005]本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括栅极总线、栅极引线压焊区和若干内置电阻岛，若干所述内置电阻岛与所述栅极总线连接，至少一个所述内置电阻岛与所述栅极引线压焊区连接。
[0006]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述内置电阻岛包括第一多晶硅、第二多晶硅和内阻压焊区，所述第一多晶硅连接于所述栅极总线和所述第二多晶硅之间，所述内阻压焊区设置于所述第二多晶硅上。
[0007]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，至少一个所述内置电阻岛通过内阻引线与所述栅极引线压焊区连接。
[0008]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，至少一个所述内置电阻岛直接通过所述内阻压焊区与所述栅极引线压焊区连接，其余所述内置电阻岛通过内阻引线与所述栅极引线压焊区连接。
[0009]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述第二多晶硅和所述内阻压焊区之间具有第一介质层，所述第一介质层上设置有第一接触孔，所述第二多晶硅通过所述第一接触孔与所述内阻压焊区连接。
[0010]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述第二多晶硅与所述栅极引线压焊区之间的最小间距为100μm~300μm。
[0011]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述第二多晶硅的尺寸大于所述第一多晶硅的尺寸。
[0012]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述第一多晶硅的形状为矩形，所述第一多晶硅的长宽比为1:1~4:1。
[0013]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述栅极引线压焊区包括第三多晶硅和引线焊盘，所述引线焊盘设置于所述第三多晶硅上。
[0014]在本申请提供的绝缘栅双极型晶体管中，所述第三多晶硅和所述引线焊盘之间设置有第二介质层，所述第二介质层上设置有第二接触孔，所述第三多晶硅通过所述第二接触孔与所述引线焊盘连接。
[0015]综上，本申请提供的绝缘栅双极型晶体管，包括栅极总线、栅极引线压焊区和若干内置电阻岛，若干所述内置电阻岛与所述栅极总线连接，至少一个所述内置电阻岛与所述栅极引线压焊区连接。本方案可以通过调整与栅极引线压焊区连接的内置电阻岛的数量，对栅极内置电阻进行灵活调整。也即，本方案可以提高栅极内置电阻的调整灵活性。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的第一结构示意图。
[0018]图2是本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的第二结构示意图。
[0019]图3是本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的第三结构示意图。
[0020]图4是本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管的第四结构示意图。
具体实施方式
[0021]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0022]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
[0023]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0024]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或者“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或者“单元”可以混合地使用。
[0025]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示
的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]以下将通过具体实施例对本申请所示的技术方案进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。
[0027]目前有些特定需求的IGBT需要栅极内置电阻，阻值需要根据应用需求进行定制。在IGBT实际流片中，由于仿真与实际的偏差，通常会对栅极内置电阻进行多次调整，才能得到满意的栅极内置电阻。目前，主流的技术是通过对多晶硅层及金属层进行设计，引入栅极内置电阻。因此，如果对栅极内置电阻的阻值进行调整，就需要重新对多晶硅层和金属层进行更改，重新流片制作，栅极内置电阻的调整灵活性较低。
[0028]基于此，本申请实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管，如图1
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图4所示，该绝缘栅双极型晶体管可以包括栅极总线10、栅极引线压焊区30和若干内置电阻岛20，若干内置电阻岛20与栅极总线10连接，至少一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括栅极总线、栅极引线压焊区和若干内置电阻岛，若干所述内置电阻岛与所述栅极总线连接，至少一个所述内置电阻岛与所述栅极引线压焊区连接。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述内置电阻岛包括第一多晶硅、第二多晶硅和内阻压焊区，所述第一多晶硅连接于所述栅极总线和所述第二多晶硅之间，所述内阻压焊区设置于所述第二多晶硅上。3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，至少一个所述内置电阻岛通过内阻引线与所述栅极引线压焊区连接。4.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，至少一个所述内置电阻岛直接通过所述内阻压焊区与所述栅极引线压焊区连接，其余所述内置电阻岛通过内阻引线与所述栅极引线压焊区连接。5.如权利要求2
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4任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二多晶硅和所述内阻压焊区之间具有第一介质层，所述第一介质层上设置有第一接触孔，所述第二多晶硅通过所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，文雨，姜春亮，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：